1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层；其中，所述牺牲层覆盖所述突出结构和/或凹陷结构，形成所述牺牲层的材料为碳涂层材料。
在所述牺牲层上形成结构层；
释放所述牺牲层，形成所述半导体器件。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述碳涂层材料的组成元素的质量百分比满足以下条件的其中之一或任意组合：
所述碳的质量百分比大于或等于75％且小于或等于85％、所述氢的质量百分比大于或等于1％且小于10％、所述氧的质量百分比大于10％且小于20％。
3.如权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述碳涂层材料的组成元素的质量百分比满足以下条件的其中之一或任意组合：
所述碳的质量百分比为80％、所述氢的质量百分比为5％、所述氧的质量百分比为15％。
4.如权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述碳涂层材料为富勒烯基高分子材料。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在形成有突出结构和/或凹陷结构的衬底的表面形成牺牲层，包括：
采用旋涂工艺在所述衬底的表面沉积所述碳涂层材料，形成碳涂层材料层；
对所述碳涂层材料层进行固化；
对固化后的所述碳涂层材料层进行图形化，形成所述牺牲层。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述对所述碳涂层材料层进行固化之后，所述对固化后的所述碳涂层材料层进行图形化，形成所述牺牲层之前，还包括：
在所述碳涂层材料层上形成中间层；其中，形成所述中间层的材料为无机材料；
对所述中间层进行图形化；
所述对固化后的所述碳涂层材料层进行图形化，形成所述牺牲层，具体为：
将所述中间层进行图形化后的图案转移到所述固化后的所述碳涂层材料层上，形成所述牺牲层。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述释放所述牺牲层，形成所述半导体器件，具体为：
采用等离子体灰化技术，释放所述牺牲层，形成所述半导体器件。
8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制作方法，所述牺牲层的厚度小于300纳米。
9.如权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制作方法，所述半导体器件为超声换能器。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求1至7中任一项所述的半导体器件的制作方法制作而成。
11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底与所述结构层之间形成的空腔结构的高度小于300纳米。
12.如权利要求10或11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为超声换能器。