用于处理包含氯硅烷的液体的装置和方法
【专利说明】用于处理包含氯括烧的液体的装置和方法
[0001] 本发明设及一种用于处理包含氯硅烷的液体的装置和方法。
[0002] 运种类型的方法和装置，特别是洗涂器系统，在现有技术中是已知的。
[0003] US6030591A公开了一种用于去除和回收源自过程输出流的面代控的方法。术语 面代控包括全氣化的控、部分氣化的控和氯氣控，W及六氣化硫和=氣化氮。从氣化合物气 流中去除其它气体组分是在与干燥材料（吸附介质）或洗涂介质相接触时通过氧化来实现 的。在一种实施方式中，描述了使用碱性洗涂介质（pH>9)来更加有效地洗涂酸性气体。 此外，运种碱性洗涂器在高于大气压力的条件下操作。
[0004] US4519999A公开了一种在娃生产中的废水处理。其提供了一种燃烧方法，通过 与水和在其中存在的碱金属的接触而在水解-中和区域中洗涂液体/气体。洗涂器主要用 于回收在不同的溫度下燃烧废料流而形成的盐酸。 阳0化]US5246682A公开了一种使用盐酸对源自氯硅烷蒸馈的残留物进行无废水处理 的方法。该方法使用盐酸来实施，并伴随有氯化氨的释放。反应混合物的一部分会凝结，并 通过干燥和热处理（~140°C)来去除。
[0006] US5660615A公开了一种包含两个步骤的废气洗涂方法。首先，洗涂阶段在 30-150°C的溫度范围内实施。在第二步骤中，使废气与抑< 5的循环盐水溶液接触。
[0007] US20040213721Al公开了一种在使用位置上处理废气流的装置和方法。洗涂方 法基于包含还原剂（硫代硫酸钢、氨氧化锭、舰化钟）的水性洗涂介质，并由至少两个阶段 构成。在洗涂系统中，能够使用由多种填充材料构成的可移动推入的床。
[0008] US7611684B2和US5757660AW及US5246594A公开了洗涂器控制系统和方 法。它们基于用于调节和监测洗涂介质的抑和浓度的测量方法。其通过抑传感器、电导 率测量或氧化还原电势测量来实现。
[0009] US7204963B2也公开了一种由两个步骤构成的用于从气流中分离出氯硅烷的方 法。在第一阶段中，在气相中使用蒸汽处理废气流，然后在第二阶段中，在水相中使用液体 处理。
[0010] US20110150739Al公开了一种用于从面代硅烷中去除含棚杂质的方法，和用于 实施所述方法的装置。
[0011] US4408030A公开了一种使用水性介质处理废氯硅烷的方法。洗涂介质包含浓盐 酸。
[0012] JP2157020A公开了一种用于使用抑为6至8. 5的碱±金属氨氧化物或碱±金 属氧化物处理包含二氯硅烷的气体的方法。
[0013] 现有技术并未公开任何可W在单独步骤中和在环境条件下去除氯硅烷而不必利 用填充材料的方法。此外，现有技术中通常获得包含颗粒的废料流。
[0014] 本发明的目的由运些问题而产生。
[0015] 本发明的目的是通过用于处理包含至少一种氯硅烷的液体的方法来实现的，所述 方法包含汽化所述液体，通过在洗涂室中接触碱性介质来处理经汽化的液体，从而提供抑 为9至13的洗涂液，并随后在废水处理装置中对从洗涂室移出的洗涂液进行处理，其中，添 加酸W将抑设定为6-9,并通过离屯、的方式从洗涂液中分离出固体。
[0016] 所述液体可W是氯硅烷、甲基氯硅烷和含棚面化物化合物的混合物。
[0017] 所述液体的处理可W与其它液体或蒸气、包括肥1和&蒸气一起进行。
[0018] 经汽化的包含氯硅烷的料流优选包含&。
[0019] 经汽化的包含氯硅烷的料流优选包含肥1。
[0020] 气态废气优选在汽化之后添加。
[0021] 碱性介质优选为碱的水溶液或碱性基料。
[0022] 特别优选使用氨氧化钢（化OH)水溶液。
[0023] 所使用的水可W是地表水、去离子水或脱盐水。
[0024] 所述水优选源自周围的蓄水。 阳0巧]洗涂液优选维持在pH= 9-13的pH范围内。
[0026] 洗涂液特别优选维持在抑=10-12的抑范围内。
[0027] 料流优选在洗涂室中进行调节。 W28] 优选调节洗涂液的抑值。
[0029] 优选将碱性介质引入至洗涂液储存器，从而将洗涂器中的抑保持在期望范围内。
[0030] 所述方法设及部分去除通向废水处理装置的洗涂液。
[0031] 优选的是，提供第一混合槽，其中可测量抑W确定第一混合槽需要多少中和酸， 和多少中和酸可被输送至供给中和酸的累。
[0032] 将中和酸引入至第一混合槽，并随后进行输送。
[0033] 中和酸优选为无机酸，特别优选为盐酸（肥1)。
[0034] 优选将絮凝剂添加至混合槽。
[0035] 在供给酸之后，第一混合槽中的最终抑优选为6-9,特别优选为6-8,非常特别优 选为7-8。
[0036] 优选的是，测量并传输所述抑，从而确定第二混合槽需要多少中和酸。
