新型发光化合物以及包含其的有机发光元件的制作方法
【专利摘要】本发明的有机发光化合物由于空穴和电子传输特性优异、蓝色发光维持及发光效率优异且具有高色纯度、高效率和长寿命而在应用于有机发光元件时能够显示出优异的元件特性。
【专利说明】
新型发光化合物从及包含其的有机发光元件
技术领域
[0001] 本发明设及新型发光化合物W及包含其的有机发光元件。
【背景技术】
[0002] 最近，自发光型的可低电压驱动的有机发光元件与作为平板显示元件的主流的液 晶显示器化CD, liquid C巧Stal display)相比，视场角、对比度等更优异，不需要背光，可 实现轻量及薄型，在耗电方面上也有利，颜色再现范围宽，从而作为下一代显示元件受到关 注。
[0003] 有机发光元件中用作有机物层的材料按功能大致可分为发光材料、空穴注入材 料、空穴传输材料、电子传输材料、电子注入材料等。上述发光材料按分子量可分为高分子 和低分子，按发光机理可分为来自电子的单重激发态的巧光材料、W及来自电子的=重激 发态的憐光材料，发光材料按发光颜色可分为蓝色、绿色、红色发光材料、W及为了呈现更 好的天然色所需的黄色和澄色发光材料。此外，为了增加通过色纯度的增加和能量转移的 发光效率，可W使用主体/渗杂剂体系作为发光物质。其原理如下：如果在发光层中混合少 量的与主要构成发光层的主体相比能带隙小且发光效率优异的渗杂剂，则在主体中产生的 激子传输到渗杂剂而发出效率高的光。此时，主体的波长向渗杂剂的波段移动，因此可W根 据所使用的渗杂剂和主体的种类，得到所期望的波长的光。
[0004] 目前为止，作为用于运样的有机发光元件的物质，已知多种化合物，但在利用W往 已知的物质的有机发光元件的情况下，由于高驱动电压、低效率、W及短寿命而在实用化方 面存在许多困难。因此，为了利用具有优异特性的物质来开发出具有低电压驱动、高亮度及 长寿命的有机发光元件而不断努力。
【发明内容】
[0005] 为了解决如上所述的问题，本发明的目的在于，提供一种新型发光化合物，其空穴 和电子传输特性优异，蓝色发光维持及发光效率优异，能够具有高色纯度、高效率和长寿 命。
[0006] 本发明的目的还在于，提供通过包含上述化合物而能够实现低驱动电压、蓝色发 光维持及发光效率优异、高色纯度、高效率和长寿命的有机发光元件。
[0007] 为了实现上述目的，本发明提供下述化学式1所表示的发光化合物：
[000引[化学式1]
[0009]
[0010] 上述式中，
[0011] X各自独立地为0、S、Se或化，
[001^ Ar为被気、面素、氨基、氯基、硝基、Cl-30的烷基、C2-3G的締基、C2-3G的烘基、Cl-30的烧 氧基、C6-30的芳氧基、C6-30的芳基或C2-30的杂芳基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面 素、氨基、氛基、硝基、Cl-3日的烷基、C2-3日的締基、C2-3日的烘基、Cl-3日的烷氧基、Cs-3日的芳氧基、 C6-30的芳基或C2-30的杂芳基取代或未取代的C2-50的杂芳基，
[001引 Ri、R2、R3和R4各自独立地为氨；気；被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的 Cl-30的烷基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-30的締基;被気、面素、氨基、氯 基、硝基取代或未取代的C2-30的烘基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的打-30的烧 氧基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C6-30的芳氧基;被気、面素、氨基、氯基、 硝基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-50的 杂芳基，
[0014] *-为结合部位，
[001引 n为1或2,当n为2时，Ar不存在。
[0016] 此外，本发明提供包含上述化学式1所表示的化合物的有机发光元件。
[0017] 本发明的发光化合物由于空穴和电子传输特性优异、蓝色发光维持及发光效率优 异且具有高色纯度、高效率和长寿命而在应用于有机发光元件时能够显示出优异的元件特 性。
