玻璃基板的清洗方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及玻璃基板的清洗方法以及玻璃硬盘基板的制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来，个人计算机或各种电子设备逐步处理动画或音频等较大的数据，因此需 要大容量的信息记录装置。其结果，信息记录媒体对高记录密度化的要求逐年提升。为了 应对此种情况，硬盘采用垂直磁记录方式，从而促进了量产化。在该垂直磁记录方式中，与 现在的基板相比，信息记录媒体用基板（以下也称为"硬盘基板"）对基板要求更高等级的 耐热性、表面平滑性。此外，现在更重要的是具有：用以减轻对主轴马达的负担的低比重化、 用以防止盘片损坏的高机械强度以及可耐受掉落时对头部的冲击的高破坏韧性。
[0003] 作为信息记录媒体用基板中使用的材料，有铝合金、玻璃等。玻璃与铝合金相比维 氏硬度较高、表面平滑性较高，就此方面而言较有优势，现在较多地用于假定动态使用的用 途。
[0004] 并且，在作为信息记录媒体用基板的玻璃中，结晶化玻璃在如下方面具有优异的 特性：耐热性优异、耐冲击特性较高而掉落强度优异、由于高刚性而耐擦伤且不易使头部损 坏、高旋转时基板不易变形等。由于此种特性，结晶化玻璃基板是有望用作高记录密度化的 信息记录媒体的材料。
[0005] 日本特开2007-223884号公报中公开：将研磨后的表面粗糙度设为Ral、将研 磨加工后的经由酸清洗和/或碱清洗引起的表面粗糙度设为Ra2时，表面粗糙度变化率 (|Ra2 -Ral| /Ral)的值低于0. 62的无机组合物。并且，公开了无机组合物为结晶化玻璃， 且用作磁盘制造用基板。在实施例中公开有利用氢氟酸进行的清洗。
[0006] 此外，在日本特开2010-257510号公报中公开有具有Ni-p层的硬盘基板用清洗剂 组合物。该清洗剂组合物含有胺及碱。日本特开2012-107226号公报中公开有玻璃硬盘基 板的制造方法。该制造方法包括：使用含有分子内具有2~10个氮原子的多元胺化合物 的、pH值为1. 0~4. 2的研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序；及使用pH值为 8. 0~13. 0的清洗剂组合物进行清洗的工序。在该制造方法中公开了在碱清洗工序中抑制 表面粗糙度变差。日本特开2009-206481号公报中公开有电子材料用（玻璃用）清洗剂。 该清洗剂含有阴离子性表面活性剂、有机溶剂以及碱成分。且公开利用该清洗剂，可在不损 害表面平坦性的条件下实现优异的微粒去除性。作为该碱性成分，可列举：碳数1~36的 脂肪胺、无机碱、碳数1~23的烷醇胺以及碳数4~10的脒化合物。
【发明内容】
[0007] 发明要解决的问题
[0008] 从研磨粒子等微粒的清洗的观点来看，玻璃基板的清洗期望在碱性条件下进行清 洗。然而，若在碱性条件下对玻璃基板进行清洗，则存在玻璃基板的表面被蚀刻从而表面平 滑性降低的问题。进而，结晶化玻璃尤其是硬盘基板用的结晶化玻璃中除结晶部分以外，也 存在非晶部分，并非均匀的材料。因此，在清洗基板时，结晶部分与非晶部分在碱中清洗的 蚀刻性（溶解性）不同，因此更加难以在不使表面粗糙度变差的条件下进行清洗。
[0009] 因此，在本发明的一个实施方式中，提供一种结晶化玻璃基板的清洗方法，其可以 抑制在碱清洗、特别是在对残存的二氧化硅粒子等研磨粒子的微粒清洗时的结晶化玻璃基 板的表面粗糙度变差，可进一步提高清洗性。
[0010] 解决问题的技术手段
[0011] 在本发明的一个实施方式涉及一种玻璃基板的清洗方法，其包括使被清洗玻璃基 板与清洗剂组合物接触（以下也称为"本发明的玻璃基板的清洗方法")。在该实施方式中， 所述清洗剂组合物是含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以及无机碱的清洗剂组合 物（以下也称为"本发明的清洗剂组合物"）。相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的 总质量，上述胺的含量为5. 00质量％以上且70. 00质量％以下。上述被清洗玻璃基板为结 晶化玻璃基板。此外，清洗时的清洗剂组合物的pH值为9. 00以上且11. 50以下。
[0012] 本发明的另一个实施方式涉及一种包括以下工序（1)及（2)的玻璃硬盘基板的制 造方法。
[0013] (1)使用研磨液组合物对被研磨玻璃基板进行研磨的工序。
[0014] (2)使用清洗剂组合物对工序（1)中获得的基板进行清洗的工序。
