1.一种基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，包括：
硅基纳米线基片结构，自下而上顺次包括：非掺杂硅衬底(100)、硅缓冲层(101)、锗层(102)、硅包覆层(103)和二氧化硅层(104)；所述锗层(102)中还包括量子点(601)；所述锗层(102)、硅包覆层(103)和二氧化硅层(104)形成凸起结构作为硅基纳米线；
量子点电极结构，包括：
源电极(401)和漏电极(402)，分别置于所述硅基纳米线结构的两端，且与所述硅基纳米线结构零维接触；
绝缘层(201)，制备于所述硅基纳米线基片结构的所述二氧化硅层(104)上；
顶栅极电极(501)，生长于所述绝缘层(201)上；所述绝缘层(201)隔绝所述顶栅极电极(501)与源电极(401)和漏电极(402)；所述顶栅极电极(501)用于调节载流子在量子点电极结构中的状态。
2.根据权利要求1所述的基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，
纳米线锗内核层(105)，在所述锗层(102)中部位置形成的凸起；
纳米线硅包覆层(106)，在所述硅包覆层(103)中部位置形成的凸起；
纳米线二氧化硅保护层(107)，在所述二氧化硅层(104)中部位置形成的凸起。
3.根据权利要求1所述的基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，还包括测量电路，用于调节源电极(401)、漏电极(402)和顶栅极电极(501)的电压，以调控载流子在量子点(601)与漏电极(402)和源电极(401)之间的隧穿，所述测量电路包括：
偏置电压，施加于所述源电极(401)上；
栅极电压，施加于所述顶栅极电极(501)上，用于调节载流子在量子点(601)与漏电极(402)和源电极(401)之间的运输状态；
数字万用表，施加于所述漏电极(402)上，用于测量载流子与漏电极(402)和源电极(401)之间的运输电流。
4.根据权利要求1所述的基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，还包括：电极标记电路，所述电极标记电路包括：
小号标记电极(304)，用于精确定位所述硅基纳米线位置，并校准和套刻所述源电极(401)、所述漏电极(402)和所述顶栅极电极(501)；
大号标记电极(303)，用于校准和套刻所述小号标记电极(304)；
栅极大电极(701)，用于连接所述顶栅极电极(501)；
源大电极(301)，通过条带状电极与所述源电极(401)相连，用于连接所述源电极(401)；
漏大电极(302)，通过条带状电极与所述漏电极(402)相连，用于连接所述漏电极(402)。
5.根据权利要求4所述的基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，
所述大号标记电极(303)包括：一个大号斜交叉电极组，所述大号斜交叉电极组宽度为10μm、长度为100μm；所述大号斜交叉电极组包括四个大号斜交叉电极；
所述小号标记电极(304)包括：多个小号斜交叉电极组，所述小号斜交叉电极组宽度为10nm、长度为100nm；所述小号斜交叉电极组包括四个小号斜交叉电极。
6.根据权利要求4所述的基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，所述源大电极(301)、漏大电极(302)和栅极大电极(701)为方片状电极；所述源大电极(301)和漏大电极(302)和栅极大电极(701)的材料为钛/金，厚度为5nm/45nm。
7.根据权利要求1所述的基于零维欧姆接触的硅基纳米线量子点的装置，其特征在于，所述源电极(401)、漏电极(402)和顶栅极电极(501)的材料为钛/钯，厚度为3nm/25nm。