【附图说明】
[001引图1示意性示出根据本发明的一个实施例的OL邸的截面。
[0019] 附图符号
[0020] 10:基板
[0021] 11:阳极（皆耳）
[0022] 12:空穴注入层
[00剖 13:空穴传输层
[0024] 14:发光层
[00巧]15:电子传输层 [0026] 16:阴极(音寻）
【具体实施方式】
[0027]本发明的化合物的特征在于由下述化学式I表示。
[002引[化学式1]
[0029]
[0030] 上述式中，
[0031] X各自独立地为0、S、Se或化，
[0032] Ar为被気、面素、氨基、氯基、硝基、Ci-30的烷基、C2-30的締基、C2-30的烘基、Ci-30的烧 氧基、C6-30的芳氧基、C6-30的芳基或C2-30的杂芳基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面 素、氨基、氛基、硝基、Cl-3日的烷基、C2-3日的締基、C2-3日的烘基、Cl-3日的烷氧基、Cs-3日的芳氧基、 C6-30的芳基或C2-30的杂芳基取代或未取代的C2-50的杂芳基，
[0033] Ri、R2、R3和R4各自独立地为氨；気；被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的 Cl-30的烷基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-30的締基;被気、面素、氨基、氯 基、硝基取代或未取代的C2-30的烘基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的打-30的烧 氧基;被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C6-30的芳氧基;被気、面素、氨基、氯基、 硝基取代或未取代的C6-50的芳基;或者被気、面素、氨基、氯基、硝基取代或未取代的C2-50的 杂芳基，
[0034] *-为结合部位，
[0035] n为1或2,当n为2时，Ar不存在。
[0036] 本发明中，上述化学式1所表示的化合物可W为下述化学式化学式2~5所表示的 化合物中的一种。
[0037] [化学式2]
[0038；
[0039][化学式3]
[0040]
[0045] 上述化学式2~5中，X、Ar、Ri、化、R3和R4与化学式I中的定义相同。[0046] 本发明中，上述化学式1所表示的化合物的优选例如下：
[0041]
[0042]
[0043]
[0044]
[0071]
[0072] 根据本发明的化学式I的化合物由于空穴和电子传输特性优异、蓝色发光维持及 发光效率优异且具有高色纯度、高效率和长寿命而在应用于有机发光元件时能够显示出优 异的元件特性。
[0073] 此外，本发明的化合物可W通过下述反应式1来制造：
[0074] [反应式。
[0075；
[0076] 上述反应式1中，上述反应式中，X、Ar、Ri、R2、R3和R4与化学式1中的定义相同，R各 自独立地与化学式1的各自独立地化学式1的Ri或化相同。
[0077] 更具体而言，本发明的化学式2~5的化合物各自可W通过下述反应式2~5来制 造。
[007引[反应式2]
的有机物层，对上述有机发光元件的制造方法如下进行说明。
[0089] 上述有机发光元件可W在阳极（anode)与阴极（cathode)之间包含空穴注入层 化IL)、空穴传输层化TL)、发光层化ML)、电子传输层巧化）、电子注入层化IL)等有机物层一 层W上。
[0090] 首先，在基板上部蒸锻具有高功函数的阳极电极用物质而形成阳极。此时，上述基 板可W使用通常的有机发光元件中所使用的基板，特别是使用机械强度、热稳定性、透明 性、表面平滑性、操作容易性W及防水性优异的玻璃基板或透明塑料基板为佳。此外，作为 阳极电极用物质，可W使用透明且导电性优异的氧化铜锡（ITO)、氧化铜锋（IZO)、氧化锡 (Sn化）、氧化锋(ZnO)等。上述阳极电极用物质可W通过通常的阳极形成方法来蒸锻，具体 可W通过蒸锻法或瓣射法来蒸锻。
