微流控芯片等离子清洗机的制作方法

本申请涉及一种等离子清洗机，特别是涉及一种用于微流控芯片表面处理的等离子清洗机。

背景技术：

等离子体是物质的一种状态，也叫做物质的第四态，并不属于常见的固液气三态。对气体施加足够的能量使之离化便成为等离子状态。等离子体的"活性"组分包括:离子、电子、原子、活性基团、激发态的核素(亚稳态)、光子等。等离子清洁机就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁、涂覆等目的。

等离子清洗机用于微流控芯片领域时，就是利用了等离子体处理后的芯片表面的特性发生改变，对芯片表面处理后，可用于芯片键合、芯片表面浸润性改变。但是现有的等离子清洗机的真空度、处理强度等参数需要进行多次手动调节清洗气体进出，以达到所需的真空度，另外，由于气体的不断进入，导致处理的芯片表面不稳定。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种微流控芯片表面处理的等离子清洗机，可直接根据需求设置真空度、处理时间、清洗强度等参数，达到对微流控芯片的表面处理的目的。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

本申请实施例公开一种微流控芯片等离子清洗机，包括：

箱体，该箱体具有一清洗工作舱，所述箱体上开设有舱口，该舱口密封有清洗舱门，所述清洗舱门上设置有透明的观察窗口，所述清洗舱门的一端转动连接于所述箱体上；

等离子体发生装置，设置于所述清洗工作舱内；

真空泵，连接于所述清洗工作舱；

控制单元，包括真空度调节档位，该真空度调节档位设置于所述箱体上，所述真空度调节挡板连接于所述真空泵，所述真空度调节档位在一定真空度区间线性可调。

优选的，在上述的微流控芯片等离子清洗机中，所述真空度调节档位的调节范围在0.02～0.05MPa。

优选的，在上述的微流控芯片等离子清洗机中，所述控制单元还包括清洗强度调节档位，该清洗强度调节档位设置于所述箱体上，所述清洗强度调节档位连接于所述等离子体发生装置，所述清洗强度调节档位包括多个档位，每个档位分别对应所述等离子体发生装置的一定工作功率范围。

优选的，在上述的微流控芯片等离子清洗机中，所述控制单元还包括处理时间定时器，该处理时间定时器设置于所述箱体上，所述处理时间定时器连接于所述等离子体发生装置。

优选的，在上述的微流控芯片等离子清洗机中，所述处理时间定时器的设置范围在30～120s。

优选的，在上述的微流控芯片等离子清洗机中，所述箱体上还设置有清洗开关、清洗暂停开关和总电源开关。

优选的，在上述的微流控芯片等离子清洗机中，所述箱体的背面设置有风扇口、电源线接口和真空泵接气口，所述真空泵连接于所述真空泵接气口。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本新型清洗机处理的微流控芯片表面处理强度高、表面处理成功率高，同时具有操作快速、简单的优点。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本实用新型具体实施例中清洗机正面的立体结构示意图；

图2所示为本实用新型具体实施例中清洗机反面的立体结构示意图。

具体实施方式

本实施例公开了一种等离子清洗机，通过等离子体产生量与微流控芯片表面处理效果的定量关系设置了清洗强度调节档位，同时设置了真空度调节档位便于快速设置真空度，用于微流控芯片表面处理。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

结合图1和图2所示，微流控芯片等离子清洗机包括箱体1、等离子体发生装置、真空泵和控制单元。

箱体1具有一清洗工作舱2，箱体1上开设有舱口，该舱口密封有清洗舱门3，清洗舱门3上设置有透明的观察窗口4，清洗舱门3的一端转动连接于箱体1上。等离子体发生装置设置于清洗工作舱2内。真空泵连接于清洗工作舱2。控制单元包括真空度调节档位5，该真空度调节档位5设置于箱体1上，真空度调节挡板连接于真空泵，真空度调节档位5在一定真空度区间线性可调。

该技术方案中，等离子清洗机用于微流控芯片表面处理，是采用能量转换技术，以气体作为清洗介质，在一定真空负压环境下将电能转换为活性极高的等离子体，在一定条件下使得样品表面特性发生改变，样品表面特性改变包括粘附性、相容性、浸润性。等离子清洗机产生的等离子体通过轻柔刷固体样品表面，引起分子结构的改变，实现对样品表面的改性。真空度调节档位5可直接设置清洗所需真空度。

优选的，真空度调节档位5的调节范围在0.02～0.05MPa。

进一步地，控制单元还包括清洗强度调节档位6，该清洗强度调节档位6设置于箱体1上，清洗强度调节档位6连接于等离子体发生装置，清洗强度调节档位6包括多个档位，每个档位分别对应等离子体发生装置的一定工作功率范围。

该技术方案中，清洗强度调节档位可直接调至最佳档位进行清洗，清洗强度档位由等离子体产生量与表面处理效果的定量关系确定。

在一优选的实施例中，清洗强度档位设置有Ⅰ档、Ⅱ档、Ⅲ档，可满足不同芯片表面处理对强度的需求。

进一步地，控制单元还包括处理时间定时器7，该处理时间定时器7设置于箱体1上，处理时间定时器7连接于等离子体发生装置。

优选的，处理时间定时器的设置范围在30～120s。

该技术方案中，处理时间定时器用以设置等离子体清洗时间。

本案中，真空度、处理时间、清洗强度是根据微流控芯片表面处理效果的经验值。

进一步地，箱体1上还设置有清洗开关8、清洗暂停开关9和总电源开关10。

进一步地，箱体1的背面设置有风扇口11、电源线接口12和真空泵接气口13，真空泵连接于真空泵接气口13。

进一步地，控制单元还包括真空度、处理定时时间、清洗强度的显示装置。

等离子清洗机处理微流控芯片表面的过程如下：

(1)、等离子清洗机放置在稳固的水平操作台上，应保证等离子清洗机处于平稳状态；仪器使用前检查确保所有连接处不漏气；清洗样品前，进行10～15min不放置样品的空清洗，保证清洗舱的超净。

(2)、打开总电源开关，仪器预热5-15min，检查各处连接是否正确；

(3)、将微流控芯片有序放入清洗工作舱，不能重叠放置，物件之间保持一定的间隙，关好舱门；

(4)、开启真空泵，设置真空度调节档位至300～500pa，相应的设置处理时间6s；

(5)、开启清洗开关，设置清洗强度档位，此时通过清洗舱门可观察到有彩色辉光出现，表明等离子体产生。

(6)、当处理时间归零后，仪器通过真空泵接气口自动排气减压，打开舱门，处理结束。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。