一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法。
【【背景技术】】
[0002]很多微机电系统MEMS(Micro_Electro Mechanical System)器件均有可动部件，这就需要提供一个空腔(Cavity)环境，在晶圆级封装中基本上都是通过圆片键合(bonding)来实现。各种键合方式中，黏合剂键合由于其工艺温度低的特性得以广泛应用，但其键合本身的材料为高分子有机物，往往气密性、防水防潮等能力有限，最终无法获得高可靠性的器件。
[0003]因此，有必要提出一种改进的方案来克服上述问题。
【
【发明内容】
】
[0004]本发明的目的之一在于提供一种带腔体器件的气密封装结构及其制造方法，其可以实现良好的气密性能，从而获得高可靠性的器件。
[0005]为了解决上述问题，根据本发明的一个方面，本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括:第一半导体圆片，其包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面:第二半导体圆片，其包括第一表面、与该第一表面相对的第二表面;黏合剂键合层，其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间，所述黏合剂键合层用于将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合在一起;多个腔体，其位于第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间，且分别被所述黏合剂键合层环绕密封;多个位于所述腔体外侧的沟槽，所述沟槽自所述第一半导体圆片的第二表面至少贯穿所述第一半导体圆片和黏合剂键合层，所述多个沟槽分别环绕所述腔体;塑封料包封体，其填充所述沟槽并覆盖第一半导体圆片的第二表面。
[0006]进一步的，所述气密封装结构还包括重分布层，所述重分布层将第一半导体圆片和/或第二半导体圆片上的电路信号引出至所述塑封料包封体表面的输出端口。
[0007]进一步的，所述沟槽依次贯穿所述第一半导体圆片和黏合剂键合层至所述第二半导体圆片的第一表面;或者所述沟槽依次贯穿所述第一半导体圆片和粘合剂键合层，并延生至所述第二半导体圆片内。
[0008]进一步的，所述沟槽的侧壁为倾斜设计或垂直设计;所述沟槽能够通过刀片切割、激光切割、干法刻蚀和湿法刻蚀中的至少一种工艺形成。
[0009]进一步的，至少一个MEMS电路模块位于半导体圆片的第一表面。
[0010]进一步的，所述黏合剂键合层包括环氧树脂、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、阻焊膜、聚酰亚胺、苯并环丁烯(BCB)、聚对二甲苯、聚萘、碳氟化合物和丙烯酸酯中的至少一种。
[0011]根据本发明的另一个方面，本发明提供一种带腔体器件的气密封装结构的制造方法，其包括:提供第一半导体圆片和第二半导体圆片，其中，每个半导体圆片都包括第一表面和与该第一表面相对的第二表面;对齐第一半导体圆片和第二半导体圆片，通过黏合剂键合层将第一半导体圆片的第一表面和第二半导体圆片的第一表面键合，其中，在第一半导体圆片和第二半导体圆片的第一表面之间形成多个腔体，所述腔体分别被所述粘合剂键合层围绕密封；自所述第一半导体圆片的第二表面且位于所述腔体外侧开设多个沟槽，所述沟槽至少贯穿所述第一半导体圆片和黏合剂键合层，所述多个沟槽分别环绕所述腔体；对所述第一半导体圆片的第二表面进行塑封，以形成塑封料包封体，所述塑封料包封体填充所述沟槽并覆盖所述第一半导体圆片的第二表面。
[0012]进一步的，所述制作方法还包括:形成重分布层，所述重分布层将第一半导体圆片和/或第二半导体圆片上的电路信号引出至所述塑封料包封体表面的输出端口。
[0013]进一步的，所述自所述第一半导体圆片的第二表面且位于所述腔体外侧开设多个沟槽步骤为，自所述第一半导体圆片的第二表面开设依次贯穿所述第一半导体圆片和黏合剂键合层至所述第二半导体圆片的表面的沟槽;或所述自所述第一半导体圆片的第二表面且位于所述腔体外侧开设多个沟槽步骤为，自所述第一半导体圆片的第二表面开设依次贯穿所述第一半导体圆片和黏合剂键合层，并延伸至所述第二半导体圆片内的沟槽。
[0014]进一步的，所述沟槽的侧壁为倾斜设计或垂直设计;所述沟槽能够通过刀片切割、激光切割、干法刻蚀和湿法刻蚀中的至少一种工艺形成。
[0015]进一步的，至少一个MEMS电路模块位于半导体圆片的第一表面。
[0016]与现有技术相比，本发明采用广泛适用的黏合剂键合技术和晶圆级封装工艺，通过将晶圆之间的黏合剂键合层切断再填充塑封料进行包封的方式，利用塑封料的优异性能实现良好的气密性能，从而获得高可靠性的器件。
【【附图说明】】
[0017]为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:
[0018]图1为本发明中的气密封装结构的制造方法在一个实施例中的流程示意图；
[0019]图2为本发明在一个实施例中提供的第一半导体圆片和第二半导体圆片的整体结构示意图；
[0020]图3为本发明在一个实施例中，对齐并键合第一半导体圆片和第二半导体圆片后的气密封装结构的整体结构示意图；
[0021]图4为图3所示的气密封装结构在一个实施例中的部分纵剖面图；
[0022]图5为本发明在一个实施例中，自所述第一半导体圆片的第二表面开设沟槽后的气密封装结构的整体结构示意图；
[0023]图6a和图6b为图5所示的气密封装结构在两个不同实施例中的部分纵剖面图；
[0024]图7为本发明在一个实施例中，自第一半导体圆片210的第二表面212进行塑封后的气密封装结构的整体结构示意图；
[0025]图8a和图8b为图7所示的气密封装结构在两个不同实施例中的部分纵剖面图；
[0026]图9为本发明在一个实施例中，形成重分布层后的气密封装结构的整体结构示意图；
[0027]图10为图9所示的气密封装结构在一个实施例中的部分纵剖面图；
[0028]图11为对图9所示的气密封装结构用切割刀片进行划片切割后的示意图。
【【具体实施方式】】
[0029]本发明的详细描述主要通过程序、步骤、逻辑块、过程或其他象征性的描述来直接或间接地模拟本发明技术方案的运作。为透彻的理解本发明，在接下来的描述中陈述了很多特定细节。而在没有这些特定细节时，本发明则可能仍可实现。所属领域内的技术人员使用此处的这些描述和陈述向所属领域内的其他技术人员有效的介绍他们的工作本质。换句话说，为避免混淆本发明的目的，由于熟知的方法和程序已经容易理解，因此它们并未被详细描述。
[0030]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。所属领域内的普通技术人员所熟知的是，本发明中的相连、连接或相接等表示直接或间接电性连接。
[0031]请参考图1所示，其为本发明中的气密封装结构的制造方法100在一个实施例中的流程示意图。所述制造方法100包括如下步骤。
[0032]步骤110、如图2所示，提供第一半导体圆片210和第二半导体圆片220。每个半导体圆片包括第一表面212、222，与该第一表面212、222相对的第二表面214、224，至少一个MEMS电路模块位于半导体圆片210、220的第一表面212、222，至少一个半导体圆片的第一表面设置有凹槽。在图2所示的实施例中，结合图4所示的，第一半导体圆片210的第一表面212和第二半导体圆片220的第一表面222上均设置有多个凹槽2301。其中，图2为本发明在一个实施例中提供的第一半导体圆片210和第二半导体圆片220的整体结构示意图。
[0033]步骤120、如图3和图4所示，对齐第一半导体圆片210和第二半导体圆片220，通过黏合剂键合层240将第一半导体圆片210的第一表面212和第二半导体圆片220的第一表面222键合，以形成包括第一半导体圆片210和第二半导体圆片220的键合圆片。对齐并键合后，在第一半导体圆片210的第一表面212和第二半导体圆片220的第一表面222之间形成多个腔体230，且所述腔体230被所述黏合剂键合层240分别密封。在一个实施例中，所述腔体230为真空;或所述腔体230内填充有气态物质，所述腔体230内的压力为Ibar至lObar。
[0034]其中，图3为本发明在一个实施例中，对齐并键合第一半导体圆片210和第二半导体圆片220后的气密封装结构的整体结构示意图；图4为图3所示的气密封装结构在一个实施例中的部分纵剖面图。在图4所示的实施例中，只是示例性的显示了一个腔体230，其他腔体并未示出。
[0035]步骤130、如图5、图6a和图6b所示，自所述第一半导体圆片210的第二表面212且位于所述腔体230外侧开设多个沟槽250，所述沟槽250至少贯穿所述第一半导体圆片210和黏合剂键合层240，所述多个沟槽250分别环绕所述腔体230。所述沟槽250可以通过刀片切割、激光切割、干法刻蚀和湿法刻蚀中的至少一种工艺形成。
[0036]请参考图5所示，其为本发明在一个实施例中，自所述第一半导体圆片210的第二表面214开设沟槽250后的气密封装结构的整体结构示意图，在图5所示的实施例中，对齐键合后，位于第一半导体圆片210和第二半导体圆片220的第一表面之间的腔体230呈矩阵形式排布，使用沟槽切割刀片300自所述第一半导体圆片210的第二表面214，在相邻两行腔体之间、相邻两列腔体之间，以及最外行腔体外侧，和最外列腔体外侧进行沟槽切割，从而使每个腔体均被与其紧邻的四条沟槽250环绕。
[0037]请参考图6a和图6b所示，其为图5所示的气密封装结构在两个不同实施例中的部分纵剖面图。在图6a所示的实施例中，沟槽250a依次贯穿所述第一半导体圆片210和黏合剂键合层240至所述第二半导体圆片220的第一表面222。在图6b所示的实施例中，沟槽250b依次贯穿所述第一半导体圆片210和黏合剂键合层240，并延伸至所述第二半导体圆片220内。在图6a和图6b所示的实施例中，沟槽250a