>[0051] In203+3C0C12- 2InCl3+3C02
[0052] 其他含有金属的沉积物也反应形成金属卤化物；由于金属对氧的强亲和力，所以 在除去最困难的沉积物的例子中得到氧化物。
[0053] -旦形成金属卤化物，必须将它从反应室中除去。这样做的一种方法是降低室内 的压力以使卤化物松动，以便从反应室中除去。可以单独使用或与降低室压力组合使用的 另一种选择是将室加热至足以使卤化物蒸发或升华的温度。表1列出一些典型的反应产物 和它们的沸点。
[0054]
【主权项】
1. 一种从化学反应室的内表面或从所述化学反应室内的基板清洁反应产物沉淀的方 法，所述方法包括以下步骤： 将所述反应室加热到高温； 将腐蚀剂气体引入所述反应室中，所述腐蚀剂气体具有通式AO111Xn，其中： A选自由C、N和S组成的组； 〇是氧； X是卤素；并且 下标m和n大于零； 在所述引入之前或之后使所述腐蚀剂气体活化； 允许在所述腐蚀剂气体与所述反应产物沉积物之间进行腐蚀反应以除去所述反应产 物沉积物而在所述反应室内无明显的腐蚀反应产物再沉积；并且 与所述腐蚀反应的基本上所有产物一起排出所述腐蚀剂气体。
2. 根据权利要求1所述的方法，包括另一步骤：在所述引入所述室之前产生所述腐蚀 剂气体。
3. 根据权利要求1所述的方法，包括另一步骤：在将所述腐蚀剂气体所述引入所述室 之前，使载气鼓泡通过液体化学组分以使所述液体化学组分挥发至所述腐蚀剂中。
4. 根据权利要求2所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由使载气鼓泡通过多种液体 化学组分，然后合并所述所得气体来产生的。
5. 根据权利要求2所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由混合两种或更多种化学组 分气体而产生的。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之前， 将所述腐蚀剂气体暴露于气体活化室中的活化机制而活化；所述气体活化机制选自由加 热、紫外光以及等离子体放电组成的组。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之后， 将所述腐蚀剂气体暴露于热活化机制而活化；所述热活化机制选自由所述反应室内的整体 温度和所述反应室内的局部热源组成的组。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体进一步含有通式RX的添加剂，其 中： R选自由H和Me组成的组；并且 X选自由F、Cl、&和I组成的组。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中所述腐蚀剂气体还含有卤素气体添加剂。
10. -种从化学反应室的内表面或从所述化学反应室内的基板清洁反应产物沉积物的 方法，所述方法包括以下步骤： 将所述反应室加热到高温； 将腐蚀剂气体引入所述反应室中，所述腐蚀剂气体具有通式AO111XnY p，其中： A选自由C、N和S组成的组； 〇是氧； X和Y是不同卤素；并且 下标m、n和p大于零； 在所述引入之前或之后使所述腐蚀剂气体活化； 允许在所述腐蚀剂气体与所述反应产物沉积物之间进行腐蚀反应以除去所述反应产 物沉积物而在所述反应室内无明显的腐蚀反应产物再沉积；并且 与所述腐蚀反应的基本上所有产物一起排出所述腐蚀剂气体。
11. 根据权利要求10所述的方法，包括另一步骤：在所述引入所述室之前产生所述腐 蚀剂气体。
12. 根据权利要求10所述的方法，包括另一步骤：在将所述腐蚀剂气体所述引入所述 室以前，使载气鼓泡通过液体化学组分以使所述液体化学组分挥发至所述腐蚀剂中。
13. 根据权利要求11所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由使载气鼓泡通过多种液 体化学组分，然后合并所述所得气体来产生的。
14. 根据权利要求11所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由混合两种或更多种化学 组分气体而产生的。