[0091 ] 其次，可W通过真空蒸锻法、旋涂法、诱注法、LB (Langmuir-Blodgett，朗格缪尔布 洛杰特)法等方法，在上述阳极电极上部形成空穴注入层物质，但从容易获得均匀的膜质、 并且不易产生针孔（巧句晋）等的方面考虑，优选通过真空蒸锻法来形成。在通过上述真 空蒸锻法来形成空穴注入层的情况下，其蒸锻条件虽然根据用作空穴注入层的材料的化合 物、目标空穴注入层的结构和热特性等而不同，但通常优选在50-500°C的蒸锻溫度、1(T8~ 1 (T3托(torr)的真空度、〇..〇 1 一][ 00乂/see的蒸锻速度、10心~5仰前层厚范围内适当 选择。
[0092] 上述空穴注入层物质没有特别限制，可W使用美国专利第4,356,429号中所公开 的献菁铜等献菁化合物或星型胺（么詞?刮么長讀钟巧）衍生物类即TCTA(4,4'，4"- = (N-巧挫基)S苯基胺）、m-MTDATA(4,4'，4"-S(3-甲基苯基氨基)S苯基胺）、m-MTDAPB (4,4'，4"-S(3-甲基苯基氨基)苯氧基苯）、HI-406(Nl，Nl'-(联苯-4,4'-二基)双(Nl-(糞- 1-基)-N4，N4-二苯基苯-1,4-二胺)等作为空穴注入层物质。
[0093] 其次，可W通过真空蒸锻法、旋涂法、诱注法、LB法等方法，在上述空穴注入层上部 形成空穴传输层物质，但从容易获得均匀的膜质、并且不易产生针孔等的方面考虑，优选通 过真空蒸锻法来形成。在通过上述真空蒸锻法来形成空穴传输层的情况下，其蒸锻条件虽 然根据所使用的化合物而不同，但一般在与空穴注入层的形成几乎相同的条件范围内选择 为佳。
[0094] 此外，上述空穴传输层物质没有特别限制，可W从空穴传输层中所使用的通常的 公知物质中任意选择使用。具体地说，上述空穴传输层物质可W使用N-苯基巧挫、聚乙締巧 挫等巧挫衍生物，N，N'-双(3-甲基苯基)-N，N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N， N'-二(糞-1-基)-N，N'-二苯基联苯胺(a-NPD)等具有芳香族稠环的通常的胺衍生物等。 [00M] 之后，可W通过真空蒸锻法、旋涂法、诱注法、LB法等方法，在上述空穴传输层上部 形成发光层物质，但从容易获得均匀的膜质、并且不易产生针孔等的方面考虑，优选通过真 空蒸锻法来形成。在通过上述真空蒸锻法来形成发光层的情况下，其蒸锻条件虽然根据所 使用的化合物而不同，但通常在与空穴注入层的形成几乎相同的条件范围内选择为佳。此 夕h上述发光层材料可W使用本发明的化学式1所表示的化合物作为主体或渗杂剂。
[0096]在使用上述化学式1所表示的化合物作为发光主体的情况下，可W将憐光或巧光 渗杂剂一起使用形成发光层。此时，作为巧光渗杂剂，可W使用从出光兴产公司（Idemitsu 公司）可购入的IDE102、IDE105或抓142(妒，护2-双(3,4-二甲基苯基)-沪却2-二.莱基;蠢-6， 12-二胺），作为憐光渗杂剂，可W共同真空蒸锻(渗杂)有绿色憐光渗杂剂Ir(ppy)3(S(2- 苯基化晚)合银）、作为蓝色憐光渗杂剂的F2Irpic(双[4,6-二氣苯基化晚-N，C2/]邮晚甲酯 合银（III)，iridium(III )bis[4,6-di-f luorophenyl-pyridinato-N,02^ ]picolinate)、 UDC公司的红色憐光渗杂剂RD61等。渗杂剂的渗杂浓度没有特别限制，但相对于主体100重 量份，优选WO.Ol~15重量份渗杂有渗杂剂。如果渗杂剂的含量小于0.01重量份，则存在因 渗杂剂量不充分而显色无法顺利完成的问题，在超过15重量份的情况下，存在因浓度巧灭 现象而效率急剧降低的问题。
[0097] 此外，在发光层中并用憐光渗杂剂的情况下，为了防止=重态激子或空穴扩散到 电子传输层的现象，优选通过真空蒸锻法或旋涂法，进一步层叠空穴阻挡材料化BL)。此时 可使用的空穴阻挡物质没有特别限制，可W从用作空穴阻挡材料的公知的材料中选择任一 种来使用。例如可W举出t#二挫衍生物、=挫衍生物、菲咯嘟衍生物或日本特开平11- 3297%(A1)中所记载的空穴阻挡材料等，可W代表性地使用Balq(双（8-径基-2-甲基哇 口林）-联苯酪侣）、菲咯嘟（phenanthrolines)系化合物（例如，UDC公司的BCP (Batho 州 proine，浴铜灵））等。
[0098] 在如上形成的发光层上部，形成电子传输层，此时，上述电子传输层通过真空蒸锻 法、旋涂法、诱注法等方法来形成，特别优选通过真空蒸锻法来形成。
[0099] 上述电子传输层材料发挥将从电子注入电极注入的电子稳定地传输的作用，其种 类没有特别限制，例如可W使用哇嘟衍生物，特别是^(8-径基哇嘟)侣(Alqs)、或ET4(6， 6'-(3,4-二莱基-1,1-二甲基-IH-嚷咯-2,5-二基）二-2,2'-联化晚（6，6'-(3,4- 坤刮A]皂-1，1-马呵導-IH-召善-2，S-勾智)啤2，2 ' -刮詞司巧))。此外，在电子传 输层上部，可W层叠具有容易使电子从阴极注入的作用的物质、即电子注入层化IL)，作为 电子注入层物质，可W利用^。、船(：1、〔3。心2〇、8曰0等物质。
[0100] 此外，上述电子传输层的蒸锻条件根据所使用的化合物而不同，但一般在与空穴 注入层的形成几乎相同的条件范围内选择为佳。
[0101] 之后，在上述电子传输层上部，可W形成电子注入层物质，此时，关于上述电子传 输层，可W通过真空蒸锻法、旋涂法、诱注法等方法来形成通常的电子注入层物质，特别优 选通过真空蒸锻法来形成。
[0102] 最后，通过真空蒸锻法或瓣射法等方法，在电子注入层上部形成阴极形成用金属， 从而用作阴极。在此，作为阴极形成用金属，可W使用具有低功函数的金属、合金、导电性化 合物W及它们的混合物。作为具体例，有裡化i)、儀(Mg)、侣(Al)、侣-裡(Al-Li)、巧(Ca)、 儀-铜(Mg-In)、儀-银(Mg-Ag)等。此外，为了得到顶部发光元件（??當脅么；^]* )，也 可W采用使用口 0、IZ0的透射型阴极。
[0103] 本发明的有机发光元件不仅能够实现阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电 子传输层、电子注入层、阴极结构的有机发光元件，而且能够实现多种结构的有机发光元件 的结构，也可W根据需要进一步形成一层或两层的中间层。
[0104] 如上所述，根据本发明形成的各有机物层的厚度可W根据所要求的程度来调节， 优选为10~1000 nm，更优选为20~150nm D
[0105] 此外，本发明的包含上述化学式I所表示的化合物的有机物层由于能够W分子单 位调节有机物层的厚度，因此存在表面均匀、形态稳定性优异的优点。
[0106] 本发明的有机发光元件的低驱动电压、蓝色发光维持及发光效率优异，具有高色 纯度、高效率和长寿命等优异的元件特性。
[0107] W下，为了有助于理解本发明，公开优选的实施例，但下述实施例只不过例示本发 明，本发明的范围并不限于下述实施例。
[0108] 中间体A的合成
[0109；
[0110] [A-1 的合成]
[0111] 在圆底烧瓶中，将苯并巧喃-2-基棚酸28.5g、5-漠-2-舰苯甲酸甲醋50g溶解于甲 苯600ml，加入220ml的K2C03(2M)和5.1g的Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过TLC确认反 应，并添加水，然后终止反应。将有机层用EA提取并减压过滤后，上柱精制，得到35.?的中 间体A-U收率72%)。
[0112] [A-2 的合成]
[0113] 将35g的上述A-I溶解于THF 800ml，然后将溫度降低至(TC。缓慢添加105ml的 C出MgBr,缓慢提升至常溫并揽拌1小时，然后进行回流揽拌。将有机层用MC提取并减压过 滤，然后上柱精制，得到25.2g的中间体A-2川欠率70% )。
[0114] [A的合成]
[0115] 将25g的上述A-2中加入乙酸250ml和盐酸Iml后，回流揽拌24小时，然后将溫度降 低至常溫。将析出的固体过滤后，上柱精制，得到14.2g的中间体A(收率60%)。
[0116] 中间化B的合成
[0117]
[0118] [B-1 的合成]
[0119] 在圆底烧瓶中，将苯并巧喃-2-基棚酸28.5g、5-漠-2-舰苯甲酸甲醋50g溶解于甲 苯600ml，加入220ml的K2C03(2M)和5.1g的Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过TLC确认反 应，并添加水，然后终止反应。将有机层用EA提取并减压过滤后，上柱精制，得到35.?的中 间体B-U收率72%)。
[0120] [B-2 的合成]
[0121] 将35g的上述B-I溶解于THF 850ml，然后将溫度降低至(TC。缓慢添加105ml的 PhM浊r，缓慢提升至常溫并揽拌I小时，然后进行回流揽拌。将有机层用MC提取并减压过滤， 然后上柱精制，得到33.7g的中间体B-2川欠率70% )。
[0122] [B的合成]
[0123] 在3：3g的上述B-2中加入乙酸330ml和盐酸1.3ml后，回流揽拌24小时，然后将溫度 降低至常溫。将析出的固体过滤后，上柱精制，得到20.6g的中间体B(收率65%)。
[0124] 中间体C的合成
[0125
[0126] [C-1 的合成]
[0127] 在圆底烧瓶中，将苯并[b]嚷吩-2-基棚酸31.3g、5-漠-2-舰苯甲酸甲醋50g溶解于 甲苯600ml，加入220ml的K2CO3(2M)和5. Ig的PcKPI%3)4，然后进行回流揽拌。通过TLC确认反 应，并添加水，然后终止反应。将有机层用EA提取并减压过滤后，上柱精制，得到38.2g的中 间体C-U收率75%)。
[012引[C-2的合成]
[0129] 将38g的上述C-I溶解于THF 900ml，然后将溫度降低至(TC。缓慢添加IlOml的 C出MgBr,缓慢提升至常溫并揽拌1小时，然后进行回流揽拌。将有机层用MC提取并减压过 滤，然后上柱精制，得到26.6g的中间体C-2川欠率70% )。
[0130] [C的合成]
[0131] 在26g的上述C-2中加入乙酸260ml和盐酸Iml后，回流揽拌24小时，然后将溫度降 低至常溫。将析出的固体过滤后，上柱精制，得到14.Sg的中间体C(收率60%)。
[0132] 中间体D的合成
[0134」 LD-I的合成」
[0135] 在圆底烧瓶中，将苯并[b]嚷吩-2-基棚酸31.3g、5-漠-2-舰苯甲酸甲醋50g溶解于 甲苯600ml，加入220ml的K2CO3(2M)和5. Ig的PcKPI%3)4，然后进行回流揽拌。通过TLC确认反 应，并添加水，然后终止反应。将有机层用EA提取并减压过滤后，上柱精制，得到38.2g的中 间体D-U收率75%)。
[0136] [D-2 的合成]
[0137] 将38g的上述D-I溶解于THF 900ml，然后将溫度降低至(TC。缓慢添加IlOml的 PhM浊r，缓慢提升至常溫并揽拌1小时，然后进行回流揽拌。将有机层用MC提取并减压过滤， 然后上柱精制，得到36.6g的中间体D-2川欠率71 % )。
[0138] [D的合成]
[0139] 在36g的上述D-2中加入乙酸360ml和盐酸1.5ml后，回流揽拌24小时，然后将溫度 降低至常溫。将析出的固体过滤后，上柱精制，得到23.?的中间体D(收率67%)。
[0140] 帝输债Ih .A成
[0141]
[0142] :A、3.4g的（10-苯基蔥-9-基）棚酸溶解于甲苯 100mL (P化3) 4，然后进行回流揽拌。通过化(：确认反应， 如果技 MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到2. Og的化合 物1川《
[0143]
[0144]
[0145] ^、4.0邑的（10-(糞-2-基）蔥-9-基)棚酸溶解于甲 苯1051 ]Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过IlX确认反 应，如； 言用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到2. Ig的 化合彩
[0146]
[0147]
[014引在圆底烧瓶中，将3.Og的中间体A、4.Og的（10-(糞-1-基)蔥-9-基)棚酸溶解于甲 苯105ml，加入15ml的K2C03(2M)和0.33g的Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过IlX确认反 应，如果反应结束，则添加水，然后将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到2.3g的 化合物3川欠率44%)。
[0149]实施例4:化合物4的合成
[0150]
[0151] ^八、4.3邑的（1〇-([1，1，-联苯]-4-基）蔥-9-基)棚酸 溶解于 ）和0.3：3g的Pd。化3 )4，然后进行回流揽拌。通过IlX 确认反 言将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到 2. Og 的
[0152]
[0153]
[0154] ^八、4.3邑的（1〇-([1，1'-联苯]-3-基）蔥-9-基)棚酸 溶解于 ）和0.3：3g的Pd。化3 )4，然后进行回流揽拌。通过IlX 确认反 言将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到 2.4g 的
[0155]
[0156]
[0157] ^八、4.3邑的（1〇-([1，1'-联苯]-2-基）蔥-9-基）棚酸 溶解于 ）和〇.3：3g的PcKP化3)4,然后进行回流揽拌。通过IlX 确认反 言将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到 2.2g 的
[015 引
[0159]
[0160] 在圆底烧瓶中，将2.5g的中间体A、4.Og的（10-(4-(糞-1-基)苯基)蔥-9-基)棚酸 溶解于甲苯100ml，加入12ml的K2C03(2M)和0.3g的Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过IlX 确认反应，如果反应结束，则添加水，然后将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到 2.2g的化合物7川欠率45%)。
[0161] 实施例8:化合物8的合成
[0162]
[0163] \、4. Og 的（10-(4-(糞-2-基)苯基）蔥-9-基）棚酸
溶解3 阳〇.3g的Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过IlX 确认^ 将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到 2.：3g 白'
[0164]
[01 化]
[0166] \、4.Og 的（10-(3-(糞-1-基)苯基）蔥-9-基）棚酸 溶解3 阳〇.3g的Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过IlX 确认^ 将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到 2.：3g 白'
[0167]
[016 引
[0169] \、4. Og 的（10-(3-(糞-2-基)苯基）蔥-9-基）棚酸 溶解3 阳〇.3g的Pd(PPh3)4,然后进行回流揽拌。通过IlX 确认^ 将有机层用MC提取。减压过滤后，上柱精制，得到 2. Ig白'
[0170]
[0171]
[0172] 用中间体B来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物1相同的方法来 合成化合物11。
[0173] 实施例12:化合物12的合成
[0174]
[0175] 、，通过与上述化合物2相同的方法来 合成化
[0176]
[0177]
[0178] 、，通过与上述化合物3相同的方法来 合成化
[0179]
[0180]
[0181] 、，通过与上述化合物4相同的方法来 合成化
[0182]
[0183]
[0184] 用中间体B来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物5相同的方法来 合成化合物15。
[0185] 实施例16:化合物16的合成
[0186]
[0187] ，除此之外，通过与上述化合物6相同的方法来
合成仙
[018 引
[0189]
[0190] ，除此之外，通过与上述化合物7相同的方法来 合成仙
[0191]
[0192]
[0193] ，除此之外，通过与上述化合物8相同的方法来 合成仙
[0194]
[0195]
[0196] 用中间体B来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物9相同的方法来 合成化合物19。
[0197] 实施例20:化合物20的合成
[0198
[0199 应，除此之外，通过与上述化合物10相同的方法
来合j [0200
[0201
[0202 立，除此之外，通过与上述化合物1相同的方法来 合成^
[0203
[0204
[0205 立，除此之外，通过与上述化合物2相同的方法来 合成^
[0206
[0207
[0208 立，除此之外，通过与上述化合物3相同的方法来 合成^
[0209
[0210
[0211]用中间体C来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物4相同的方法来 合成化合物24。
[0213]
[0212] 实施例25:化合物25的合成
[0214] 此之外，通过与上述化合物5相同的方法来 合成本
[0215]
[0216]
[0217] 此之外，通过与上述化合物6相同的方法来 合成本
[021 引
[0219]
[0220] 此之外，通过与上述化合物7相同的方法来 合成本
[0221]
[0222]
[0223] 此之外，通过与上述化合物8相同的方法来 合成本
[0224]
[0225]
[0226] 用中间体C来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物9相同的方法来 合成化合物29。
[0227]实施例30:化合物30的合成 [022引
[0229] 应，除此之外，通过与上述化合物10相同的方法 来合成
[0230]
[0231]
[0232] 立，除此之外，通过与上述化合物1相同的方法来 合成化
[0233]
[0234]
[0235] 立，除此之外，通过与上述化合物2相同的方法来 合成化
[0236]
[0237]
[0238] 用中间体D来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物3相同的方法来 合成化合物33。
[0239] 实施例34:化合物34的合成
[0240；
[0241； k之外，通过与上述化合物4相同的方法来
合成4 [0242；
[0243；
[0244； k之外，通过与上述化合物5相同的方法来 合成4 [0245；
[0246；
[0247； k之外，通过与上述化合物6相同的方法来 合成4 [0248；
[0249；
[0250] 用中间体D来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物7相同的方法来 合成化合物37。
[0251] 实施例38:化合物38的合成
[0 巧 2]
[0253] ;，除此之外，通过与上述化合物8相同的方法来
合成化 [0 巧 4]
[0 巧5]
[0256] ;，除此之外，通过与上述化合物9相同的方法来 合成化 [0 巧 7]
[0巧引
[0259] 用中间体D来代替中间体A进行反应，除此之外，通过与上述化合物10相同的方法 来合成化合物40。
[0260] 有机发光元件的制造
[0261] 按照图1中所记载的结构，制造有机发光元件。关于有机发光元件，从下依次层叠 阳极（脅寻）(空穴注入电极11)/空穴注入层12/空穴传输层13/发光层14/电子传输层15/ 阴极（善号）(电子注入电极16)。
[0262] 实施例和比较例的空穴注入层12、空穴传输层13、发光层14、电子传输层15使用了 如下物质。
[02化]实施例41
[0266] 将WisooA厚度薄膜涂布有氧化铜锡(ITO)的玻璃基板用蒸馈水超声波清洗。蒸 馈水清洗结束后，用异丙醇、丙酬、甲醇等溶剂进行超声波清洗并干燥，然后移送至等离子 清洗机后，利用氧等离子体，将上述基板清洗5分钟后，利用热真空锻膜机（thermal evaporator),在ITO基板上部，制造空穴注入层HT01:6:(M藻、作为空穴传输层的化合物1 250A的膜。然后，作为上述发光层，渗杂化合物i:bdo15%，制造250 乂的膜。然后，作为电 子传输层，WETOl :Liq(l:l)制造300A的膜后，审雌LiFioA的膜、侣(Al)1000 A的膜， 将该元件在手套箱中密封化ncapsulation)，从而制作有机发光元件。
[0267] 实施例42~实施例80
[0268] 通过与上述实施例41相同的方法，制作分别使用化合物2~40来代替化合物1而制 造空穴注入层和空穴传输层的有机发光元件。
