一种半导体废料除胶方法及装置与流程

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种半导体废料除胶方法及装置。

背景技术：

在光伏产品制造过程中，会产生一些半导体废料，这些半导体废料经过清洗处理后，可以回收再利用。

但是，有的半导体废料的表面会粘附或涂覆有胶体，这些胶体采用常规的氢氟酸、硝酸、氢氧化钠等无法清洗去除。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种半导体废料除胶方法及装置，以方便的去除半导体废料的表面的胶体。

第一方面，本发明提供一种半导体废料除胶方法。该半导体废料除胶方法包括：

将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中。利用质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化半导体废料的表面的胶体，使得碳化后的胶体溶解在质量浓度大于或等于70％的硫酸中，获得除胶后的半导体废料。

采用上述技术方案时，表面带有胶体的半导体废料浸泡在质量浓度大于或等于70％的硫酸中，在该浸泡过程中，质量浓度大于或等于70％的硫酸持续碳化半导体废料表面的胶体，直至半导体废料表面的胶体碳化程度大于设定值。此时，胶体碳化后生成碳从半导体废料的表面脱离，溶解于质量浓度大于或等于70％的硫酸中，从而获得除胶后的半导体废料。由此可见，本发明提供的半导体废料除胶方法，能够利用质量浓度大于或等于70％的硫酸去除半导体废料的表面的胶体，从而便于回收利用表面带有胶体的半导体废料，提高材料利用率，节约资源。

在一些可能的实现方式中，上述半导体废料为硅废料、锗废料、砷化镓废料中一种或多种。

在一些可能的实现方式中，获得除胶后的半导体废料后，上述半导体废料除胶方法还包括：

从质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出半导体废料；排放质量浓度大于或等于70％的硫酸。

采用上述技术方案时，将半导体废料从质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出来，便于进一步对半导体废料进行后续的清洗等处理。

在一些可能的实现方式中，获得除胶后的半导体废料前，上述半导体废料除胶方法还包括：加热质量浓度大于或等于70％的硫酸。

采用上述技术方案时，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸，可以加速质量浓度大于或等于70％的硫酸与半导体废料的表面的胶体反应，加速半导体废料的表面的胶体碳化溶解，从而提高半导体废料除胶效率。

在一些可能的实现方式中，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度大于或等于50℃，且小于或等于质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度。

采用上述技术方案时，在50℃以上且质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度以下的范围内加热质量浓度大于或等于70％的硫酸，可以获得较快的碳化半导体废料的表面的胶体的速率，同时确保质量浓度大于或等于70％的硫酸的质量浓度稳定。

在一些可能的实现方式中，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的时间大于或等于20min。此时，可以确保质量浓度大于或等于70％的硫酸与半导体废料的表面的胶体能够充分反应，从而可以确保胶体的去除效果。

第二方面，本发明提供一种半导体废料除胶装置。该半导体废料除胶装置包括反应容器和检测组件。该反应容器用于容纳质量浓度大于或等于70％的硫酸，并用于在质量浓度大于或等于70％的硫酸中浸泡表面带有胶体的半导体废料。该检测组件用于检测半导体废料的表面的胶体碳化程度，当半导体废料的表面的胶体碳化程度大于设定值时，检测组件还用于确定获得除胶后的半导体废料。

第二方面所提供的半导体废料除胶装置的有益效果可以参考第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的半导体废料除胶方法的有益效果。另外，半导体废料除胶装置包括检测组件。利用检测组件能够检测半导体废料的表面的胶体碳化程度，便于对半导体废料的除胶过程进行调控，从而提高半导体废料除胶效率。

在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括盖结构。该盖结构可拆卸的设在反应容器上。此时，在反应容器上设置盖结构，可以使反应容器成为封闭容器。当反应容器中容纳有质量浓度大于或等于70％的硫酸时，在反应容器上设置盖结构，可以保证质量浓度大于或等于70％的硫酸处于封闭容器中，避免质量浓度大于或等于70％的硫酸挥发，从而提高半导体废料除胶效率。此外，设置盖结构，还可以避免挥发的质量浓度大于或等于70％的硫酸伤害工作人员。

