一种MEMS器件及其制备方法、电子装置与流程

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。

背景技术：

随着半导体技术的不断发展，在传感器(motion sensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。

其中，MEMS传感器广泛应用于汽车电子：如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器；消费电子：如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤，洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器，空调压力传感器，洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器；工业电子：如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等，电子音像领域：麦克风等设备。

其中，麦克风是一种能把声音能量转化为电能的传感器件，电容器(Condenser)MEMS麦克风原理就是通过声压引起振动模的振动，进而改变电容而引起电压的改变。当今，随着科技的发展与需求的不断增长，人们对电容器(Condenser)MEMS麦克风的需求量也越来越多，特别是高灵敏度的麦克风需求。

MEMS麦克风主要结构有振膜(VP)、空气间隙(Gap)和背板组成，其中背板有电极PE(形成电容的电极)和SiN(固定背板以及形成停止结构Stopper)组成，其中停止结构(stopper)(SIN材料)作用是防止振膜在振动时与背板粘连，保护振膜。

在麦克风产品HTB可靠性测试中，发现灵敏度越高的样品，其失效率会越高。进行3D轮廓(profile)分析失效的样品，发现振膜下极板已经与上极板完全贴合。测试中由于外加偏压的作用，会使得电容器上下极板由于电场的作用相互吸引而发生形变(平行板执行器原理)，当上下极板的电压达到18V时(吸合电压为18V)，VP会接触上极板的停止结构(stopper)，当粘合力大于下极板回复力时，与停止结构(stopper)接触后发生粘连无法恢复，造成可靠性失效。下极板灵敏度越高其回复力就越小，越容易导致粘连，所以为了稳定的产品可靠性，大大限制了产品的灵敏度窗口(window)。

为了解决上述问题需要对目前所述MEMS麦克风及其制备方法作进一步的改进。

技术实现要素：

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：

基底；

振膜，位于所述基底的上方；

背板，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之间；

其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。

可选地，从所述背板的中心区域向所述背板的边缘区域所述停止结构的设置密集程度逐渐增加。

可选地，所述背板中形成有若干声孔，以露出所述振膜。

可选地，所述基底中形成有背腔，以露出部分所述振膜。

本发明还提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有图案化的振膜；

在所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层上形成若干相互间隔的环形凹槽；

在所述牺牲层上形成背板，以覆盖所述牺牲层，同时填充所述环形凹槽，以在所述背板的表面形成停止结构。

可选地，从所述背板的中心区域向所述背板的边缘区域所述停止结构的设置密集程度逐渐增加。

可选地，图案化所述牺牲层的步骤包括：

在所述基底和所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

在所述牺牲层上形成图案化的掩膜层，在所述掩膜层中形成有环形凹槽图案；

以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述牺牲层，以在所述牺牲层形成所述环形凹槽。

可选地，所述方法还进一步包括：

图案化所述背板，以在所述背板中形成声孔并露出所述牺牲层；

去除所述牺牲层，以在所述背板和所述振膜之间形成空腔并露出所述停止结构。

可选地，所述方法还进一步包括图案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔并露出部分所述振膜。

本发明还提供了一种电子装置，所述电子装置包括上述的MEMS器件。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。新的停止结构设计(design Stopper)采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积。减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，新结构的可靠性更好。此外，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

本发明的MEMS器件，由于采用了上述制造方法，因而同样具有上述优点。本发明的电子装置，由于采用了上述MEMS器件，因而同样具有上述优点。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的装置及原理。在附图中，

图1为本发明中所述MEMS器件的制备工艺流程图；

图2a为本发明中所述MEMS器件的结构示意图；

图2b为本发明中所述MEMS器件中所述停止结构的放大示意图和俯视图；

图3a-3c为本发明中所述MEMS器件的制备过程示意图；

图4为本发明中移动电话手机的示例的外部视图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：

一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

基底201；

振膜203，位于所述基底的上方；

背板202，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之间；

其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构204，所述停止结构呈中空的环形形状。

可选地，其中所述背板202包括相对设置的两个表面，其中，所述背板的正面为向上的表面，所述背板的背面为向下的表面，其中所述背板的背面为朝向所述振膜的表面。

在本申请中在与所述振膜相对的所述背板的一表面，即在所述背板的背面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构204。

