一种光催化剂及其制备方法
【专利摘要】本发明提供一种SiO2/Bi光催化剂及其制备方法，本发明在金属Bi上原位负载SiO2，一方面，SiO2/Bi光催化剂较Bi光催化剂而言，比表面积大大增加，高比表面积有利于光催化材料对目标污染物的吸附，从而增大光催化剂与目标污染物的接触面积，促进光催化性能提高。另一方面，加入SiO2后，SiO2/Bi光催化剂中形成Bi?O?Si键，在等离子体作用下，金属Bi上的电子通过Bi?O?Si键快速转移到SiO2/Bi光催化剂表面，从而促进载流子的分离和转移，增加自由基的产率，进一步提高光催化效率。另外，本发明提供的SiO2/Bi光催化剂还具有成本低廉、化学稳定性强的优点，可以在光催化反应中多次循环利用。
【专利说明】
一种光催化剂及其制备方法
技术领域
[0001 ]本发明涉及光催化领域，尤其涉及一种Si〇2/Bi光催化剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 光催化剂是一种在光的照射下，自身不起变化，却可以促进化学反应的物质。目 前，光催化作为一项最有潜力的产业，已经广泛应用于环境修复、清洁能源生产、碳的修饰 和化学合成等各领域，正以可持续发展的方式解决能源和环境污染问题。光催化剂可包括 半导体光催化剂和等离子体光催化剂等诸多种类，其中，等离子体光催化剂因其优异的光 催化性能而迅速发展。
[0003] 当入射光的频率与贵金属导带电子的震荡频率相符时，贵金属就会产生表面等离 子体共振现象来提高光吸收效率，促进光生载流子的分离，从而降低光生载流子的复合几 率，因而等离子体光催化剂与半导体光催化剂相比具有较强的光催化性能。等离子体光催 化剂中，A u、A g等贵金属的应用最为广泛。然而，贵金属的地球储存稀少，市场价值昂贵，因 而大大抑制了其在光催化技术中的应用。
[0004] 因此，寻找一种价格低廉却具有类贵金属性质的物质成为必然。非贵金属Bi因其 具有等离子体催化效应而备受关注，然而，与贵金属相比，非贵金属Bi作为光催化剂的光催 化效率较低，限制了非贵金属Bi光催化剂的推广和应用。
【发明内容】
[0005] 本发明提供一种Si02/Bi光催化剂及其制备方法，以解决现有技术中Bi光催化剂 光催化效率较低的技术问题。
[0006] 本发明提供一种Si02/Bi光催化剂的制备方法，所述方法包括：
[0007] 将Bi(N〇3)3 ? 5H2〇溶解在lmol/L的HN〇3中，获取Bi(N〇3)3 ? 5H2〇酸溶液；
[0008] 将乙二醇加入所述Bi(N03)3 ? 5出0酸溶液中，搅拌30min后加入Si〇2,获取Si〇2/Bi 光催化剂前驱体，其中，Si〇2与Bi(N〇3)3 ? 5H2〇的质量比例为
[0009] 将所述Si〇2/Bi光催化剂前驱体进行水热反应后，离心、洗涤、干燥后获取Si〇2/Bi 光催化剂。
[0010] 优选的，所述方法还包括：
[0011] 在乙二醇加入所述Bi(N〇3)3 ? 5H2〇酸溶液之后，搅拌30-60min之前，在所述Bi (从)3)3.5出0酸溶液加入?￥?，其中也（从)3)3.5112〇与？￥?的质量比为0.364 :0.5-1。
[0012] 优选的，所述Si02与Bi(N03)3 ? 5出0的质量比例为3%。
[0013]优选的，所述水热反应的水热温度120°C-200°C。
[0014]优选的，所述水热反应的反应时间为12h-48h。
[0015] 优选的，所述Bi(N03)3 ? 5出0与HN03的摩尔比为0.75:5-10。
[0016] 优选的，所述HN〇3与乙二醇的体积比为1:4-6。
[0017]本发明还提供一种Si02/Bi光催化剂，所述Si02/Bi光催化剂是按照权利要求1-7任 意一种制备方法制备的。
[0018]本发明的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0019]本发明提供一种Si〇2/Bi光催化剂及其制备方法，本发明在金属Bi上原位负载 Si〇2,制得具有优异光催化性能的新型Si02/Bi光催化剂。一方面，Si02/Bi光催化剂较Bi光 催化剂而言，比表面积大大增加，高比表面积有利于光催化材料对目标污染物的吸附，从而 增大光催化剂与目标污染物的接触面积，促进光催化性能提高。另一方面，加入Si0 2后， Si02/Bi光催化剂中形成Bi-0-Si键，在等离子体作用下，金属Bi上的电子通过Bi-0-Si键快 速转移到Si0 2/Bi光催化剂的表面，从而促进载流子的分离和转移，增加自由基的产率，进 一步提高光催化效率。另外，本发明提供的Si0 2/Bi光催化剂还具有成本低廉、化学稳定性 强的优点，可以在光催化反应中多次循环利用。
[0020] 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不 能限制本发明。
【附图说明】
[0021] 图1是本发明实施例中提供的一种Si02/Bi光催化剂制备方法的流程图；
[0022]图2是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的XRD对比图；
[0023]图3是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的FTIR对比图； [0024]图4是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的放大10万倍的SEM图；
[0025]图5是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的放大5万倍的SEM图；
[0026]图6是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂TEM图；
[0027]图7是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的HRTEM图；
