1.一种用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
s1、在基底上沉积六边形的聚苯乙烯微球单层膜，所述聚苯乙烯微球的直径为100nm～10μm；
s2、在s1的聚苯乙烯微球单层膜上旋涂苯乙烯-乙醇溶液，并进行等离子刻蚀；
s3、通过电子束蒸镀在经过等离子刻蚀后的结构上蒸镀10～100nm的金，即得纳米桥。
2.根据权利要求1所述的用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，步骤s2所述苯乙烯的浓度为1～20％，旋涂的速度为1000～4000rpm。
3.根据权利要求1所述的用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，步骤s2等离子刻蚀的条件为：刻蚀的氧分压为10～95％，载气为ar或n2，功率为20～150w，反应压强为0.1～10mbar之间，刻蚀时间为20s～500s。
4.根据权利要求1所述的用于改良逾渗系统的纳米桥的制备方法，其特征在于，步骤s3蒸镀沉积速率为0.2～6a/s。
5.一种传感器，其特征在于，包含权利要求1至4任一项所述方法得到的纳米桥。
6.权利要求1至4任一项所述方法得到的纳米桥在制备传感器的应用。