接着，如图2C所示，去除光致抗蚀剂层204。在本实施例中，采用剥离技术去除光致抗蚀剂层204，以将覆盖在光致抗蚀剂层204的侧壁和顶部上的金属层205 —并去除。
[0030]接着，如图2D所示，采用旋转涂布工艺形成另一光致抗蚀剂层206，覆盖金属层205、沟槽201的侧壁以及所述堆叠体，仅露出沟槽201的顶端拐角部分。
[0031]接着，如图2E所示，以另一光致抗蚀剂层206为掩膜，蚀刻沟槽201的顶端拐角部分，直至沟槽201的顶端拐角部分207发生圆化。作为示例，所述蚀刻为常规的干法蚀刻。
[0032]接着，如图2F所示，采用喷雾涂布工艺再次形成另一光致抗蚀剂层206，以覆盖前次采用旋转涂布工艺形成的另一光致抗蚀剂层206以及发生圆化的沟槽201的顶端拐角部分。
[0033]接着，如图2G所示，图案化另一光致抗蚀剂层206，以在另一光致抗蚀剂层206中形成开口图案208。然后，以另一光致抗蚀剂层206为掩膜，蚀刻去除通过开口图案208露出的金属层205，作为示例，所述蚀刻为常规的干法蚀刻。
[0034]接着，如图2H所示，去除另一光致抗蚀剂层206。作为示例，采用灰化工艺实施所述去除。
[0035]至此，完成了根据本发明示例性实施例一的方法实施的工艺步骤。根据本发明，可以使光致抗蚀剂层206完全覆盖形成于半导体衬底200中的沟槽201的顶端拐角部分，确保后续蚀刻形成于沟槽201中的金属层205时可以获得所需的金属层图形。
[0036]参照图3，其中示出了根据本发明示例性实施例一的方法依次实施的步骤的流程图，用于简要示出制造工艺的流程。
[0037]在步骤301中，提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多个堆叠体；
[0038]在步骤302中，在所述堆叠体之间的半导体衬底中形成沟槽；
[0039]在步骤303中，在沟槽中沉积金属层；
[0040]在步骤304中，采用旋转涂布工艺形成光致抗蚀剂层，覆盖金属层、沟槽的侧壁以及所述堆叠体，仅露出沟槽的顶端拐角部分；
[0041]在步骤305中，蚀刻沟槽的顶端拐角部分，以使沟槽的顶端拐角部分发生圆化；
[0042]在步骤306中，采用喷雾涂布工艺再次形成光致抗蚀剂层，以覆盖前次采用旋转涂布工艺形成的光致抗蚀剂层以及发生圆化的沟槽的顶端拐角部分；
[0043]在步骤307中，图案化所述光致抗蚀剂层，并蚀刻露出的金属层，以形成金属层图形。
[0044][示例性实施例二]
[0045]接下来，可以通过后续工艺完成整个半导体器件的制作，包括所述堆叠体中的锗帽层203与形成有MOS器件的晶圆上的焊盘之间的键合等。
[0046][示例性实施例三]
[0047]本发明还提供一种电子装置，其包括根据本发明示例性实施例二的方法制造的半导体器件。所述电子装置可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、上网本、游戏机、电视机、V⑶、DVD、导航仪、照相机、摄像机、录音笔、MP3、MP4、PSP等任何电子产品或设备，也可以是任何包括所述半导体器件的中间产品。所述电子装置，由于使用了所述半导体器件，因而具有更好的性能。
[0048]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个堆叠体； 在所述堆叠体之间的半导体衬底中形成沟槽； 在所述沟槽中沉积金属层； 采用旋转涂布工艺形成光致抗蚀剂层，覆盖所述金属层、所述沟槽的侧壁以及所述堆叠体，仅露出所述沟槽的顶端拐角部分； 蚀刻所述沟槽的顶端拐角部分，以使所述沟槽的顶端拐角部分发生圆化； 采用喷雾涂布工艺再次形成所述光致抗蚀剂层，以覆盖前次采用所述旋转涂布工艺形成的光致抗蚀剂层以及所述发生圆化的沟槽的顶端拐角部分； 图案化所述光致抗蚀剂层，并蚀刻露出的所述金属层，以形成金属层图形。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠体由自下而上层叠的氧化物介电层和锗帽层构成。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆叠体之间的间距为300微米-400微米，所述堆叠体的宽度为40微米-60微米。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深度为20微米-40微米。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述沟槽的工艺步骤包括:在所述半导体衬底上形成具有所述沟槽的图案的另一光致抗蚀剂层，覆盖所述堆叠体；以所述另一光致抗蚀剂层为掩膜，蚀刻所述半导体衬底，以形成所述沟槽。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沉积所述金属层之后，还包括采用剥离技术去除所述另一光致抗蚀剂层的步骤。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述金属层图形之后，还包括采用灰化工艺去除所述光致抗蚀剂层的步骤。8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。9.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求8所述的半导体器件。
【专利摘要】本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在其上形成有多个堆叠体；在堆叠体之间的半导体衬底中形成沟槽；在沟槽中沉积金属层；采用旋转涂布工艺形成光致抗蚀剂层，覆盖金属层、沟槽的侧壁以及堆叠体，仅露出沟槽的顶端拐角部分；蚀刻沟槽的顶端拐角部分，使其发生圆化；采用喷雾涂布工艺再次形成光致抗蚀剂层，覆盖前次采用旋转涂布工艺形成的光致抗蚀剂层以及发生圆化的沟槽的顶端拐角部分；图案化光致抗蚀剂层，并蚀刻露出的金属层，以形成金属层图形。根据本发明，可以使光致抗蚀剂层完全覆盖形成于半导体衬底中的沟槽的顶端拐角部分，确保后续蚀刻形成于沟槽中的金属层时可以获得所需的金属层图形。
【IPC分类】B81C1/00, H01L21/02
【公开号】CN105502279
【申请号】CN201410490638
【发明人】倪梁, 刘尧
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月23日