15. 根据权利要求10所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之 前，将所述腐蚀剂气体暴露于气体活化室中的活化机制而活化；所述气体活化机制选自由 加热、紫外光以及等离子体放电组成的组。
16. 根据权利要求10所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之 后，将所述腐蚀剂气体暴露于热活化机制而活化；所述热活化机制选自由所述反应室内的 整体温度和所述反应室内的局部热源组成的组。
17. 根据权利要求10所述的方法，其中所述腐蚀剂气体进一步含有通式RX的添加剂， 其中： R选自由H和Me组成的组；并且 X选自由F、Cl、&和I组成的组。
18. 根据权利要求10所述的方法，其中所述腐蚀剂气体还含有卤素气体添加剂。
19. 一种从化学反应室的内表面或从所述化学反应室内的基板清洁反应产物沉积物的 方法，所述方法包括以下步骤： 将所述反应室加热到高温； 将腐蚀剂气体引入所述反应室中，所述腐蚀剂气体具有通式A111Xn，其中： A选自由C、N和S组成的组； X是卤素；并且 下标m和n大于零； 在所述引入之前或之后使所述腐蚀剂气体活化； 允许在所述腐蚀剂气体与所述反应产物沉积物之间进行腐蚀反应以除去所述反应产 物沉积物而在所述反应室内无明显的腐蚀反应产物再沉积；并且 与所述腐蚀反应的基本上所有产物一起排出所述腐蚀剂气体。
20. 根据权利要求19所述的方法，包括另一步骤：在所述引入所述室之前产生所述腐 蚀剂气体。
21. 根据权利要求19所述的方法，包括另一步骤：在将所述腐蚀剂气体所述引入所述 室以前，使载气鼓泡通过液体化学组分以使所述液体化学组分挥发至所述腐蚀剂中。
22. 根据权利要求20所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由使载气鼓泡通过多种液 体化学组分，然后合并所述所得气体来产生的。
23. 根据权利要求20所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由混合两种或更多种化学 组分气体而产生的。
24. 根据权利要求19所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之 前，将所述腐蚀剂气体暴露于气体活化室中的活化机制而活化；所述气体活化机制选自由 加热、紫外光以及等离子体放电组成的组。
25. 根据权利要求19所述的方法，其中所述腐蚀剂气体是经由在引入所述反应室之 后，将所述腐蚀剂气体暴露于热活化机制而活化；所述热活化机制选自由所述反应室内的 整体温度和所述反应室内的局部热源组成的组。
26. 根据权利要求19所述的方法，其中所述腐蚀剂气体进一步含有通式RX的添加剂， 其中： R选自由H和Me组成的组；并且 X选自由F、Cl、&和I组成的组。
27. 根据权利要求19所述的方法，其中所述腐蚀剂气体还含有卤素气体添加剂。
【专利摘要】本发明涉及使用亚硫酰氯和相关材料来干式腐蚀金属有机气相外延(MOVPE)反应器的内表面以除去沉积物。所述方法还可用于干式腐蚀这类反应器内的过程基板以便清洁和处理那些基板。本发明可能特别适合于在制造基于III-V半导体(诸如GaN和相关材料)的高亮度LED中使用的化学气相沉积反应器。所述过程的特征包括加热、UV和等离子体活化干式清洁，并使用由纯净材料形成或由组分气体诸如CO、SO、SO2或NO与卤素的组合所形成的腐蚀剂气体诸如COCl2、COBr2、COI2、SOI2、SOCl2、SOBr2、SO2Cl2、SO2Br2、NOCl、NOBr、NOI、S2Cl2、S2Br2、SCl2、SBr2、SOClBr、SOClF和SOFBr，以实现预期效果。
【IPC分类】B08B9-08, C09K13-00
【公开号】CN104853855
【申请号】CN201280076144
【发明人】R·奥德萨
【申请人】海星化学有限公司
【公开日】2015年8月19日
【申请日】2012年12月18日
【公告号】US20150218695, WO2014094103A1