[0028]图8是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的EDX图；
[0029]图9是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂C元素的EDX图；
[0030]图10是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂0元素的EDX中图；
[0031]图11是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂Bi元素的EDX中图；
[0032]图12是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂Si元素的EDX中图；
[0033]图13是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的BET氮气吸附脱 附对比图；
[0034]图14是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的孔径分布对比 图；
[0035]图15是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂溅射25nm、Si02/Bi光催化剂未溅射 与纯Si〇2的XPS对比图；
[0036] 图16是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂溅射25nm、Si02/Bi光催化剂未溅 射、与纯Si〇2的C元素对应的XPS局部放大对比图；
[0037] 图17是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂溅射25nm、Si02/Bi光催化剂未溅 射、与纯Si〇2的0元素对应的XPS局部放大对比图；
[0038] 图18是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂溅射25nm和Si02/Bi光催化剂未溅 射的Bi元素对应的XPS局部放大对比图；
[0039]图19是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂溅射25nm、Si02/Bi光催化剂未溅 射、与纯Si〇2的Si元素对应的XPS局部放大对比图；
[0040] 图20是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的UV-Vis DRS对 比图；
[0041] 图21是本发明提供的纯Bi光催化剂的时间分辨荧光光谱图；
[0042]图22是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的时间分辨荧光光谱图；
[0043]图23是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的紫外光去除N0X 超氧自由基的检测对比图；
[0044]图24是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的紫外光去除N0X 羟基自由的基检测对比图；
[0045]图25是本发明实施例2、3和4制备的不同Si02负载量的Si02/Bi光催化剂的紫外光 去除N0X的降解效率图；
[0046]图26是本发明实施例2、5和6制备的不同水热反应温度的Si02/Bi光催化剂的紫外 光去除N0X的降解效率图；
[0047]图27是本发明本发明实施例2、7和8制备的不同水热反应时间的Si02/Bi光催化剂 的紫外光去除N0X的降解效率图；
[0048]图28是本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂、纯Bi光催化剂和Si02的紫外光去 除N0X的降解效率图。
【具体实施方式】
[0049] 这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及 附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例 中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附 权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置的例子。
[0050] 本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部 分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处。
[0051 ] 实施例1
[0052]请参见图1，所示为本发明实施例中提供的一种Si02/Bi光催化剂制备方法的流程 图。
[0053]由图1可见，所述Si02/Bi光催化剂的制备方法包括以下步骤：
[0054]步骤 S101:将 0.364g Bi(N03)3 ? 5H20 溶解在 10ml lmol/L 的 HN〇3 中，获取 Bi (N〇3)3 ? 5H20酸溶液；
[0055] 步骤S102:将55ml乙二醇加入所述Bi(N03)3 ? 5H20酸溶液中，搅拌30min后加入 0.01 lg Si〇2，获取Si02/Bi光催化剂前驱体；
[0056] 步骤S103:将所述Si02/Bi光催化剂前驱体在160°C下水热反应24h后，离心、洗涤、 干燥后获取Si02/Bi光催化剂。
[0057] 实施例2