[0015] 在该实施方式中，上述清洗剂组合物含有包含1个以上且10个以下氮原子的胺以 及无机碱。相对于上述清洗剂组合物的水以外的成分的总质量，上述胺的含量为5. 00质 量％以上且70. 00质量％以下。上述被清洗玻璃基板为结晶化玻璃基板。此外，清洗时之 清洗剂组合物的pH值为9. 00以上且11. 50以下。
[0016] 发明效果
[0017] 根据本发明，在一个实施方式中，可提供一种结晶化玻璃基板的清洗方法，其可以 抑制在碱清洗、特别是在对残存的二氧化硅粒子等研磨粒子的微粒清洗时的结晶化玻璃基 板的表面粗糙度变差，可进一步提高清洗性。
【具体实施方式】
[0018] 本发明是基于如下见解完成的，若使用含有特定的胺及特定量的无机碱的、特定 pH值的清洗剂组合物对结晶化玻璃基板进行清洗，则可抑制由碱清洗引起的结晶化玻璃基 板的表面粗糙度变差，可进一步提高清洗性。
[0019] 本发明的玻璃基板的清洗方法可抑制由碱清洗引起的结晶化玻璃基板表面粗糙 度变差，并进一步提高清洗性的详细原因并不明确，但可推定如下。结晶化玻璃基板在基板 中存在结晶部分与非晶部分。可认为在碱清洗时，与非晶部分相比，结晶部分显示出不易 被蚀刻的倾向，在进行通常的碱清洗时，仅溶解非晶部分，结晶部分作为凸部突出，而使表 面粗糙度变差。另一方面，可认为在本发明的玻璃基板的清洗方法中，通过使用特定pH值 的、含有特定的胺的清洗剂组合物，胺的氮原子容易与以Si02S主成分的非晶部结合，不易 吸附于以尖晶石和/或锌尖晶石等为主成分的结晶部。并且，蚀刻力较低的胺蚀刻非晶部 分，相对而言，蚀刻力较高的无机碱蚀刻胺的吸附量较少之结晶部分，由此可同等地蚀刻结 晶部分与非晶部分两者，并由此推测可抑制表面粗糙度变差并且可提高清洗性。可认为氮 原子过多的胺对非晶部分的蚀刻力进一步减弱，抑制表面粗糙度变差的效果较差。但是，本 发明并不限定于该机制而解释。
[0020] [结晶化玻璃基板]
[0021] 在本发明中，作为清洗对象的被清洗玻璃基板和/或作为研磨对象的被研磨玻璃 基板是结晶化玻璃基板。在本发明中，所谓"结晶化玻璃基板"是指玻璃中包含结晶相的玻 璃，且于非限定的一种或数种实施方式中，是指使用尖晶石系化合物和/或锌尖晶石作为 结晶相的主成分的基板。结晶化玻璃基板与非晶玻璃基板不同，例如，可通过X射线衍射分 析有无源自结晶部的峰而进行区别。结晶化玻璃例如可对特定组成的非晶玻璃进行热处理 促进结晶化而制造，但并不限定于此。
[0022] 关于本发明中的被清洗结晶化玻璃基板，在一种或数种实施方式中，是实施了研 磨的结晶化玻璃基板、优选为实施了使用二氧化硅粒子的研磨的结晶化玻璃基板，在其他 一种或数种实施方式中，是玻璃硬盘基板（硬盘用玻璃基板）的制造方法中的研磨工序后 的结晶化玻璃基板。此外，关于本发明中的被清洗结晶化玻璃基板，在一种或数种实施方式 中，是具有结晶化玻璃表面且对该结晶化玻璃表面实施了使用研磨组合物的研磨的被清洗 结晶化玻璃基板。
[0023] 关于本发明中的被清洗结晶化玻璃基板在清洗前的表面粗糙度Ra，在一种或数种 实施方式中，从研磨操作的容易性的观点来看，优选为1.70A以上，从抑制清洗后的表面粗 糙度变差的观点来看，优选为2.50A以下，更优选为2.20A以下。表面粗糙度Ra可通过下 述实施例中的方法进行测定。
[0024] [清洗剂组合物]
[0025] 关于本发明的清洗剂组合物，在一个实施方式中，含有包含1个以上且10个以下 氮原子的胺以及无机碱。关于本发明的清洗剂组合物，在一个实施方式中，在结晶化玻璃基 板的清洗方法中与被清洗结晶化玻璃基板接触而使用，在另一个实施方式中，在结晶化玻 璃硬盘基板的制造方法中，用于研磨工序后的结晶化玻璃基板的清洗。
[0026] [清洗剂组合物的pH值]
[0027] 本发明的清洗剂组合物的pH值在清洗时为9. 00以上且11. 50以下。就抑制清洗 后的表面粗糙度变差的观点而言，优选为11. 〇〇以下，更优选为10. 70以下。就提高清洗性 的观点而言，本发明的清洗剂组合物的pH值于清洗时优选为9. 50以上，更优选为10. 00以 上，进一步优选为10. 50以上，更进一步优选为10. 90以上，更进一步优选为11. 00以上，并 且，为11. 50以下。在本发明中，所谓"清洗时"是指在一种或数种实施方式中，进行清洗工 序时。此外，就储存及输送的观点而言，清洗剂组合物多数情况下以浓缩液的形式制造，在 使用时将其稀释。因此，在本发明中，所谓"清洗时"是指在一种或数种实施方式中经稀释 了的状态。再者，上述pH值是在25°