[0037] 将中和酸引入至第二混合槽，并进行输送。
[0038] 中和酸优选为无机酸，特别优选为盐酸（肥1)。
[0039] 优选将絮凝剂添加至混合槽。
[0040] 优选在第二混合槽中执行抑测量。
[0041] 在供给酸之后，第二混合槽中的最终抑优选为6-9,特别优选为6-8,非常特别优 选为7-8。
[0042] 分离装置优选为离屯、机。 阳043] 可被移除的颗粒材料的含量优选占第二混合槽进料的0-1. 5体积％。
[0044] 优选包含从颗粒材料中去除过量的水，填充压滤机，通过过滤去除固体，挤压固体 和移除滤饼。
[0045] 将数据传输至分配器的抑测量装置优选被提供在离屯、机的下游。
[0046] 所述系统优选开启或关闭分配器中的阀，从而将不再处于规范内的水再循环至第 二混合槽。
[0047] 用于实施所述方法的装置包含用于汽化包含氯硅烷的液体料流的至少一个汽化 器单元，用W使汽化液体与碱性介质接触的至少一个洗涂室，至少一个废水处理装置；其中 所述洗涂室包含用于将源自汽化器单元的汽化液体供给至洗涂室的至少一个入口，使碱性 介质连续喷至洗涂室内的至少一个喷嘴，和用于将经洗涂的气体供给至废水处理装置的出 口，并且所述废水处理装置包含用于源自洗涂室的洗涂液的供给装置和用于从洗涂液分离 出固体的离屯、机。
[0048] 所述装置优选包含具有蓄水的容器。
[0049] 所述洗涂室优选包含用于引入额外的水（补充水）的至少一个入口。
[0050] 所述装置优选包含用于再使用洗涂液的返回回路。
[0051] 所述装置优选包含用于存储从洗涂器中去除的液体。
[0052] 所述装置优选包含用于添加中和酸的第一混合槽。
[0053] 所述装置优选包含用于添加中和酸的第二混合槽。
[0054] 所述装置优选包含用于接收第二混合槽的内容物的分离装置。
[0055] 所述废水处理装置优选包含离屯、机，其适用于从第二混合槽的进料中去除多个颗 粒材料。
[0056] 优选提供用于接收从离屯、机中去除的颗粒材料的额外装置。运种装置优选为压滤 机。所述压滤机特别优选包含多个膜滤器。
[0057] 已经发现本发明可W防止洗涂器的颗粒材料的输送，并避免排放。对于运种目的 来说，将洗涂器中的抑调节至约11是至关重要的。
[0058] 废水处理旨在沉淀娃酸盐，并在离屯、和压滤过程中将其去除。
[0059] 本发明优选设及处理主要包含氯硅烷的低沸点液体化合物。
[0060] 运些低沸点氯硅烷化合物主要包含一种或多种沸点小于或等于单甲基二氯硅烷 畑4化站沸点化二41. 5°C)的化合物。
[0061]总的来说，运种料流中的化合物的沸点应当在二氯硅烷化zClzSi)的沸点灯b= 8. 3°C)和单甲基二氯硅烷（邸4化SD的沸点化=41. 5°C)之间的范围。
[0062] 运些包含氯硅烷的料流的组合物通常可W包含二氯硅烷（HzClzSi)、=氯硅烷 (肥IsSi)、单甲基二氯硅烷（CHAClzSi)和含棚化合物，例如S氯化棚度CI3)，但不限于此。 [006引另外，可将包含&、肥1和更小体积的氯硅烷的气流引入至洗涂器。 W64] 运样的料流例如可W出现在多晶娃制造的领域中，特别设及低沸点至中沸点化合 物的蒸馈产物的残留物，或者硅氧烷制造领域。 阳0化]本领域技术人员将还能够发现一个或多个其中存在运样的料流的应用，且本发明 的方法和装置可W是有用的。本发明的实施例仅用于说明性的目的，并不应当被解释为是 对具体应用的限制。
[0066] 本发明的优点在于在洗涂器中获得基本上不存在颗粒的料流。任何类型的水均可 用于洗涂室中。尽可能地避免了不溶性碱±金属娃酸盐的形成。
[0067] 所述方法使得无需对过程料流进行任何燃烧。对碱性介质进行处理。所述处理是 在气相和环境溫度下进行的。
[0068] 所述洗涂方法本身仅包含一个步骤，其提出了对于现有技术的简化。
[0069] 无需填充材料。无需使用额外的还原剂。
[0070] 下文借助于图1和图2来阐述所述方法和装置。
[0071] 图1示意性地示出洗涂系统。
[0072]图2示意性地示出废水处理系统。 阳07引 附图标记列表 阳074] 1. 1汽化热交换器 阳0巧]1.2洗涂器入口
[0076] 1.3喷嘴
[0077] 1. 4洗涂液存储器
[0078] 1. 5洗涂室 阳0巧]1.6阀
[0080] 1. 7累系统 阳0川 1.8抑测量
[0082] 1. 9碱供给管线
[0083] 1. 10通向废水处理的供给管线
[0084] 1.1Ia-C测量 阳0财 1. 12控制装置
[0086] 1. 13累
[0087] 1. 14出口
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