[0058] 本实施例在实施例1的基础上，在将55ml乙二醇加入所述Bi(N03)3 ? 5H20酸溶液之 后，搅拌30min之前还包括在所述Bi(N03)3 ? 5H20酸溶液中加入0.6g PVP(Polyvinyl pyrrolidone，聚乙稀吡略烧酮）。
[0059] 试验表征：
[0060] 请参见图2,所示为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的XRD (X-ray diffraction，X射线衍射)对比图。由图2可见，实施例2制备的Si02/Bi光催化剂对 应的衍射角分别是22.2°、26.9°、37.9°、39.6°、44.4°、45.7°、48.6°、55.8°、59.3°、62.1°、 67.3°和71.8°，与纯扮光催化剂扮的衍射角相一致，表明本510 2/81光催化剂与纯财光催化 剂的晶型一致。
[0061] 请参见图3,所示为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的 FTIR(Fourier Transform infrared spectroscopy，傅氏转换红外线光谱分析仪）对比图。 由图3可见，466cm-1是Bi-0键的峰；1095cm- 1是O-Si-O的振动峰，表明在Si02/Bi中有形成Bi-〇-Si键的趋势。
[0062] 请参见图4和5,所示分别为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂放大10万倍的 SEM图和放大5万倍的SEM(scanning electron microscope，扫描电子显微镜）图。由图4和5 可见，实施例2制备的Si02/Bi光催化剂由Si02围绕Bi球组成且粒径分布较为均匀。
[0063] 请参见图6,所示为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的TEM(Transmission electron microscope，透射电子显微镜）图。由图6可见，实施例2制备的Si〇2/Bi光催化剂 中，Si02成功负载到Bi球上。请参见图7,所示为本发明实施例2制备的Si0 2/Bi光催化剂的 HRTEM(High Resolution Transmission Electron Microscopy，高分辨率的透射电镜）图。 由图7可见，实施例2制备的Si02/Bi光催化剂中Si0 2与Bi球紧密接触，表明Si02/Bi光催化剂 的成功构建。
[0064]请参见图8-12,所示分别为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的EDX(Energy Dispersive X-Ray，能量色散X射线光谱）图、C元素的EDX图、0元素的EDX图、Bi元素的EDX图 以及Si元素的EDX图。由图8-12可见，实施例2制备的Si0 2/Bi光催化剂中同时存在C、0、Bi和 Si元素，表明Si02/Bi光催化剂的成功复合。
[0065]请参见图13和14,所示分别为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催 化剂的BET氮气吸附脱附对比图和孔径分布对比图。由图13和14可见，实施例2制备的Si02/ Bi光催化剂的孔径和比表面积变大，有利于载流子的转移，从而提高Si0 2/Bi光催化剂的催 化效率。本实施例制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的比表面积、孔容量、峰对应的 直径请参考表1。
[0066]表1:本发明实施例2制备的S i 02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的比表面积、孔容 量、峰对应的直径。
[0068]由表1可以看出，与纯Bi光催化剂相比，Si02/Bi光催化剂的比表面积较大，由于较 大的比表面积有利于光生电子的传输和光生电荷的分离，从而有利于提高光催化剂的光催 化活性；另外，比表面积大还有利于目标污染物的附着，从而提尚去污能力，进一步提尚光 催化剂的光催化活性。
[0069] 请参见图15-19,图15-19分别为实施例2制备的Si02/Bi光催化剂溅射25nm、Si02/ Bi光催化剂未派射与纯Si〇2的XPS(X_ray photoelectron spectroscopy，X射线光电子能 谱分析)对比图，以及相应的C元素局部放大对比图、0元素局部放大对比图、Bi元素局部放 大对比图、Si元素局部放大对比图。其中，Si0 2/Bi光催化剂溅射25nm后Cls对应的峰值为 284.76￥;018对应的峰值分别为533.056￥、530.86￥和529.66￥ ;8丨4€对应的峰值分别为 156.86￥、162.16￥、158.9和164.26￥，512口对应的峰值为103.8 6￥。由图15和图17表明，51〇2/ Bi光催化剂溅射前，01s的特征峰529.6eV和530.8eV分别对应于Si-0和Bi-0,表面Si0 2成功 负载到实施例2制备的Si02/Bi光催化剂表面上，而Si02/Bi光催化剂溅射后，01s的特征峰 533.05eV来自于纯Si0 2,表明负载到Si02/Bi光催化剂表面的Si02中有一部分融入到Bi球内 部。另外，由于溅射后的Si0 2/Bi光催化剂中具有Si2p对应的特征峰值103.8eV，表明Si02/Bi 光催化剂内部存在Si元素，进一步证明Si0 2/Bi光催化剂的成功制备。此外，Bi 4f中156.8 和162.1eV对应于零价Bi，来自Bi-Bi，158.9和164.2eV对应于Bi3+，来自Bi-0。由于Bi的表面 易被空气中的氧气氧化，因此，Si0 2/Bi光催化剂溅射前零价Bi对应的峰强度小，Bi表面形 成的氧化层阻止Bi球内部的进一步氧化，溅射后零价Bi对应的峰强度变大。
[0070] 请参见图20,所示为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催化剂的 UV-Vis DRS(UV_Vis Diffuse Reflection Spectroscopy，紫外可见漫反射）对比图。由图 20可见，在280nm的紫外光下实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi的光吸收强度基本一 致，表明本Si0 2/Bi光催化剂光催化活性的提升主要与比表面积增大与Bi-0-Si键的形成有 关。
[0071] 请参见图21和22,所示分别为本发明提供的纯Bi光催化剂的时间分辨荧光光谱图 以及本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂的时间分辨荧光光谱图。采用脉冲光源对纯Bi 光催化剂以及Si0 2/Bi光催化剂样品进行照射，得到时间分辨荧光光谱。通过对时间分辨荧 光图谱进行拟合，从而获取光生载流子的荧光寿命。荧光寿命可以反映载流子的分离效率， 荧光寿命越长，载流子分离效率越高。由图21和22可得，实施例2制备的Si0 2/Bi光催化剂的 荧光寿命为8.34，纯Bi光催化剂的荧光寿命为7.76，Si02/Bi光催化剂相比于纯Bi光催化剂 荧光寿命增加，从而有利于载流子的分离，进而提高Si0 2/Bi光催化剂的催化性能。
[0072]请参见图23和24,所示分别为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂与纯Bi光催 化剂的紫外光去除N0x超氧自由基的检测对比图和紫外光去除N0x羟基自由的基检测对比 图。由图23和24可见，Si02/Bi光催化剂相比于纯Bi光催化剂在反应时超氧自由基和羟基自 由基强度明显增加，有利于Si0 2/Bi光催化剂光催化性能的提高。
[0073] 实施例3
[0074]本实施例中Si02的加入量为0.0364g，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂 的制备方法完全相同。
[0075] 实施例4
[0076]本实施例中Si02的加入量为0.364g，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂 的制备方法完全相同。
[0077] 实施例5
[0078]本实施例中Si02/Bi光催化剂前驱体水热反应的温度为120°C，其他步骤与实施例 2所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法完全相同。
[0079] 实施例6
[0080]本实施例中Si02/Bi光催化剂前驱体水热反应的温度为200 °C，其他步骤与实施例 2所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法完全相同。
[0081 ] 实施例7
[0082] 本实施例中Si02/Bi光催化剂前驱体水热反应的时间为12h，其他步骤与实施例2 所述的Si0 2/Bi光催化剂的制备方法完全相同。
[0083] 实施例8
[0084]本实施例中Si02/Bi光催化剂前驱体水热反应的时间为48h，其他步骤与实施例2 所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法完全相同。
[0085] 实施例9
[0086] 本实施例中PVP的加入量为0.5g，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂的 制备方法完全相同。
[0087] 实施例10
[0088]本实施例中PVP的加入量为l.Og，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂的 制备方法完全相同。
[0089] 实施例11
[0090] 本实施例中HN〇3的加入量为5ml，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂的制 备方法完全相同。
[0091] 实施例12
[0092]本实施例中HN03的加入量为5ml，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂的制 备方法完全相同。
[0093] 实施例13
[0094]本实施例中HN03的加入量为8ml，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂的制 备方法完全相同。
[0095] 实施例14
[0096]本实施例中乙二醇的加入量为20ml，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂 的制备方法完全相同。
[0097] 实施例15
[0098]本实施例中乙二醇的加入量为60ml，其他步骤与实施例2所述的Si02/Bi光催化剂 的制备方法完全相同。
[0099] 光催化性能测试：
[0100] 本发明中，Si〇2的加入量以及水热反应的温度以及时间是影响Si〇2/Bi光催化剂光 催化性能的重要因素，因此，本发明针对实施例2-8中制备的Si0 2/Bi光催化剂以及Si〇2、纯 Bi光催化剂进行光催化性能测试，进一步验证本发明制备的Si〇2/Bi光催化剂的催化性能。
[0101] 光催化性能测试具体过程如下:在相对湿度为60%，氧气含量为21%的环境中，N0 流的流量设定为3.3L/min，N0的初始浓度为500ppb，将0.2g实施例2-8制得的Si0 2/Bi光催 化剂、Si02、纯Bi光催化剂分别负载于玻璃圆盘上待用。光催化性能测试:光源为一支280nm 的紫外光灯管，将负载有以上催化剂的玻璃盘置于反应器中，于常温下光催化去除NO。