为了解决现有技术中存在的振膜会接触上极板的停止结构(stopper)，当粘合力大于下极板回复力时，与停止结构(stopper)接触后发生粘连无法恢复，造成可靠性失效的问题，本申请改变所述停止结构的形状，例如将所述停止结构设置为环形结构，所述环形结构的厚度很小，即采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积，以减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。

此外，从所述背板的中心区域向所述背板的边缘区域所述停止结构的设置密集程度逐渐增加。

具体地，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

此外，本申请还提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有图案化的振膜；

在所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层上形成若干相互间隔的环形凹槽；

在所述牺牲层上形成背板，以覆盖所述牺牲层，同时填充所述环形凹槽，以在所述背板的表面形成停止结构。

可选地，图案化所述牺牲层的步骤包括：

在所述基底和所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

在所述牺牲层上形成图案化的掩膜层，所述掩膜层中形成有环形凹槽图案；

以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述牺牲层，以在所述牺牲层形成所述环形凹槽。

可选地，所述方法还进一步包括：

图案化所述背板，以在所述背板中形成声孔并露出所述牺牲层；

去除所述牺牲层，以在所述背板和所述振膜之间形成空腔并露出所述停止结构。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。新的停止结构设计(design Stopper)采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积。减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。此外，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

实施例一

下面结合附图2a和2b对所述方法作进一步的说明，其中图2a为本发明中所述MEMS器件的结构示意图；图2b为本发明中所述MEMS器件中所述停止结构的放大示意图和俯视图。

本申请所述MEMS器件包括：

基底201；

振膜203，位于所述基底的上方；

背板202，位于所述振膜的上方；

空腔，位于所述振膜和所述背板之间；

其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构204，所述停止结构呈中空的环形形状。

如图2a所示，其中，所述基底201可以选用半导体衬底或者MEMS麦克风器件的衬底，例如所述基底201可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。

其中，所述振膜203选自半导体材料、金属材料和活性树脂中的一种。

其中，所述振膜可以是半导体，比如多晶硅；也可以是其他金属，比如铝、铜、钛或铬。此外，所述振膜也可以是其他材料，比如活性树脂BCB。

其中，所述振膜可采用包括但不限于外延生长法、有机合成法、化学气相沉积(CVD)或等离子增强化学气相沉积法(PECVD)等沉积方法形成。

其中，所述背板202选用导电材料或者掺杂的半导体材料，可选地，在该实施例中选用掺杂的硅。

其中，所述掺杂离子并不局限于某一种，例如可以为B、P、N、As等，不再一一列举。

在该步骤中所述背板202通过共晶结合或者热键合的方法与所述牺牲层键合，以形成一体的结构。

在所述基底中形成有背腔，在底部露出所述振膜。

可选地，其中所述背板202包括相对设置的两个表面，其中，所述背板的正面为向上的表面，所述背板的背面为向下的表面，其中所述背板的背面为朝向所述振膜的表面。

在本申请中在与所述振膜相对的所述背板的表面，即在所述背板的背面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构204。

为了解决现有技术中存在的振膜会接触上极板的停止结构(stopper)，当粘合力大于下极板回复力时，与停止结构(stopper)接触后发生粘连无法恢复，造成可靠性失效的问题，本申请改变所述停止结构的形状，例如将所述停止结构设置为环形结构，所述环形结构的厚度很小，即采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积，以减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。

此外，从所述背板的中心区域向所述背板的边缘区域所述停止结构的设置密集程度逐渐增加。

具体地，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效，如图2b所示。

在本发明中所述背板为固定电极，所述振膜为动电极，所述背板和所述振膜之间的空腔为介电质，振膜受到压力之后，振膜(Membrane)产生形变，如图2a所示，振膜的运动产生电容的变化，利用电容变化量进行运算和工作，通过振膜将声音信号转换成电信号。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：基底；振膜，位于所述基底的上方；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；其中，在与所述振膜相对的所述背板的表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。新的停止结构设计(design Stopper)采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积。减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。此外，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

