专利名称:电沉积金-碳化硅复合镀层的制作方法
本发明属于继电器触点材料的选用。
制作弱电流、小功率、高灵敏度的继电器的电触点，通常采用纯金(包括电镀纯金)或金合金(包括电镀金合金)。金具有优良的导电导热性能，非常好的耐蚀性和抗变色能力，对有机污染的敏感性也很小。但是金的硬度低，抗液桥浸蚀能力差，且摩擦系数大(约为0.94)，耐磨性差，价格昂贵。
自本世纪六十年代以来，复合电沉积技术迅速发展。1969年培费尔(Peiffer)等人曾报导用电沉积方法获得Au-WC复合镀层用于干簧继电器的电触点。经检索1961至1984年的CA未发现有记载关于Au-SiC复合镀层用于继电器及其电化学形成工艺的文献或专利。
本发明的目的在于，用复合电镀技术在铜合金或其他金属材料基体上形成一薄层Au-SiC复合物表层。该复合物层将金的优良导电导热性，优异的化学稳定性与碳化硅的耐热耐磨性结合在一起，形成一种缩合性能优良的复合镀层，用在继电器的触点上，可使继电器工作的可靠性和使用寿命大幅度提高。
本发明的特征是采用电化学沉积的方法，在铜合金或其他金属基体上沉积一薄层Au-SiC复合镀层，SiC微粒的含量占镀层体积的0.1～10%，粒径小于0.5微米。这种复合镀层具有硬度高，Hv达100～180，电镀金层的Hv在90左右，电镀金-钴合金的Hv为140～180，耐磨性好;摩擦系数小于0.5。作为继电器的电触点，Au-SiC复合镀层的接触电阻低，在接触压力为10克，电流10～40毫安条件下，接触电阻≤5mΩ，在同样条件下，金的接触电阻为3.5mΩ，金-钴合金为7mΩ，而且耐电浸蚀，抗腐蚀及抗变色能力强。
本发明的复合电镀工艺的特点在于，可以在氰化镀金液，酸性镀金液及亚硫酸盐镀金液等电解液中加入一定量的SiC微粒，在整个电镀过程中，使微粒在电解液中充分悬浮。本发明的Au-SiC复合电镀工艺实施例如下金(以KAu(CN)2形式 8～12克/升加入)柠檬酸氢二铵 80～110克/升碳化硅微粒(粒径＜0.5 0.1～10克/升微米)pH 5.4～5.8镀液温度 30～50℃阴极电流密度 0.1～0.5安/分米2阳极用纯金或钛基镀铂电极。采用机械搅拌或镀液循环使SiC微粒在镀液中充分悬浮。镀层厚度根据需要可在2～50微米间选择。
权利要求
1.一种以金为基的复合镀层用于继电器的电触点，其特征在于在铜合金或其他金属基体上沉积一层Au-SiC复合镀层。复合镀层中弥散有占镀层体积0.1～10%的SiC微粒，粒径小于0.5微米。
2.按照权力要求1所述的金基复合镀层是在添加有粒径小于0.5微米的SiC微粒的，氰化物的、酸性的或亚硫酸盐的镀金电解液中沉积。SiC的添加量为0.1～10克/升。
专利摘要
一种用于继电器触点的抗电浸蚀的耐磨复合镀层，是用电镀方法沉积在铜合金或其他金属基体上。复合镀层中弥散有占镀层体积0.1～10％，粒径小于0.5微米的SiC微粒。这种金基复合镀层具有比纯金高的显微硬度，低的摩擦系数，接触电阻略大于金，但低于金合金，并且耐电浸蚀性、抗腐蚀及抗变色能力强。这种Au—SiC复合镀层可在含有SiC微粒的，氰化物的、酸性的及亚硫酸盐的镀金溶液中获得。
文档编号C25D3/48GK85100021SQ85100021
公开日1986年1月10日 申请日期1985年4月1日
发明者郭鹤桐, 王兆勇, 邱训高 申请人:天津大学导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan