高粘结性led封装用有机硅材料的制备工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺，所述方法包括如下步骤：(1)将正硅酸乙酯、乙烯基苯基硅树脂、乙烯基聚硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷、经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅加入密炼机，密炼1-2小时；(2)在氮气气氛中加入铂络合物，再密炼10-15分钟；(3)加入延迟剂炔醇化合物，继续密炼10-15分钟；(4)对密炼后的物料经室温真空脱泡15-20分钟；(5)在50-150度温度下对脱泡后的物料进行硫化成型，得到高粘结性LED封装用有机硅材料。本发明的有机硅材料光学性能和机械力学性能好，拉伸强度高，粘接力好。
【专利说明】
高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺
技术领域
[0001]本发明涉及有机硅材料，尤其是涉及高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工
-H-
O
【背景技术】
[0002]目前人类在照明领域所消耗的能源十分巨大，研制新的、更具有节能效果的照明器具对于世界具有重要意义。LED技术是目前最有发展前景的高技术领域之一，其中白光LED已经被广泛应用于照明、车灯、液晶电脑背光光源、手机和电视等等。LED灯具有能耗小、寿命长、无污染等一系列优点，对于满足人类在节能环保方面的需求以及缓解能源及环境危机十分有益。封装材料对于LED灯至关重要，因为封装材料的品质会影响到包括封装、组配以及装置的可靠性和使用寿命等等。目前，用于LED封装多是一些热塑性树脂如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、光学尼龙和热固性环氧树脂等。然而，随着LED亮度的提高和功率的加大，这些材料因耐热性不好，易产生色变，导致光衰，以至严重影响LED的使用性能，并大大缩减产品的使用寿命。因此，需要寻求新的替代材料。有机硅材料因具有良好的耐热性、耐候性、抗潮性、耐冷热冲击性等，受到研究者的青睐。但由于技术水平的限制，目前国内使用的LED封装用有机硅材料主要靠进口，价格昂贵，这严重制约了 LED产业的发展。
【发明内容】
[0003]本发明针对现有技术的不足，提供尚粘结性LED封装用有机娃材料的制备工艺，该方法制备的有机硅材料光学性能和机械力学性能好，拉伸强度高，粘接力好。
[0004]本发明技术方案如下:高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺，所述方法包括如下步骤:
[0005](I)将正硅酸乙酯、乙烯基苯基硅树脂、乙烯基聚硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷、经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅加入密炼机，密炼1-2小时；
[0006](2)在氮气气氛中加入铂络合物，再密炼10-15分钟；
[0007](3)加入延迟剂炔醇化合物，继续密炼10-15分钟；
[0008](4)对密炼后的物料经室温真空脱泡15-20分钟；
[0009](5)在50-150度温度下对脱泡后的物料进行硫化成型，得到高粘结性LED封装用有机硅材料。
[0010]进一步地，所述纳米二氧化娃的粒径范围为10-15nm，所述娃烧偶联剂是指含环氧基的烷氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基的烷氧基硅烷中的一种或几种混合物，所述铂络合物为氯铂酸、H2PtClj^异丙醇溶液、H2PtClj^四氢呋喃溶液、甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络合物，所述炔醇化合物为甲基戊炔醇、乙炔基环己醇或甲基戊炔醇，所述正硅酸乙酯、乙烯基苯基娃树脂、乙稀基聚娃氧烧、四甲基一■乙稀基一■娃氧烧、纳米一■氧化娃、销络合物和块醇化合物的添加量分别为25-30份、35-38份、15-20份、13-18份、3-5份、2-3份、1-3份。
[0011]本发明的有益效果在于:本发明制备方法工艺简单，制得的LED封装用有机硅材料光学性能和机械力学性能好，拉伸强度高，粘接力好。
【具体实施方式】
[0012]实施例1:
[0013]尚粘结性LED封装用有机娃材料的制备工艺，通过如下步骤完成:
[0014](I)将正硅酸乙酯25份、乙烯基苯基硅树脂35份、乙烯基聚硅氧烷15份、四甲基二乙烯基二硅氧烷13份、经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅3份加入密炼机，密炼I小时；
[0015](2)在氮气气氛中加入铂络合物2份，再密炼10分钟；
[0016](3)加入延迟剂炔醇化合物I份，继续密炼10分钟；
[0017](4)对密炼后的物料经室温真空脱泡15分钟；
[0018](5)在50度温度下对脱泡后的物料进行硫化成型，得到高粘结性LED封装用有机娃材料。
[0019]实施例2:
[0020]尚粘结性LED封装用有机娃材料的制备工艺，通过如下步骤完成:
[0021](I)将正硅酸乙酯30份、乙烯基苯基硅树脂38份、乙烯基聚硅氧烷20份、四甲基二乙烯基二硅氧烷18份、经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅5份加入密炼机，密炼2小时；
[0022](2)在氮气气氛中加入铂络合物3份，再密炼15分钟；
[0023](3)加入延迟剂炔醇化合物3份，继续密炼15分钟；
[0024](4)对密炼后的物料经室温真空脱泡20分钟；
[0025](5)在150度温度下对脱泡后的物料进行硫化成型，得到高粘结性LED封装用有机娃材料。
[0026]经检验，本发明实施例1和实施例2所制得的LED封装用有机硅材料光学性能和机械力学性能好，拉伸强度高，粘接力好。
【主权项】
1.高粘结性LED封装用有机娃材料的制备工艺，其特征在于:所述方法包括如下步骤: (1)将正硅酸乙酯、乙烯基苯基硅树脂、乙烯基聚硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷、经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅加入密炼机，密炼1-2小时； (2)在氮气气氛中加入铂络合物，再密炼10-15分钟； (3)加入延迟剂炔醇化合物，继续密炼10-15分钟； (4)对密炼后的物料经室温真空脱泡15-20分钟； (5)在50-150度温度下对脱泡后的物料进行硫化成型，得到高粘结性LED封装用有机娃材料。2.根据权利要求1所述的高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺，其特征在于:所述纳米二氧化娃的粒径范围为10-15nm。3.根据权利要求1所述的高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺，其特征在于:所述硅烷偶联剂是指含环氧基的烷氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基的烷氧基硅烷中的一种或几种混合物。4.根据权利要求1所述的高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺，其特征在于:所述铂络合物为氯铂酸、H2PtClj^异丙醇溶液、H2PtClj^四氢呋喃溶液、甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络合物。5.根据权利要求1所述的高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺，其特征在于:所述炔醇化合物为甲基戊炔醇、乙炔基环己醇或甲基戊炔醇。6.根据权利要求1所述的高粘结性LED封装用有机硅材料的制备工艺，其特征在于:所述正娃酸乙酷、乙稀基苯基娃树脂、乙稀基聚娃氧烧、四甲基一■乙稀基一■娃氧烧、纳米一-氧化硅、铂络合物和炔醇化合物的添加量分别为25-30份、35-38份、15-20份、13-18份、3-5份、2-3份、1-3份。
【文档编号】H01L33/56GK106065316SQ201410658910
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2014年11月17日 公开号201410658910.9, CN 106065316 A, CN 106065316A, CN 201410658910, CN-A-106065316, CN106065316 A, CN106065316A, CN201410658910, CN201410658910.9
【发明人】李庆方
【申请人】西安烨森电子科技有限责任公司