在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括加热套。反应容器设在加热套内。加热套用于加热质量浓度大于或等于70％的硫酸，使得反应容器内所容纳的质量浓度大于或等于70％的硫酸在较高温度下可以比较快的碳化半导体废料表面的胶体，从而提高半导体废料除胶效率。

在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括壳体。加热套设在壳体内。此时，壳体起到支撑加热套和反应容器的作用。

在一些可能的实现方式中，上述半导体废料除胶装置还包括排放管件和排放阀。排放管件安装在反应容器上，排放管件穿过加热套从壳体伸出。排放阀设在排放管件上。此时，排放管件和排放阀组合实现排放质量浓度大于或等于70％的硫酸的目的。

在一些可能的实现方式中，上述检测组件包括温度传感器、计时器及与温度传感器和计时器电连接的控制器。该温度传感器用于检测质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度。该计时器用于测定表面带有胶体的半导体废料在质量浓度大于或等于70％的硫酸内的浸泡时间。该控制器用于根据浸泡时间和质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度确定半导体废料的表面的胶体碳化程度。

采用上述技术方案时，利用温度传感器、计时器及控制器，能够实时确定半导体废料的表面的胶体碳化程度，从而判断除胶程度，便于对半导体废料的除胶过程进行调控，提高工作效率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为半导体废料除胶方法流程示意图一；

图2为半导体废料除胶方法流程示意图二；

图3为半导体废料除胶装置结构示意图。

附图标记：

10-反应容器，20-检测组件，21-温度传感器，22-计时器，23-控制器，30-加热套，40-壳体，50-盖板，51-把手，61-排放管件，62-排放阀。

具体实施方式

为了便于清楚描述本发明实施例的技术方案，在本发明的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。

需要说明的是，本发明中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本发明中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。

本发明中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b的情况，其中a，b可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b的结合，a和c的结合，b和c的结合，或a、b和c的结合，其中a，b，c可以是单个，也可以是多个。

在光伏产品制造过程中，一般先利用高纯度半导体材料制成晶棒，将晶棒切片形成晶片，然后利用晶片制成光伏电池片等光伏产品。在此过程中，会产生晶棒废料、晶片废料等。这些半导体废料经过清洗工艺去除表面的脏污，可以回收再利用。

在光伏产品制造过程中，部分晶棒、晶片会在表面涂覆胶体，使其与工件固定，以便于加工处理；还有部分晶棒、晶片在高温放置或运输过程中会粘附胶体。这些表面粘附或涂覆有胶体的晶棒、晶片所产生的半导体废料，其表面也会带有胶体。此类胶体采用常规的清洗工艺无法去除。

相关技术中，对于表面带有胶体的半导体废料，有的废弃处理，有的直接用于多晶提纯及多晶铸锭。当废弃处理表面带有胶体的半导体废料时，降低了半导体材料回收率和利用率，会造成半导体材料浪费。当表面带有胶体的半导体废料直接应用于多晶提纯及多晶铸锭时，由于半导体废料高温溶解提纯的过程中胶体也随之熔化，释放出碳化物，导致提纯后的半导体材料含碳量较高，电性能较差。

为了解决半导体废料的表面的胶体难以去除的问题，本发明实施例提供一种半导体废料除胶方法。该半导体废料除胶方法应用于表面带有胶体的半导体废料的回收利用。如图1和图2所示，本发明实施例提供的半导体废料除胶方法包括：

步骤110：将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中。利用质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化半导体废料的表面的胶体，使得碳化后的胶体溶解在质量浓度大于或等于70％的硫酸中，获得除胶后的半导体废料。