实施例二

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，下面结合附图对所述方法作进一步的说明。其中，图3a-3c为本发明中所述MEMS器件的制备过程示意图；图4为本发明中移动电话手机的示例的外部视图。

图1为本发明中所述MEMS器件的制备工艺流程图，具体包括以下步骤：

步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有图案化的振膜；

步骤S2：在所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

步骤S3：图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层上形成若干相互间隔的环形凹槽；

步骤S4：在所述牺牲层上形成背板，以覆盖所述牺牲层，同时填充所述环形凹槽，以在所述背板的表面形成停止结构。

下面以附图1中的工艺流程图为基础，对所述方法展开进行详细说明。

执行步骤一，提供基底201，在所述基底上形成有图案化的振膜203。

具体地，如图3a所示，所述基底201可以选用半导体衬底或者MEMS麦克风器件的衬底，例如所述基底201可以是以下所提到的材料中的至少一种：硅、绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。

在所述半导体衬底201上形成有绝缘层。所述绝缘层可以选用SiN，但不局限于所述材料。

在所述绝缘层上形成振膜材料并图案化，以形成振膜。

其中，所述振膜可以是半导体，比如多晶硅；也可以是其他金属，比如铝、铜、钛或铬。此外，所述振膜也可以是其他材料，比如活性树脂BCB。

其中，所述振膜可采用包括但不限于外延生长法、有机合成法、化学气相沉积(CVD)或等离子增强化学气相沉积法(PECVD)等沉积方法形成。

具体地，在该步骤中通过干法蚀刻所述振膜材料层，以形成目标图案的振膜。

在本发明中可以根据所选材料的不同来选择蚀刻气体，例如在本发明中可以选择CF4、CO2、O2、N2中的一种或者多种，所述蚀刻压力可以为20-300mTorr，优选为50-150mTorr，功率为200-600W。

在该步骤中还可以在所述振膜中形成开口，以调节形成的所述振膜中的应力。

例如在所述振膜的内侧形成若干开口，以释放所述振膜中的应力。

执行步骤二，在所述振膜上形成牺牲层205，以覆盖所述振膜。

具体地，如图3a所示，形成所述牺牲层的步骤包括：在所述基底和所述振膜上形成牺牲材料层，以覆盖所述基底和所述振膜，如图3a所示。

所述牺牲层可选为氧化物层，例如SiO2和掺碳氧化硅(SiOC)等材料，并不局限于某一种。

所述牺牲层可以选用现有技术中常用的沉积方法，例如可以是通过化学气相沉积(CVD)法、物理气相沉积(PVD)法或原子层沉积(ALD)法等形成的。本发明中优选原子层沉积(ALD)法。

执行步骤三，图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层上形成若干相互间隔的环形凹槽。

具体地，如图3b所示，图案化所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成环形凹槽，图案化所述牺牲层的步骤包括：在所述牺牲层上形成掩膜层，例如光刻胶层，然后对所述光刻胶层进行曝光显影，形成环形凹槽图案，然后以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述牺牲层，以在所述牺牲层中形成环形凹槽。

在该步骤中选用干法蚀刻，例如可以选用择CF4、CO2、O2、N2中的一种或者多种。

具体地，所述环形凹槽中侧壁的厚度很小，即采用更细的环形结构，能有效的减少后续形成的停止结构的整体的接触面积，以减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。

执行步骤四，在所述牺牲层上形成背板，以覆盖所述牺牲层，同时填充所述环形凹槽，以在所述背板的表面形成停止结构。

具体地，如图3c所示，该步骤中形成背板202，以在后续的步骤中形成固定电极。

因此所述背板202选用导电材料或者掺杂的半导体材料，可选地，在该实施例中选用掺杂的硅。

其中，所述掺杂离子并不局限于某一种，例如可以为B、P、N、As等，不再一一列举。

在该步骤中沉积背板材料层，以覆盖所述牺牲层并填充所述环形凹槽，以作为停止结构。所述背板材料层的沉积方法可以选用本领域内的常规方法，并不局限于某一种。

通过所述环形凹槽在与所述振膜相对的所述背板的一表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构204，所述停止结构呈中空的环形形状。