[0102] 请参见图25,所示为本发明实施例2、3和4制备的不同Si02负载量的Si02/Bi光催化 剂的紫外光去除N0 X的降解效率图。由图25可见，Si02/Bi-3%光催化剂(实施例2)对N0的去 除率为53.6%，Si02/Bi-l%光催化剂(实施例3)对NO的去除率为48.7%;Si02/Bi-10% (实 施例4)光催化剂对勵的去除率为53.3%。由此可知，当5102的加入质量为扮(勵3) 3*5出0的 3%时，Si02/Bi光催化剂的降解效率最高，Si02的加入量过大或者过小均不利于Si0 2/Bi光 催化剂降解效率的提尚。
[0103] 请参见图26,所示为本发明实施例2、5和6制备的不同水热反应温度的Si02/Bi光 催化剂的紫外光去除N0 X的降解效率图。由图26可见，Si02/Bi-120°C光催化剂(实施例5)对 N0的去除率为23.2%旧0 2/^-200°(：光催化剂(实施例6)对^)的去除率为28.3%。由此可 知，Si02/Bi光催化剂制备过程中水热反应的温度是影响其催化性能的重要因素，水热反应 的最佳温度为160°C，温度过低和过高均会造成Si0 2/Bi光催化剂催化性能的大幅下降。
[0104] 请参见图27,所示为本发明实施例2、7和8制备的不同水热反应时间的Si02/Bi光 催化剂的紫外光去除N0 X的降解效率图。由图27可见，Si02/Bi-12h光催化剂(实施例7)对N0 的去除率为32.7 % ; Si02/Bi-48h光催化剂（实施例8)对NO的去除率为33.6 %。由此可知， Si02/Bi光催化剂制备过程中水热反应的时间是影响其催化性能的另一重要因素，水热反 应的最佳时间为24h，时间过长和过短均会造成Si0 2/Bi光催化剂催化性能的大幅下降。 [0105]请参见图28,所示为本发明实施例2制备的Si02/Bi光催化剂、纯Bi光催化剂和Si0 2 的紫外光去除N0X的降解效率图。由图28可见，纯Bi光催化剂和Si02对NO的去除率分别为 36.9%和0.12%。本发明将510 2负载在金属扮上，制得的5102/^光催化剂的光催化去除勵 的性能相对于纯Bi光催化剂有明显的增强效果。由此可见，用Si0 2来修饰等离子体光催化 剂Bi，不仅明显提高了光催化效率，同时显著降低了光催化在实际应用中的成本，具有非常 广泛的前景。
[0106] 术语"包括"、"包含"或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包 括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的 其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制 的情况下，由语句"包括一个……"限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物 品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0107] 以上所述仅是本发明的【具体实施方式】，使本领域技术人员能够理解或实现本发 明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明 将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一 致的最宽的范围。
【主权项】
1. 一种Si02/Bi光催化剂的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 将Bi(N03)3 · 5H20溶解在lmol/L的HN〇3中，获取Bi(N03)3 · 5H20酸溶液； 将乙二醇加入所述Bi(N03)3 · 5H20酸溶液中，搅拌30min后加入Si02,获取Si02/Bi光催 化剂前驱体，其中，Si02与Bi(N03)3 · 5H20的质量比例为1%-10%; 将所述Si02/Bi光催化剂前驱体进行水热反应后，离心、洗涤、干燥后获取Si02/Bi光催 化剂。2. 根据权利要求1所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法，其特征在于，所述方法还包括： 在乙二醇加入所述Bi(N0 3)3 · 5H20酸溶液之后，搅拌30-60min之前，在所述Bi(N03)3 · 5H20酸溶液加入PVP，其中，Bi(N03)3 · 5H20与PVP的质量比为0.364:0.5-1。3. 根据权利要求1所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法，其特征在于，所述Si02与Bi (Nods · 5H20的质量比例为3%。4. 根据权利要求1所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法，其特征在于，所述水热反应的水 热温度 120°C_200°C。5. 根据权利要求1所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法，其特征在于，所述水热反应的反 应时间为12h-48h。6. 根据权利要求1所述的Si02/Bi光催化剂的制备方法，其特征在于，所述Bi (Nosh · 5H20与HN〇3的摩尔比为0.75:5-10。7. 根据权利要求1所述的Si 02/Bi光催化剂的制备方法，其特征在于，所述HN〇3与乙二醇 的体积比为1:4-6。8. -种Si02/Bi光催化剂，其特征在于，所述Si02/Bi光催化剂是按照权利要求1-7任意 一种制备方法制备的。
【文档编号】B01J23/18GK106000389SQ201610550449
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月13日
【发明人】孙艳娟, 倪紫琳, 董帆, 李欣蔚, 崔雯
【申请人】重庆工商大学