具体实施时，可以先向反应容器中加入除胶用的质量浓度大于或等于70％的硫酸，然后将表面带有胶体的半导体废料加入该质量浓度大于或等于70％的硫酸中。当然，也可以先向反应容器中加入表面带有胶体的半导体废料，然后加入质量浓度大于或等于70％的硫酸没过该表面带有胶体的半导体废料。除此之外，还可以向反应容器中同时加入表面带有胶体的半导体废料和质量浓度大于或等于70％的硫酸。无论表面带有胶体的半导体废料与质量浓度大于或等于70％的硫酸以何种方式添加，只要确保表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中即可。

在该浸泡过程中，质量浓度大于或等于70％的硫酸持续碳化半导体废料的表面的胶体，直至半导体废料表面的胶体碳化程度大于设定值。此时，胶体碳化后生成碳从半导体废料的表面脱离，溶解于质量浓度大于或等于70％的硫酸中，从而获得除胶后的半导体废料。由此可见，本发明实施例提供的半导体废料除胶方法，能够利用质量浓度大于或等于70％的硫酸去除半导体废料的表面的胶体，从而便于回收利用表面带有胶体的半导体废料，提高材料利用率，节约资源。

应理解，上述半导体废料表面的胶体碳化程度是指半导体废料表面被碳化的胶体的占比。在实际应用中，上述设定值可以根据生产需要进行设计，例如，该设定值可以为90％、92％、95％、98％、99％、99.9％等。

需要说明的是，质量浓度大于或等于70％的硫酸(浓硫酸)具有较强的脱水能力，将胶体中的氢原子和氧原子按2:1的比例抽取出来合成水，从而使胶体碳化。质量浓度大于或等于70％的硫酸以碳化的方式彻底破坏胶体分子结构，从而去除半导体废料的表面的胶体，而非不破坏分子结构的溶解胶体或氧化胶体。这种除胶方式属于不可逆的化学反应，可以避免除胶工艺的逆向反应，从而确保半导体废料的除胶效果。

此外，碳化后的胶体溶解在质量浓度大于或等于70％的硫酸，脱离半导体废料表面。当经过除胶处理的半导体废料用于多晶提纯或单晶提纯时，相比于未经过除胶处理的半导体废料直接用于多晶提纯，前者获得的提纯后的半导体材料含碳量大大降低，能够确保半导体材料良好的电性能，从而保证光伏产品具有良好的性能。

上述半导体废料在质量浓度大于或等于70％的硫酸内具有化学稳定性。此时，半导体废料的表面的胶体与质量浓度大于或等于70％的硫酸发生碳化反应，而半导体废料与质量浓度大于或等于70％的硫酸不发生反应。该半导体废料为硅废料、锗废料、砷化镓废料中一种或多种，但不仅限于此。

本领域技术人员可以理解的是，利用碳化反应处理目标物质时，容易造成与目标物质接触的非目标物质碳化，从而破坏非目标物质。鉴于此，一般不选择碳化反应进行去除、清理等工艺。但是，本发明实施例结合半导体废料在质量浓度大于或等于70％的硫酸内具有化学稳定性这一特性，利用质量浓度大于或等于70％的硫酸与胶体发生碳化反应，保证质量浓度大于或等于70％的硫酸彻底去除半导体废料的表面的胶体的同时，避免质量浓度大于或等于70％的硫酸破坏半导体废料的分子结构。在此基础上，所获得的半导体废料可以在碳含量极低甚至没有的情况下，用于半导体废料提纯、晶棒制作。

为了增加胶体与质量浓度大于或等于70％的硫酸的接触面积，提高半导体废料除胶效率，半导体废料的最大粒径可以小于或等于10cm。当然也可以根据实际情况将半导体废料破碎成利于除胶的形状和大小。

至于上述质量浓度大于或等于70％的硫酸，在实际应用中，硫酸的质量浓度可以为70％、80％、95％或98％等。

表面带有胶体的半导体废料与质量浓度大于或等于70％的硫酸发生碳化反应的反应容器可以为敞口容器，也可以为封闭容器。

当表面带有胶体的半导体废料与质量浓度大于或等于70％的硫酸发生碳化反应的反应容器为封闭容器时，也就是将表面带有胶体的半导体废料浸泡于位于封闭容器的质量浓度大于或等于70％的硫酸中。此时，质量浓度大于或等于70％的硫酸处于封闭容器中，可以有效减少硫酸挥发，降低硫酸因挥发造成的损失，从而提高质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化胶体的效率。此外，当质量浓度大于或等于70％的硫酸位于封闭容器时，还可以抑制硫酸吸收空气中的水，避免硫酸质量浓度降低，从而保证除胶效率。

上述封闭容器可以看作一种广义意义上的封闭容器。该封闭容器能阻挡质量浓度大于或等于70％的硫酸大量逸散，同时可以允许较小的内外气流流动。这种情况下，可以避免封闭容器完全密封状态下，因为质量浓度大于或等于70％的硫酸挥发产生大量烟雾，封闭容器内气压过大引发的安全事故。

上述封闭容器可以为一体式结构，也可以为分体结构。当封闭容器为一体式结构时，封闭容器上设置有进料口和出料口。此时，利用进料口向封闭容器中加入质量浓度大于或等于70％的硫酸和表面带有胶体的半导体废料，从而完成半导体废料除胶工艺。当封闭容器为分体结构时，封闭容器设有开口及盖合该开口的盖结构，利用盖结构可以实现封闭容器的开放和封闭。此时，可以从开口向封闭容器内加入质量浓度大于或等于70％的硫酸和表面带有胶体的半导体废料，从而完成半导体废料除胶工艺。

为了提高半导体废料的除胶效率，上述半导体废料除胶方法还包括：加热质量浓度大于或等于70％的硫酸。此时，可以加速质量浓度大于或等于70％的硫酸与半导体废料的表面的胶体反应，加速半导体废料的表面的胶体碳化溶解，从而提高半导体废料除胶效率。

在实际应用中，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度大于或等于50℃，且小于或等于质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度。加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的时间大于或等于20min。此时，在50℃以上、质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度以下的范围内加热质量浓度大于或等于70％的硫酸，可以获得较快的碳化半导体废料的表面的胶体的速率，同时确保质量浓度大于或等于70％的硫酸的质量浓度稳定。加热20min以上，可以确保质量浓度大于或等于70％的硫酸与半导体废料的表面的胶体能够充分反应，从而可以确保胶体的去除效果。

在一种示例中，如图1所示，将表面带有胶体的半导体废料浸泡于用于碳化胶体的质量浓度大于或等于70％的硫酸中前，上述半导体废料除胶方法包括：

步骤110-a：加热质量浓度大于或等于70％的硫酸。加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度等于80℃，加热时间等于20min。随后，将表面带有胶体的半导体废料浸泡于加热后的质量浓度大于或等于70％的硫酸中。此时，可以停止加热，也可以持续加热质量浓度大于或等于70％的硫酸。

在另一种示例中，如图2所示，将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中后，利用质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化半导体废料的表面的胶体前，上述半导体废料除胶方法包括：

步骤110-b：加热质量浓度大于或等于70％的硫酸。加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度等于50℃，加热时间等于40min。当然，加热质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度还可以为60℃，此时，加热时间等于30min。

作为一种可能的实现方式，如图1和图2所示，获得除胶后的半导体废料后，上述半导体废料除胶方法还包括：

步骤120：从质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出半导体废料。在实际应用中，可以采用打捞的方式将除胶后的半导体废料从质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出来，然后用水冲洗干净备用。

步骤130：排放质量浓度大于或等于70％的硫酸。此时，可以向反应容器内加入新的质量浓度大于或等于70％的硫酸，处理下一批次表面带有胶体的半导体废料。

在实际应用中，可以根据质量浓度大于或等于70％的硫酸中溶解的胶体量确定是否排放质量浓度大于或等于70％的硫酸。例如，当质量浓度大于或等于70％的硫酸中溶解的胶体饱和时，排放质量浓度大于或等于70％的硫酸。具体的，检测质量浓度大于或等于70％的硫酸的各组分的含量，当硫酸中的碳含量大于预设阈值时，排放硫酸。

