专利名称：微机电晶圆的切割方法
技术领域：
本发明是关于一种晶圆切割方法，详言之，是关于一种微机电晶圆的切割方法。
背景技术：
在一般已知微机电晶圆的切割方法中，将晶圆贴附于一承载膜上，接着，再于晶圆 的主动面贴附一层贴布，作为对晶圆的数个微机电晶粒做一屏障，之后进行切割工艺，以分 离这些微机电晶粒。然而，因为已知微机电晶圆的切割方法利用贴布完全贴合晶圆的主动面，亦即，贴 布完全贴合这些微机电晶粒的感测区，因此，在切割分离这些微机电晶粒后，移除该贴布时 易破坏这些微机电晶粒的感测区而造成这些微机电晶粒损坏。因此，实有必要提供一种创新且具进步性的微机电晶圆的切割方法，以解决上述 问题。
发明内容
本发明提供一种微机电晶圆的切割方法，其包括以下步骤(a)提供一晶圆，该晶 圆具有一主动面、一背面、数个微机电晶粒及数个切割道，每一微机电晶粒具有一感测区， 这些切割道位于这些微机电晶粒之间；(b)贴附一承载膜于该背面；(c)设置一保护膜于该 主动面，该保护膜具有数个凹口，这些凹口覆盖这些感测区；(d)根据这些切割道切割该保 护膜及该晶圆，以分离这些微机电晶粒；及(e)移除该保护膜。在本发明的微机电晶圆切割方法中，先设置具有数个凹口的保护膜于该主动面， 使得这些凹口覆盖这些微机电晶粒的感测区，藉此，不仅可在切割工艺中避免这些微机电 晶粒的感测区受到污染及破坏，且可避免在移除该保护膜时对这些微机电晶粒的感测区造 成伤害。
图1显示本发明贴附一承载膜于晶圆的背面的示意图；图2显示本发明保护膜的示意图；图3显示本发明该保护膜的第一贴层的示意图；图4显示本发明设置该保护膜于该晶圆的主动面，且根据切割道切割该保护膜及 该晶圆的示意图；图5显示本发明完成分离该晶圆的微机电晶粒的示意图；及图6显示本发明分离这些微机电晶粒后移除该保护膜的示意图。
具体实施例方式配合参考图1至图6，其显示本发明微机电晶圆的切割方法的步骤示意图。参考 图1，首先提供一晶圆1，该晶圆1具有一主动面11、一背面12、数个微机电晶粒13及数个切割道14。每一微机电晶粒13具有一感测区131，这些切割道14位于这些微机电晶粒13 之间。这些切割道14作为在切割分离这些微机电晶粒13时的参考基准。在本实施例中，这些微机电晶粒13的感测区131具有一振动薄膜。然而，在其它 应用中，这些微机电晶粒13的感测区131可为感光区域。再参考图1，贴附一承载膜2于该背面12，用以承载该晶圆1。配合参考图2至图 4，设置一保护膜3于该主动面11，该保护膜3具有数个凹口 31，且这些凹口 31覆盖这些感 测区131。其中，每一凹口 31的开口不小于相应的感测区131，较佳地，每一凹口 31的开口 大于相应的感测区131 (本实施例)。另外，在设置该保护膜3于该主动面11之前，本发明的方法另包括一形成该保护 膜3的步骤。形成该保护膜3的步骤包括以下步骤提供一第一贴层32，该第一贴层32具 有数个透孔321 (图幻，这些透孔321对应这些感测区131 ；及结合该第一贴层32于一第二 贴层33的一表面，这些透孔321与该第二贴层33的表面形成这些凹口 31 (图幻。这些透 孔321可选择以任何适当的方法制作，例如，这些透孔321可以冲压工艺或激光穿孔工艺形 成。配合参考图4及图5，根据这些切割道14切割该保护膜3及该晶圆1，以分离这些 微机电晶粒13。其中，因为这些凹口 31覆盖这些感测区131，因此在切割工艺中这些感测 区131不会受到外界(例如，高压水或硅渣)的污染及破坏，而造成这些微机电晶粒13损坏。在本实施例中，本发明的方法利用一切割刀4切割分离这些微机电晶粒13，在其 它应用中，本发明的方法亦可选择以任何适当的方法切割分离这些微机电晶粒13，例如，以 激光切割分离这些微机电晶粒13。参考图6，移除该保护膜3。其中，若该保护膜3为紫外光(UV)固化层，移除该保 护膜3包括以下步骤以紫外光照射该保护膜3 ；及移除该保护膜3。若该保护膜3为热脱 膜，移除该保护膜3包括以下步骤加热该保护膜3，使其卷边变形；及移除该保护膜3。因 为该保护膜3的这些凹口 31覆盖这些感测区131，而该保护膜3不直接贴附于这些感测区 131，因此在切割分离这些微机电晶粒13后，移除该保护膜3时不会破坏这些感测区131而 造成这些微机电晶粒13损坏。在本发明的微机电晶圆切割方法中，先设置具有数个凹口 31的保护膜3于该主动 面11，使得这些凹口 31覆盖这些微机电晶粒13的感测区131，藉此，不仅可在切割工艺中 避免这些微机电晶粒13的感测区131受到污染及破坏，且可避免在移除该保护膜3时对这 些微机电晶粒13的感测区131造成伤害。上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，并非限制本发明。因此习于此技术 的人士对上述实施例进行修改及变化仍不脱本发明的精神。本发明的权利范围应如权利要 求书所列。
权利要求
1.一种微机电晶圆的切割方法，包括以下步骤(a)提供一晶圆，该晶圆具有一主动面、一背面、数个微机电晶粒及数个切割道，每一微 机电晶粒具有一感测区，这些切割道位于这些微机电晶粒之间；(b)贴附一承载膜于该背面；(c)设置一保护膜于该主动面，该保护膜具有数个凹口，这些凹口覆盖这些感测区；(d)根据这些切割道切割该保护膜及该晶圆，以分离这些微机电晶粒；及(e)移除该保护膜。
2.如权利要求1的方法，其中在步骤(c)中每一凹口的开口不小于相应的感测区。
3.如权利要求2的方法，其中在步骤(c)之前另包括一形成该保护膜的步骤，包括以下 步骤(Cl)提供一第一贴层，该第一贴层具有数个透孔，这些透孔对应这些感测区；及 (c2)结合该第一贴层于一第二贴层的一表面，这些透孔与该第二贴层的表面形成这些 凹口。
4.如权利要求3的方法，其中在步骤(cl)中这些透孔以冲压工艺或激光穿孔工艺所形成。
5.如权利要求1的方法，其中在步骤(a)中，这些微机电晶粒的感测区为感光区域。
6.如权利要求1的方法，其中在步骤(a)中，这些微机电晶粒的感测区具有一振动薄膜。
7.如权利要求1的方法，其中在步骤(d)中以切割刀切割分离这些微机电晶粒。
8.如权利要求1的方法，其中在步骤(d)中以激光切割分离这些微机电晶粒。
9.如权利要求1的方法，其中该保护膜为紫外光固化层，且步骤(e)包括以下步骤 (el)以紫外光照射该保护膜；及(e2)移除该保护膜。
10.如权利要求1的方法，其中该保护膜为热脱膜，且步骤(e)包括以下步骤 (el)加热该保护膜，使其卷边变形；及(e2)移除该保护膜。
全文摘要
在本发明的微机电晶圆切割方法中，其先贴附一承载膜于一晶圆的背面；接着设置一保护膜于该晶圆的主动面，使得该保护膜的数个凹口覆盖该主动面的数个感测区；再根据该晶圆的切割道切割该保护膜及该晶圆，以分离形成数个微机电晶粒；最后移除该保护膜。经由设置具有数个凹口的保护膜于该主动面，使得这些凹口覆盖这些微机电晶粒的感测区，藉此，不仅可在切割工艺中避免这些微机电晶粒的感测区受到污染及破坏，且可避免在移除该保护膜时对这些微机电晶粒的感测区造成伤害。
文档编号B81C1/00GK102120560SQ20101000358
公开日2011年7月13日 申请日期2010年1月12日 优先权日2010年1月12日
发明者彭嘉俊, 许翰诚 申请人:南茂科技股份有限公司