技术特征：
技术总结
本申请的目的是提供一种真空封装结构及其封装方法，本申请的真空封装结构中在真空腔体的硅衬底上刻蚀有空柱结构和沟渠结构，采用热绝缘材料对空柱结构和沟渠结构进行填充，连接着硅衬底和悬浮膜结构，不仅可以增强敏感为结构的机械强度，同时该热绝缘材料不会带来热损耗的增加；由于沟渠结构在悬浮膜结构的正下方，不与硅衬底连接，也可以在增强敏感微结构的机械强度的同时，不会带来热损耗的增加，采用空柱结构和沟渠结构的设计不仅增强了敏感微结构的机械强度和可靠性，还可以达到很好的均匀性；加之，封装腔体内的真空封装将悬浮膜结构下方的气体热传导消除，提高了热传感器的热绝缘性，从容提高了信号强度。
技术研发人员：徐德辉
受保护的技术使用者：上海烨映电子技术有限公司
技术研发日：2018.04.26
技术公布日：2018.10.12