1.一种蚀刻液组合物，包含：
相对于蚀刻液组合物总重量，
5重量％以上且20重量％以下的硝酸、
1重量％以上且15重量％以下的醋酸、
0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、
0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及
使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，所述B是氢离子、铵离子、铁离子、铝离子、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。
3.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述含卤化合物是由氯化氢、氯化铝、氟化铵、碘化钾、氯化钾及氯化铵组成的群中选择的一个以上。
4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其中，
所述蚀刻液组合物用于蚀刻透明导电性氧化物。
5.如权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，
所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
6.一种薄膜晶体管显示板的制造方法，包括如下步骤：
在基板上形成数据导体；
在所述数据导体上沉积透明导电性氧化物；及
利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物，
其中，所述蚀刻液组合物包含5重量％以上且20重量％以下的硝酸、1重量％以上且15重量％以下的醋酸、0.1重量％以上且5重量％以下的醋酸盐、0.1重量％以上且4重量％以下的含卤化合物及使全部组合物的总重量成为100重量％的水。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
所述醋酸盐为B(CH3COO)n结构的化学式，并且所述B可以是氢离子、铵离子、铁离子、铝离子、氧化数为1至3的烷基金属离子中的至少一个离子。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
所述含卤化合物可以是由氯化氢、氯化铝、氟化铵、碘化钾、氯化钾及氯化铵组成的群中选择的一个以上。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
所述透明导电性氧化物为铟锡氧化物或铟锌氧化物。
10.如权利要求6所述的薄膜晶体管显示板的制造方法，其中，
通过利用蚀刻液组合物蚀刻所述透明导电性氧化物的步骤来形成像素电极，
所述像素电极具有多个切开部。