本发明实施例还提供一种半导体废料除胶装置。如图3所示，该半导体废料除胶装置包括反应容器10和检测组件20。

上述反应容器10可以为石英容器或陶瓷容器等耐腐蚀反应容器。例如：反应容器10可以采用石英坩埚、陶瓷坩埚等。该反应容器10用于容纳质量浓度大于或等于70％的硫酸，并用于在质量浓度大于或等于70％的硫酸中浸泡表面带有胶体的半导体废料。检测组件20用于检测半导体废料的表面的胶体碳化程度，当半导体废料的表面的胶体碳化程度大于设定值时，检测组件还用于确定获得除胶后的半导体废料。

在实际应用中，可以将质量浓度大于或等于70％的硫酸加入反应容器10内，并将表面带有胶体的半导体废料浸泡在质量浓度大于或等于70％的硫酸中。此时，质量浓度大于或等于70％的硫酸可以碳化半导体废料的表面的胶体。在这个过程中，检测组件20可以检测半导体废料的表面的胶体碳化程度。当检测组件20检测到半导体废料的表面的胶体碳化程度大于设定值时，获得除胶后的半导体废料。

本发明实施例提供的半导体废料除胶装置的有益效果可以参考上述半导体废料除胶方法的有益效果。此外，半导体废料除胶装置包括检测组件20。利用检测组件20能够检测半导体废料的表面的胶体碳化程度，便于对半导体废料的除胶过程进行调控，从而提高半导体废料除胶效率。

作为一种可能的实现方式，如图3所示，上述半导体废料除胶装置还包括加热套30。反应容器10设在加热套30内，使得加热套30包裹反应容器10。该加热套30用于加热反应容器10内的质量浓度大于或等于70％的硫酸。该加热套30可以为电加热，也可以为感应加热，且不仅限于此。

当反应容器10中容纳有质量浓度大于或等于70％的硫酸时，控制加热套30处于加热状态，加热套30加热反应容器10内的质量浓度大于或等于70％的硫酸，达到加速质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化反应，提高半导体废料除胶效率的目的。

在一种可选方式中，如图3所示，上述检测组件20可以包括温度传感器21、计时器22及与温度传感器21和计时器22电连接的控制器23。温度传感器21用于检测质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度。计时器22用于测定表面带有胶体的半导体废料在质量浓度大于或等于70％的硫酸内的浸泡时间。控制器23用于根据浸泡时间和质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度确定半导体废料的表面的胶体碳化程度。利用温度传感器21、计时器22及控制器23，能够实时确定半导体废料的表面的胶体碳化程度，从而判断除胶程度，便于对半导体废料的除胶过程进行调控，提高工作效率。

可以理解的是，由于质量浓度大于或等于70％的硫酸腐蚀性强，容易损伤温度传感器21，因此，可以利用温度传感器21检测反应容器10的温度，以表征质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度。

当质量浓度大于或等于70％的硫酸在加热状态下碳化胶体时，温度传感器21检测反应容器10内加热的质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度，计时器22测定加热时间，控制器23根据质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度和加热时间确定半导体废料的表面的胶体碳化程度。

当质量浓度大于或等于70％的硫酸在常温状态下碳化胶体时，温度传感器21检测反应容器10内的质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度，计时器22测定表面带有胶体的半导体废料在质量浓度大于或等于70％的硫酸中的浸泡时间，控制器23根据质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度和浸泡时间确定半导体废料的表面的胶体碳化程度。

需要说明的是，如图3所示，上述半导体废料除胶装置还可以包括壳体40。加热套30设在壳体40内。此时，壳体40作为整个半导体废料除胶装置的框架，起到支撑和固定加热套30和反应容器10。示例性的，壳体40采用金属材料制作，壳体40壁厚大于等于3mm，以提高机械性能。

