一种真空中频感应烧结炉排风口上盖的制作方法

文档序号:9562776阅读:374来源:国知局
一种真空中频感应烧结炉排风口上盖的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种排风口上盖,更确切地说,是一种真空中频感应烧结炉排风口上至
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【背景技术】
[0002]真空中频感应烧结炉是一种在工业生产上使用比较普遍的工业设备,具有较为广阔的应用前景。但是,目前普遍使用的真空中频感应烧结炉的排风口上盖容易进水。

【发明内容】

[0003]本发明主要是解决现有技术所存在的技术问题,从而提供一种不易进水的真空中频感应烧结炉排风口上盖。
[0004]本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种真空中频感应烧结炉排风口上盖,包含一上盖本体,在所述的上盖本体的两侧面设有横向格栅,在所述的上盖本体的前面和后面设有纵向格栅,在所述的上盖本体的顶部设有第一排风口和第二排风口。
[0005]作为本发明较佳的实施例,所述的上盖本体由金属制成。
[0006]作为本发明较佳的实施例,所述的上盖本体的表面镀由一层锌。
[0007]由于本发明的真空中频感应烧结炉排风口上盖在盖体的侧面设置了横向格栅和一对纵向格栅,在上盖本体的顶部还设置两个排放口,该盖体整体由金属制成,在盖体的表面还镀由一层锌可以防止盖体的锈蚀,同时盖体的设计最大限度减小了雨水的进入,从而大大提高了真空中频感应烧结炉排风口上盖的防水性。
[0008]
【附图说明】
[0009]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1为本发明的真空中频感应烧结炉排风口上盖的立体结构示意图;
图2为图1中的真空中频感应烧结炉排风口上盖的立体结构示意图,此时为另一视角。
[0011]
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0013]本发明提供了一种不易进水的真空中频感应烧结炉排风口上盖。
[0014]如图1、图2所示,一种真空中频感应烧结炉排风口上盖1,包含一上盖本体2,在所述的上盖本体2的两侧面设有横向格栅3,在所述的上盖本体2的前面和后面设有纵向格栅4,在所述的上盖本体2的顶部设有第一排风口 51和第二排风口 52。
[0015]如图1、图2所示,所述的上盖本体2由金属制成。
[0016]如图1、图2所示,所述的上盖本体2的表面镀由一层锌。
[0017]该发明的真空中频感应烧结炉排风口上盖在盖体的侧面设置了横向格栅和一对纵向格栅,在上盖本体的顶部还设置两个排放口,该盖体整体由金属制成,在盖体的表面还镀由一层锌可以防止盖体的锈蚀,同时盖体的设计最大限度减小了雨水的进入,从而大大提高了真空中频感应烧结炉排风口上盖的防水性。
[0018]以上仅仅以一个实施方式来说明本发明的设计思路,在系统允许的情况下,本发明可以扩展为同时外接更多的功能模块,从而最大限度扩展其功能。
[0019]以上所述,仅为本发明的【具体实施方式】,但本发明的保护范围并不局限于此,任何不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种真空中频感应烧结炉排风口上盖(1),包含一上盖本体(2),其特征在于,在所述的上盖本体(2)的两侧面设有横向格栅(3),在所述的上盖本体(2)的前面和后面设有纵向格栅(4),在所述的上盖本体(2)的顶部设有第一排风口(51)和第二排风口(52)。2.根据权利要求1所述的真空中频感应烧结炉排风口上盖,其特征在于,所述的上盖本体(2)由金属制成。3.根据权利要求2所述的真空中频感应烧结炉排风口上盖,其特征在于,所述的上盖本体(2)的表面镀由一层锌。
【专利摘要】本发明公开了一种真空中频感应烧结炉排风口上盖,包含一上盖本体,在所述的上盖本体的两侧面设有横向格栅,在所述的上盖本体的前面和后面设有纵向格栅,在所述的上盖本体的顶部设有第一排风口和第二排风口,所述的上盖本体由金属制成,所述的上盖本体的表面镀由一层锌。由于本发明的真空中频感应烧结炉排风口上盖在盖体的侧面设置了横向格栅和一对纵向格栅,在上盖本体的顶部还设置两个排放口,该盖体整体由金属制成,在盖体的表面还镀由一层锌可以防止盖体的锈蚀,同时盖体的设计最大限度减小了雨水的进入,从而大大提高了真空中频感应烧结炉排风口上盖的防水性。
【IPC分类】F27D1/18
【公开号】CN105318722
【申请号】CN201510813593
【发明人】王琳
【申请人】王琳
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2015年11月23日
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