二醇二缩水甘油醚 5份 YA010C 3 份 球形硅微粉SE1030 40份 Y-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷 〇. 1份 TK-TOKA7001 5 份 助焊剂对苯二甲酸 0.4份 助焊剂琥珀酸 1. 5份 先将液体环氧树脂SE-55A(SHIN-AT&C)和SE-55F(SHIN-AT&C)、活性稀释剂 1，6-己二醇二缩水甘油醚加入到搅拌容器中，室温真空状态下搅拌20min，然后再加入纳 米填料YA010C和球形硅微粉SE1030混合均匀后在真空状态下搅拌lh，再进行三辊研磨3 遍，再将研磨后的料加入到搅拌容器中，并在真空状态下高速搅拌2h，最后依次加入硅烷偶 联剂Y-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、液体潜伏性固化剂7001及助焊剂对苯二甲酸和 琥珀酸搅拌均匀，再真空状态下搅拌2h后出料即可。
[0022] 实施例3 按照以下质量份称取原料 YL983U 20 份 AFG90 10 份 新戊二醇二缩水甘油醚 8份 YC100C 1 份 球形硅微粉SC1030 58份 T-氨丙基三乙氧基硅烷 0.8份 TK-TOKA 7002 1 份 助焊剂衣康酸 1. 2份 先将液体环氧树脂YL983U和AFG90、活性稀释剂新戊二醇二缩水甘油醚加入到搅拌容 器中，室温真空状态下搅拌20min，然后再加入纳米填料YC100C和球形硅微粉SC1030混合 均匀后在真空状态下搅拌lh，再进行三辊研磨3遍，再将研磨后的料加入到搅拌容器中，并 在真空状态下高速搅拌2h，最后依次加入硅烷偶联剂y-氨丙基三乙氧基硅烷、液体潜伏 性固化剂7002及助焊剂衣康酸搅拌均匀，再真空状态下搅拌2h后出料即可。
[0023] 实施例4 按照以下质量份称取原料 YL983U 35 份 AG-80 10 份 三羟甲基丙烷三缩水甘油醚 2份 YA010C 5 份 球形硅微粉SE1030 50份 y-(甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷 〇. 9份 Aradur5200 5 份 助焊剂富马酸 〇. 1份 先将液体环氧树脂YL983U和AG-80、活性稀释剂三羟甲基丙烷三缩水甘油醚加入到搅 拌容器中，室温真空状态下搅拌20min，然后再加入纳米填料YA010C和球形硅微粉SE1030 混合均匀后在真空状态下搅拌lh，再进行三辊研磨3遍，再将研磨后的料加入到搅拌容器 中，并在真空状态下高速搅拌2h，最后依次加入硅烷偶联剂y-(甲基丙烯酰氧）丙基三甲 氧基硅烷、液体潜伏性固化剂AradUr5200及助焊剂富马酸搅拌均匀，再真空状态下搅拌2h 后出料即可。
[0024] 实施例5 按照以下质量份称取原料 YL980 10 份 SE-55F (SHIN-A T&C) 15 份 间苯二酚二缩水甘油醚 10份 YA050C 1 份 球形硅微粉SE1050 70份 y-(甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷 〇. 5份 DY9577 3 份 助焊剂梓檬酸 1. 6份 先将液体环氧树脂YL980和SE-55F(SHIN-AT&C)、活性稀释剂间苯二酚二缩水甘油醚 加入到搅拌容器中，室温真空状态下搅拌20min，然后再加入纳米填料YA050C和球形硅微 粉SE1050混合均匀后在真空状态下搅拌lh，再进行三辊研磨3遍，再将研磨后的料加入到 搅拌容器中，并在真空状态下高速搅拌2h，最后依次加入硅烷偶联剂y-(甲基丙烯酰氧） 丙基三甲氧基硅烷、液体潜伏性固化剂DY9577及助焊剂柠檬酸搅拌均匀，在真空状态下搅 摔2h后出料即可。
[0025] 表1实施例与对比例测试结果
从表1可以看出，本发明所得的底部填充材料与普通底部填充材料相比具有高模量， 高玻璃化转变温度，低膨胀系数等优点，可广泛应用于倒装芯片封装工艺中。
[0026] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种非流动环氧底部填充材料，其特征在于，由以下质量份的原材料组成：液体环 氧树脂20-50份、活性稀释剂1-10份、纳米球形填料1-5份、球形硅微粉40-70份、潜伏性 固化剂1-5份、偶联剂0. 1-1份、助焊剂0. 1-2份； 所述的纳米球形填料为Admatechs公司的YA050C、YA010C、YC100C中的一种或任意几 种的混合物；所述球形硅微粉为Admatechs公司的SC1030、SE1030、SC1050、SC1030中的一 种或任意几种的混合物。2. 根据权利要求1所述的非流动环氧底部填充材料，其特征在于，所述环氧树脂为液 体双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、多官环氧树脂中的一种或任意几种的混合物。3. 根据权利要求1所述的非流动环氧底部填充材料，其特征在于，所述活性稀释剂为 新戊二醇二缩水甘油醚、对苯基叔丁基缩水甘油醚、间苯二酚二缩水甘油醚、1，6-己二醇二 缩水甘油醚、三羟甲基丙烷三缩水甘油醚中的一种或任意几种的混合物。4. 根据权利要求1所述的非流动环氧底部填充材料，其特征在于，所述硅烷偶联剂为 Y-(甲基丙烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷、y-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、y-氨丙基 三乙氧基硅烷中的一种或任意几种的混合物。5. 根据权利要求1所述的非流动环氧底部填充材料，其特征在于，所述助焊剂为丁二 酸、己二酸、庚二酸、壬二酸、癸二酸、富马酸、柠檬酸、衣康酸、邻羟基苯甲酸、苹果酸、对苯 二甲酸、琥珀酸中的一种或几种的混合物。6. 根据权利要求1所述的非流动环氧底部填充材料，其特征在于，所述液态潜伏性固 化剂为 TK-TOKA 公司的 7000、7001、7002 及 huntsman 公司的 Aradur5200、DY9577 中的一种 或任意几种的混合物。7. 根据权利要求1所述的一种非流动环氧底部填充材料的制备方法，包括：先将液体 环氧树脂、活性稀释剂加入到搅拌容器中，室温真空状态下搅拌20min，然后再加入纳米填 料和球形硅微粉份混合均匀后在真空状态下搅拌lh，再进行三辊研磨3遍，再将研磨后的 料加入到搅拌容器中，并在真空状态下高速搅拌2h，最后依次加入硅烷偶联剂、液体潜伏性 固化剂及助焊剂搅拌均匀，再在真空状态下搅拌2h后出料即可。
【专利摘要】本发明涉及一种非流动环氧底部填充材料及其制备方法，以液体环氧树脂20-50份、活性稀释剂1-10份、纳米球形填料1-5份、球形硅微粉40-70份、潜伏性固化剂1-5份、偶联剂0.1-1份、助焊剂0.1-2份为原料，通过分别加入到搅拌容器中，在真空状态下搅拌均匀，出料即得产品，所制得的非流动底部填充材料具有较好的助焊作用，具有高模量、高可靠性、高玻璃化转变温度、低线膨胀系数，适用于芯片尺寸更大，锡球间距更小，锡球更小低k倒装芯片的封装。
【IPC分类】C09J11/06, C09J163/00, C09J11/04
【公开号】CN105086902
【申请号】CN201510553114
【发明人】白战争, 王建斌, 陈田安, 牛青山
【申请人】烟台德邦科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年9月1日