为了方便排液，如图3所示，上述半导体废料除胶装置还包括排放管件61和排放阀62。排放管件61安装在反应容器10上，排放管件61穿过加热套30从壳体40伸出。排放阀62设在排放管件61上。

当半导体废料除胶工艺完成，且质量浓度大于或等于70％的硫酸中溶解的胶体量饱和时，控制排放阀62处于打开状态，反应容器10中的质量浓度大于或等于70％的硫酸从排放管件61中排出。

示例性的，排放管件61与排放阀62均为石英材料制成，可以防止质量浓度大于或等于70％的硫酸腐蚀。排放管件61安装在反应容器10的底部，排放管件61穿过加热套30从壳体40伸出。排放阀62为电磁控制阀，设在排放管件61伸出壳体40的部分。

为了防止反应容器10内的质量浓度大于或等于70％的硫酸挥发，如图3所示，上述半导体废料除胶装置还包括盖结构。该盖结构可拆卸的设在反应容器10上。此时，在反应容器10上设置盖结构，可以使反应容器10成为封闭容器。当反应容器10中容纳有质量浓度大于或等于70％的硫酸时，在反应容器10上设置盖结构，可以保证质量浓度大于或等于70％的硫酸处于封闭容器中，避免质量浓度大于或等于70％的硫酸挥发，从而提高半导体废料除胶效率。此外，设置盖结构，还可以避免挥发的质量浓度大于或等于70％的硫酸伤害工作人员。

具体实施时，打开反应容器10上的盖结构，向反应容器10内加入带有胶体的半导体废料和质量浓度大于或等于70％的硫酸，进行半导体废料除胶工艺。

示例性的，盖结构为盖板50。盖板50可以活动连接在反应容器10上，也可以独立设置。盖板50还设有把手51，以便于开合盖板50。应理解，盖板50采用非金属、耐高温材料制作，且壁厚大于等于3mm，以避免质量浓度大于或等于70％的硫酸腐蚀和高温变形。

当反应容器10为石英坩埚，半导体废料为硅废料，质量浓度大于或等于70％的硫酸为质量浓度80％的硫酸时，应用上述半导体废料除胶装置进行半导体废料除胶工艺。如图2、图3所示，具体步骤如下：

步骤210：将收集的表面带有胶体的硅废料加入石英坩埚中。硅废料的装入量小于或等于石英坩埚容积的1/2。加入硅废料时轻拿轻放，避免造成石英坩埚破损。

步骤220：将质量浓度93％的硫酸加入石英坩埚中，使得硫酸没过硅废料，并且硫酸装入量小于或等于石英坩埚容积的2/3。

步骤230：在石英坩埚上盖上盖板50。

步骤240：控制加热套30处于加热状态，通过石英坩埚对石英坩埚内的硅废料和硫酸加热，加速硫酸与硅废料表面的胶体反应，加速胶体的碳化溶解。当温度传感器21检测到硫酸的温度大于或等于50℃，且计时器22测定加热时间大于或等于20min时，控制器23确定硅废料的表面的胶体的碳化程度大于设定值，控制加热套30处于停止加热状态。

步骤250：通过盖板50的把手51将盖板50从石英坩埚上移开，然后将硅废料从硫酸中捞出，放入水中漂洗，将硅废料表面残留的硫酸漂洗干净。

步骤260：检测硫酸中的碳含量。当硫酸中的碳含量大于预设阈值时，放置冷却硫酸。待石英坩埚内的硫酸降温至20℃以下，打开排放阀62，石英坩埚内的硫酸通过排放管件61排出。排放结束后，关闭排放阀62，重复上述步骤，处理下一批次半导体废料。当硫酸中的碳含量小于或等于预设阈值时，无需加入新的硫酸，处理下一批次半导体废料。

尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。

尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。