值。
[0036]接着，测量该类型产品的其他多批次晶圆在横向腐蚀形成空腔后的质量，这样，得到空腔形成后的衬底的质量变化数据，根据这些质量数据，确定质量容差范围(spec)。也可以在获得多个晶片的质量后，根据其他的算法来获得晶片的质量目标值和质量容差范围。
[0037]而后，提供衬底，在衬底上进行横向刻蚀形成空腔。
[0038]在该步骤中，即对上述特定型号产品的量产的晶片进行监测。同上步骤中采样晶片的横向刻蚀的步骤，在量产晶片上进行横向刻蚀形成空腔。
[0039]接着，获得空腔形成后的衬底的质量。
[0040]以上衬底质量的获得，可以通过高精度的质量量测设备获得。
[0041 ] 最后，判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。
[0042]如果量产晶片质量在质量目标值的容差范围内，可以认为横向刻蚀形成空腔的工艺达到工艺要求，反之，可以认为没有达到工艺要求，当连续出现没有达到工艺要求的晶圆时，可以进一步进行分析，并对工艺条件进行调整。
[0043]实施例二
[0044]以下将结合图2详细描述以横向刻蚀衬底形成空腔前、后质量差为目标进行监测的实施例。
[0045]首先，提供横向刻蚀形成空腔前、后的质量差目标值以及其容差范围。
[0046]在本实施例中，选择特定型号产品的晶片为采样晶片，用于确定横向刻蚀形成空腔前、后衬底的质量目标值。首先，获得预备进行横向刻蚀形成空腔时衬底的第一质量；紧接着，进行横向刻蚀形成空腔的步骤，同实施例一种空腔形成的步骤，从而形成空腔，接着，获得此时衬底的第二质量，同时，通过扫描电子显微镜(SEM)获得该空腔的工艺参数，并对这些工艺参数进行分析，工艺参数可以包括横向腐蚀形成的空腔的深度、宽度以及深宽间的夹角等，若达到工艺要求，则确定第二质量和第一质量的差值为质量差目标值。
[0047]接着，测量该类型产品的其他多批次晶圆在横向腐蚀形成空腔前、后的质量，这样，得到空腔形成前、后的衬底的质量差变化数据，根据这些质量差数据，确定质量差容差范围(spec)。也可以在获得多个晶片的质量差后，根据其他的算法来获得晶片的质量差目标值和质量差容差范围。
[0048]也可以在获得多个晶片的质量后，根据其他的算法来获得晶片的质量差目标值和质量差容差范围。
[0049]而后，进行该型号的量产晶片的横向刻蚀工艺的监测。
[0050]首先，提供横向刻蚀形成空腔之前的衬底，获得该衬底的第一质量。
[0051]对于该类型的量产晶片，先获得预备进行横向刻蚀步骤时的衬底的第一质量。
[0052]接着，提供横向刻蚀形成空腔后的衬底，获得该衬底的第二质量。
[0053]对于该类型的量产晶片，衬底进行了横向刻蚀形成空腔，此时，获得衬底的第二质量。
[0054]以上衬底质量的获得，可以通过高精度的质量量测设备获得。
[0055]最后，判断第二质量与第一质量的质量差是否在质量差目标值的容差范围内
[0056]如果量产晶片质量差在质量差目标值的容差范围内，可以认为横向刻蚀工艺达到工艺要求，反之，可以认为没有达到工艺要求，当连续出现没有达到工艺要求的晶圆时，可以进一步进行分析，并对工艺条件进行调整。
[0057]虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种MEMS横向刻蚀工艺的监测方法，其特征在于，包括: 提供横向刻蚀形成空腔后的衬底的质量目标值以及其容差范围； 提供衬底，在衬底上进行横向刻蚀形成空腔； 获得空腔形成后的衬底的质量； 判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。2.根据权利要求1所述的监测方法，其特征在于，提供质量目标值的步骤具体为:测量特定产品的衬底在横向刻蚀形成空腔后的质量，通过扫描电子显微镜获得并分析该空腔的工艺参数，确定该衬底的质量为质量目标值。3.根据权利要求2所述的监测方法，其特征在于，提供质量容差值的步骤具体为:测量该特定产品的其他多批次衬底在横向刻蚀形成空腔后的质量，得到空腔形成后的质量变化数据，以确定容差范围。4.一种MEMS横向刻蚀工艺的监测方法，其特征在于，包括: 提供横向刻蚀形成空腔前、后的质量差目标值以及其容差范围； 提供进行横向刻蚀前的衬底，获得该衬底的第一质量； 提供横向刻蚀形成空腔后的衬底，获得该衬底的第二质量； 判断第二质量与第一质量的质量差是否在质量差目标值的容差范围内。5.根据权利要求4所述的监测方法，其特征在于，提供质量差目标值的步骤具体为:测定特定产品的衬底在刻蚀形成空腔前、后的质量，通过扫描电子显微镜获得并分析该空腔的工艺参数，确定该衬底的质量为质量目标值。6.根据权利要求5所述的监测方法，其特征在于，提供质量差容差值的步骤具体为:测量该特定产品的其他多批次衬底在横向刻蚀形成空腔前、后的质量，得到空腔形成前、后的质量差变化数据，以确定容差范围。
【专利摘要】本发明提供一种MEMS横向刻蚀工艺的监测方法，该方法包括：提供横向刻蚀形成空腔后的衬底的质量目标值以及其容差范围；提供衬底，在衬底上进行横向刻蚀形成空腔；获得空腔形成后的衬底的质量；判断该质量是否在质量目标值的容差范围内。该方法直观、快速并对晶圆没有损伤，也无需特定的测试结构，适用于量产时对MEMS横向刻蚀制程的有效监测，提高空腔的质量。
【IPC分类】B81C1/00, B81C99/00
【公开号】CN105347296
【申请号】CN201410410034
【发明人】杨涛, 李俊杰, 李俊峰, 赵超
【申请人】中国科学院微电子研究所
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2014年8月19日