[0269] 比较例1
[0270] 使用AND来代替上述实施例41的作为发光层的化合物1，除此之外，通过相同的方 法来制作元件。
[0271] 比较例2
[0272] 使用比较化合物1来代替上述实施例1的作为发光层的化合物1，除此之外，通过相 同的方法来制作元件。
[0273] 有机发光元件的性能评价
[0274] 通过吉时利2400数字源表化iethley 2400sou;rce measurement unit)施加电压， 注入电子和空穴，利用柯尼卡美能达化onica Minolta)分光福射计(CS-2000)，测定发出光 时的亮度，从而在大气压条件下测定针对施加电压的电流密度和亮度，评价实施例和比较 例的有机发光元件的性能，将其结果示于表1。
[0275] 表 1
[0276] [表1]
[027引
[0279] 如上述表1所示可确认到，本发明的实施例与比较例I和2相比，驱动电压、效率和 寿命更优异。运被判断为由本申请的4个环引起效率和寿命提高。
[0280] 产业上可利用性
[0281] 本发明的发光化合物由于空穴和电子传输特性优异、蓝色发光维持及发光效率优 异且具有高色纯度、高效率和长寿命而在应用于有机发光元件时能够显示出优异的元件特 性。
【主权项】
1. 一种发光化合物，其由下述化学式1表示： 化学式1 上述式中，X各自独立地为0、S、Se或Te， Ar为被氖、卤素、氨基、氰基、硝基、C1-3Q的烷基、C2-3Q的烯基、C2-3Q的炔基、C1-3Q的烷氧基、 C6-30的芳氧基、C6-30的芳基或C2-3Q的杂芳基取代或未取代的C6- 5Q的芳基;或者被氘、卤素、氨 基、氛基、硝基、Cl-3Q的烷基、C2-3Q的烯基、C2-3Q的炔基、Cl-3Q的烷氧基、C6-3Q的芳氧基、C6-30的 芳基或C2-30的杂芳基取代或未取代的C 2-5Q的杂芳基， Rl、R2、R3和R4各自独立地为氢;氘;被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的Cl-30的 烷基;被氖、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-3Q的烯基;被氖、卤素、氨基、氰基、硝 基取代或未取代的C2-3Q的炔基;被気、卤素、氣基、氛基、硝基取代或未取代的Cl-3Q的烷氧基； 被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C6-30的芳氧基;被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取 代或未取代的C 6-5Q的芳基;或者被氘、卤素、氨基、氰基、硝基取代或未取代的C2-5Q的杂芳基， *_为结合部位， η为1或2，当η为2时，Ar不存在。2. 根据权利要求1所述的发光化合物，其特征在于，由下述化学式2~5中的一种化学式 表不：上述化学式2~5中，乂、六^1?1、1?2、1?3和1?4与化学式1中的定义相同。3.根据权利要求1所述的发光化合物，其特征在于，由下述化学式中的任一种表示：4. 一种化学式1的制造方法，其由下述反应式1表示：反应式1上述反应式1中，上述反应式中，XjrHJ3和R4与化学式1中的定义相同，R各自独立 地与化学式1的各自独立地化学式1的Ri或R2相同。5. 根据权利要求4所述的化学式1的制造方法，其由下述反应式2~5中的任一种表示： 反应式2 上述反应式中，XJhRhR^R3和R4与化学式1中的定义相同，R各自独立地与化学式1的 各自独立地化学式1的Ri或R2相同。6. -种有机发光元件，其包含阳极、阴极以及在两个电极之间的含有权利要求1所述的 化合物的一层以上的有机物层。7. 根据权利要求6所述的有机发光元件，其特征在于，所述有机物层含有权利要求1所 述的化合物作为发光主体或掺杂剂。
【文档编号】H01L51/50GK105934497SQ201480073917
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2014年12月3日
【发明人】咸昊完, 金奉记, 安贤哲, 金成勋, 金东骏, 韩政佑, 金槿泰, 林东焕, 赵志恩
【申请人】东进世美肯株式会社