为了解决现有技术中存在的振膜会接触上极板的停止结构(stopper)，当粘合力大于下极板回复力时，与停止结构(stopper)接触后发生粘连无法恢复，造成可靠性失效的问题，本申请改变所述停止结构的形状，例如将所述停止结构设置为环形结构，所述环形结构的厚度很小，即采用更细的环形结构，能有效的减少整体的接触面积，以减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。

此外，从所述背板的中心区域向所述背板的边缘区域所述停止结构的设置密集程度逐渐增加。

具体地，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

执行步骤五，图案化所述背板，以在所述背板中形成声孔并露出所述牺牲层；去除所述牺牲层，以在所述背板和所述振膜之间形成空腔并露出所述停止结构。

可选地，还可以在所述基底、所述振膜和所述牺牲层上形成保护层，以覆盖所述牺牲层，然后图案化所述保护层和所述振膜，以在所述保护层和所述振膜中形成开口并露出所述牺牲层；最后去除所述振膜和所述背板之间的所述牺牲层。

具体地，所述保护层可以选用本领域常用的钝化材料，在该步骤中，所述保护层207为选自PESIN层、PETEOS层、SiN层和TEOS层中的一种或者多种。

其中，所述牺牲层选用氧化物层时，可以选用TMAH的湿法蚀刻去除所述牺牲材料层。

在该步骤中选用缓冲蚀刻工艺(Buffered Oxide Etch)对所述MEMS器件进行浸泡。

其中，所述缓冲蚀刻工艺选用缓冲蚀刻液，缓冲蚀刻液BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。

例如6:1BOE蚀刻即表示49％HF水溶液：40％NH4F水溶液＝1：6(体积比)的成分混合而成。其中，HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。其中，利用NH4F固定H⁺的浓度，使之保持一定的蚀刻率。

所述缓冲蚀刻液中还包含有一定量的表面活性剂。

所述湿法蚀刻温度为25-90℃，所述湿法蚀刻时间为10s-1000s，但是并不局限于该示例，还可以选用本领域常用的其他方法。

所述方法还进一步包括图案化所述基底的背面，以在所述基底中形成背腔并露出部分所述振膜。

至此，完成了本发明实施例的MEMS器件制备的相关步骤的介绍。在上述步骤之后，还可以包括其他相关步骤，此处不再赘述。并且，除了上述步骤之外，本实施例的制备方法还可以在上述各个步骤之中或不同的步骤之间包括其他步骤，这些步骤均可以通过现有技术中的各种工艺来实现，此处不再赘述。

本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，在形成所述牺牲层之后在所述牺牲层中形成环形凹槽，以在形成背板时在与所述振膜相对的所述背板的一表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。新的停止结构设计(design Stopper)采用更细的环形结构，能有效的减少整体的的接触面积。减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。此外，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

实施例三

本发明还提供了一种电子装置，包括实施例一所述的MEMS器件，所述MEMS器件根据实施例二所述方法制备得到。

本实施例的电子装置，可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、VCD、DVD、导航仪、数码相框、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可为任何包括电路的中间产品。本发明实施例的电子装置，由于使用了上述的MEMS器件，因而具有更好的性能。

其中，图4示出移动电话手机的示例。移动电话手机300被设置有包括在外壳301中的显示部分302、操作按钮303、外部连接端口304、扬声器305、话筒306等。

其中所述移动电话手机包括实施例一所述的MEMS器件，所述MEMS器件包括基底；振膜，位于所述基底的上方；背板，位于所述振膜的上方；空腔，位于所述振膜和所述背板之间；其中，在与所述振膜相对的所述背板的一表面上形成有若干向所述振膜方向延伸的停止结构，所述停止结构呈中空的环形形状。所述停止结构呈中空的环形形状。新的停止结构设计(design Stopper)采用更细的环形结构，能有效的减少整体的的接触面积。减少粘合力，在振膜(下极板)灵敏度相同的情况下，可靠性更好。此外，本申请还优化了停止结构的图样的密度设计，四周密集的分布，中间的稀疏分布，能更有效的防止下极板中间区域的失效。

本发明的电子装置，由于采用了上述MEMS器件，因而同样具有上述优点。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。