畸变测量成像的方法和装置的制作方法

专利名称：畸变测量成像的方法和装置的制作方法
畸变测量成像的方法和装置
背景技术：
发明领域
本发明涉及玻璃基板的畸变测量。
背景技术：
液晶显示器(LCD)是在常规电视、蜂窝式电话、计算机等等中使用 的薄平面显示设备。常规的LCD制造技术复杂而且需要多种集成技术。LCD 包括覆盖玻璃基板和背玻璃基板。背基板通常包括电子电路，比如必须在 覆盖基板和背基板之间对准的薄膜晶体管(TFT) 。 TFT技术已经发展到各 个TFT在LCD内的亚微米区域中实现的程度。因此，当在基板内对准TFT 时需要亚微米精确度。
在制造期间，多种制造操作会均匀地或不均匀地使LCD显示器畸变。 例如，热处理通常引起收縮和/或畸变。收縮可以是均匀的，但收縮也可以 是不均匀的。了解热处理如何影响基板对在LCD中正确对准TFT是关键的。 因此，必须测量收縮和畸变以正确地定位TFT和对准背基板、TFT、以及 覆盖基板。
诸如测量量具之类的多种常规应力测量、收縮测量、以及畸变测量技 术对于测量诸如对基板的热处理之类的处理的影响是可供使用的。这些测 量技术的许多种包括具有基准标记的支承台，这些基准标记用来相对于基 准标记对基板作标示。该基板利用基准标记作为引导在支承台上定位并被 作标示。然后对该基板应用诸如热处理、切割等等之类的工艺。然后该基 板在支承台上重新定位，且将该基板上的标记与台上的基准标记比较以确 定变化。通常采用观测系统来区分这类极小的变化。
收縮测量可在样本基板上进行以校准诸如畸变测量量具之类的常规测 量技术。收縮测量包括测量在样本基板上相对于基准点标示的网格点的位置(即测得值)、处理样本基板、重新测量网格点相对于基准点的位置(处 理后的值)、以及确定处理前和处理后的网格点位置之间的差别。处理值 与测得值对比以确定畸变测量的精确度。具体而言，两个网格点之间的差 别是在基板上出现的收縮或畸变量的指示。然后将所述收縮或畸变测量值 用来校准测量量具。
在处理期间会出现许多个问题从而且限制操作者将测试和测量系统校 准成所需精确度水平的能力。例如，在用加热炉进行热处理的情况下，所 测得值的精确度基于三个因素。第一因素是测量量具。第二因素是加热炉 中的温度波动；以及第三因素是样本基板中的变化。这些因素妨碍了测量
畸变至当代TFT技术的对准所需的精确度。还要注意的是，样本只能使用
一次。因此，当校准或确定测量量具的精确度时，样本的成本和可用性可 能成为问题。
因此需要确定测量和检验量具的精确度。需要将测量和检验量具校准
成包括诸如TFT之类的电子电路的当代LCD显示器所需的精确度水平和可 重复性水平。
发明概述
构造了用来校准诸如测量和检验量具之类的测量和检验系统的一种可 重复使用的基板组件。根据本发明的示教，该基板组件包括通过压电器件 耦合的两个基板。该压电器件被操作(即调整大小)以模拟玻璃基板内的 畸变。电容性传感器集成到该压电器件中以检测由操作该压电器件(即换 能器)引起的非常微小的移动。
根据本发明的示教，提出了一种方法，其中利用基于图像的畸变测量 (即利用观测系统、摄像机等等采集)和换能器畸变测量(即通过集成在 换能器中的电容性传感器采集)来校准测量和检验系统。基于图像的畸变 测量和换能器畸变测量可单独使用或组合使用以校准测量和检验系统。在 另一实施例中，干涉仪可与基于图像的畸变测量和/或换能器畸变测量一起 使用以校准测量和检验系统。利用本发明的示教，测量和检验系统可被校 准至亚微米精确度。通过基于压电换能器的畸变测量来校准LCD测量和检验系统能实现 多个优点。具体而言，可获得精确度、可重复性、以及再现性的实质改善。
精确度的一个分量由压电换能器和用来将该压电换能器附连至所述样 本基板的连接装置限定。根据本发明的示教，压电换能器的精确度可以在4 纳米范围内。在一个实施例中，接合剂(即粘合剂)以及连接装置产生小 于10纳米的测量精确度，这模拟了接近刚体的性能。因此，通过两个压电
换能器耦合的至少两个基板的基板组件的精确度小于14纳米。这14纳米
的误差可构成误差累计的一部分。
根据本发明的示教，还实现了可重复性约束。该组件的可重复性取决 于压电换能器和连接装置。根据本发明的示教，压电换能器的可重复性是1 纳米。连接装置/粘合剂占构成误差累计一部分的总的11纳米误差的另外
IO纳米不确定性。稳定性类似于可重复性。因此，相同的基板组件用来跟
踪测量和检验系统的长期趋势。
在一个实施例中，畸变测量方法包括构造一种组件，所述组件包括 第一基板、第二基板、以及将第一基板耦合至第二基板的至少一个换能器； 操作该换能器；以及响应于操作换能器测量第一基板与第二基板之间的畸 变。
在一个实施例中，提出了一种校准测量和检验系统的方法，该测量和 检验系统包括用于对准基板的基准台和用于对基板成像的观测系统，该方
法包括以下步骤通过组件实现该基板，所述组件包括将第一基板在第一 位置相对于第二基板耦合的换能器，该换能器还包括至少一个传感器；当 该组件在第一位置时，相对于基准台在第一基板上的至少一个位置处作标 示；通过在至少一个位置处作标示之后使该组件成像产生第一图像；操作 换能器从而将第一基板相对于第二基板移动至第二位置；响应于操作换能 器产生反映第二位置的传感器值；通过在第二位置使组件成像产生第二图 像；以及响应于比较第一图像、第二图像、以及传感器值校准测量和检验 系统。
在一个实施例中， 一种基板组件包括第一基板；第二基板；以及将 第一基板耦合至第二基板的至少一个换能器，该至少一个换能器包括检测第一基板与第二基板之间的相对运动的传感器。
在一个实施例中， 一种畸变测量方法包括以下步骤利用组件模拟单 个基板，该组件包括第一基板、第二基板、和将第一基板耦合至第二基板 的至少一个换能器；以及响应于单个基板的模拟处理校准测量和检验系统。
附图简述
包含在此说明书中且构成此说明书一部分的


了本发明的特定 方面，而且与描述一起用来不加限制地说明本发明的原理。 图1示出根据本发明的示教实现的基板组件的概念图。
图2示出根据本发明的示教实现的测量和检验系统的侧视图。 图3示出根据本发明的示教实现的测量节点。
图4示出根据本发明的示教实现的基板组件的另一实施例的概念图。 发明详细描述
根据本发明的示教，提出了用于校准LCD测量和检验系统的方法和装 置。测量和检验系统包括用来测量LCD玻璃基板中的畸变的任何LCD畸 变测量和检验系统。在一个实施例中，诸如在转让给康宁股份有限公司的 2005年4月28日提交的公开号为20060247891A1的国际专利申请"用于 测量透明基板中的尺寸改变的方法和装置(A Method and Apparatus for Measuring Dimensional Changes in Transparent Substrates)"中公开的领!j量禾口 检验系统之类的测量和检验系统通过引用结合在本文中。
根据本发明的示教，提供了一种基板组件。在一个实施例中，该基板 组件包括通过包括至少一个传感器的至少一个压电换能器连接的至少两个 基板。利用压电换能器耦合这些基板来模拟单个基板。利用压电换能器连 接两个基板产生具有刚体性质的基板组件，可用来校准测量和检验系统。 同样，当基板组件被操作时，基板组件可用来模拟单个基板中的畸变或其 它处理。 一个特定优点是当模拟完成时，换能器可被关闭且基板组件返回 其原始位置。这便于重新使用基板组件并改善了测量的可重复性和精确度， 这对于在亚微米的精确度水平下校准测量和检验系统极其重要。在一个实施例中，通过比较两个畸变测量的结果实现了一种用于校准 测量和检验系统的方法。第一畸变测量通过利用观测系统执行成像以确定 在处理样本基板之前以及之后的相对运动(即基于图像的畸变测量)获得。 成像可包括对基板照相并处理该图像。第二畸变测量从耦合至压电换能器 的传感器获得(换能器畸变测量)。在另一实施例中，第三畸变测量可与 第一和第二畸变测量组合使用以校准测量和检验系统。第三畸变测量利用 干涉仪获得(即干涉仪畸变测量)。第一畸变测量通过利用观测系统测量基板组件上的标示的相对运动产 生(即基于图像的畸变测量)。在第一畸变测量中，拍摄样本基板上的标 示在处理前和处理后的图像，而标示的相对运动就代表了样本基板中的畸 变。第二畸变测量通过操作耦合两个基板(即基板组件或刚体组件)的换 能器、然后利用集成到该换能器中的电容性传感器检测两个基板之间的变 化(即换能器畸变测量)产生。在第二畸变测量中，传感器读数代表两个 基板之间的移动(即膨胀、收縮)的量。两个基板(即基板组件)之间的 运动模拟单个基板中的畸变、收縮等等。然后换能器畸变测量结果与基于 图像的畸变测量结果比较并用来校准检验和测量系统。在第三畸变测量中， 干涉仪连接到基板组件中的各个基板，且两个基板的相对运动通过干涉仪 测量。然后第三畸变测量结果与基于图像的畸变测量结果、换能器畸变测 量结果、或它们两者比较。根据本发明的示教，所有三种畸变测量可按照 多种组合和配置来使用以校准基板。图1示出根据本发明的示教实现的基板组件的概念图。在一个实施例 中，用一基板组件模拟单个可重复使用的基板。另外，操作换能器可模拟 诸如热处理加工、切割基板等等之类的基板的处理，而无需实际执行这些 处理功能。如图所示，第一基板100和第二基板110利用包括集成的电容性传感器125的第一压电换能器120和包括集成的电容性传感器135的第二压电 换能器130耦合到一起。在一个实施例中，图1中所示的基板组件包括利 用至少一个压电换能器耦合到一起的至少两个基板，然而，应当理解的是，包括多个基板、压电换能器、以及传感器的多种配置和组合可相结合并且在本发明的范围内。压电换能器(120、 130)将电能直接转换成机械能。在工作期间，电场施加给压电换能器(120、 130)，换能器(120、 130)的物理形变基于压电换能器材料的固态动力学产生。因此，给压电换能器施加电场引起压 电换能器与电场的量值成比例地收縮或膨胀。压电换能器中的工作元件是极化材料(即包括正带电区域和负带电区域的材料)。当电场施加在该极 化材料上时，极化分子自身与电场对准，从而在极化材料的分子或晶体结 构内产生感应偶极子。分子的这种对准使材料改变尺寸。传感器(125、 135)耦合到各个压电换能器(120、 130)。在一个实 施例中，读数(即值)来自传感器(125、 135)。值的增大或值的减小对 应于基板(100、 110)相对于彼此的相对位置改变。例如，值的正变化会 增大两个基板(100、 110)之间的间距并使基板(100、 110)相对于彼此 从第一位置移至第二位置。值的负变化会减小两个基板(100、 110)之间 的间距并使基板(100、 110)相对于彼此从第一位置移至第二位置。现有的压电换能器能提供具有亚纳米范围内的分辨率的数百微米的移 动。此外，根据本发明的示教实现的压电换能器可以超过10,000g的加速度 在数微秒内作出反应。此外，压电换能器不具有任何移动的零件，因为它 们的位移基于固态动力学。因此，压电换能器不会出现磨损和破裂，所以 精确度不会降低。根据本发明的示教，电场可施加给第一压电换能器120或施加给第二 压电换能器130。在第一实施例中，向第一压电换能器120和第二压电换能 器130施加同样的电场将均匀地增大两个换能器并导致第一基板100和第 二基板110之间的移动和间距均匀。这利用图1中描绘的基板组件可模拟 单个基板的均匀畸变。在第二实施例中，不同的电场可施加给各个压电换 能器(120、 130)，从而在第一基板IOO和第二基板IIO之间产生不均匀 位移或扭转。这可模拟单个基板的不均匀加热或不均匀畸变。第二实施例 还可用来在基板(100、 110)中模拟和引入应力。在第三实施例中，第一 压电换能器120与第二压电换能器130之间的电场的量值和时间可不同。 因此，第一基板100和第二基板110之间的由不均匀形变引起的应力可被模拟。图2示出根据本发明的示教实现的测量和检验系统的侧视图。如图2 所示，压电换能器130安装在垫片150上，垫片150将压电换能器130连 接至基板100。在一个实施例中，垫片150利用粘合剂连接至压电换能器 130和基板100。在一个实施例中，垫片150被实现为使压电换能器130相 对于基板IOO保持静止关系。压电换能器130还利用L形托架160连接至基板110。 L形托架160 和压电换能器130利用粘合剂连接至基板110。L形托架160的高度被调节 以使L形托架160的底部与基板IIO均匀地接合。在一个实施例中，第一 基板IOO与第二基板IIO之间的标称间隙170是1 mm。垫片150、压电换 能器130、以及L形托架160相组合以形成连接装置。应当注意的是，诸 如粘合剂之类的接合剂用来固定基板IOO与压电换能器130之间、压电换 能器130与L形托架之间、以及L形托架与基板IIO之间的垫片150。图2 中所示的测量和检验量具还包括支承真空台180的外壳190。图3中所示的 真空台的顶部包括用来对定位在真空台180上的基板作标示的基准标记。 此外，真空台180利用吸气将各个基板(100、 110)保持在适当的位置， 并利用吸气将基板组件(100、 110、 130)保持在适当的位置。基板(100、 110)的成像利用观测系统195执行。在一个实施例中，观测系统195可以 是能拍摄图像的任何系统。在第二实施例中，观测系统195可以是能拍摄 图像并随后处理该图像的任何系统。误差累计涉及垫片150、换能器130、 L形托架160、以及用来将这些 元件连接到一起的粘合剂等因素。在一个实施例中，上述元件(即垫片150、 换能器130、 L形托架160、以及粘合剂)的误差累计应当产生约0.2 pm的 精确度以及0.1pm @ 3cj的可重复性。根据本发明的示教，至少一个换能器130利用垫片150连接至基板100。 至少一个压电换能器130安装至垫片150而且将利用粘合剂接合至基板 100。粘合剂会在测量中产生一误差量，因此应当小心地选择并按照减小任 何测量中的误差量的方式涂敷。右L形托架160附连至换能器的右面。至 右L形托架的粘合剂会在测量中产生误差量，因此应当小心地选择并按照减小任何测量中的误差量的方式涂敷。L形托架160的高度被调节以使其支持压电换能器130。 L形托架160的底面均匀地接合基板110且利用粘合 剂接合至基板110。第一基板100和第二基板110之间的标称间隙将是1 mm。在一个实施例中，基板100、基板110、垫片150、换能器130、以及 L形托架160的组合构成基板组件。在第二实施例中，基板100、基板110、 以及换能器130的组合构成基板组件。通过至少一个压电换能器130连接 的两个基板(100、 110)被认为是刚体组件。观测系统195被示出定位成 拍摄基板组件(即100、 110以及130)的图像。在工作期间对基板组件施加真空。真空将基板组件保持在适当的位置。 真空台具有多个标记(基准标记)。两个基板(100、 110)相对于真空台 180上的基准标记作标示(即作标记)。然后观测系统195用来拍摄标示的 图像。对传感器135读数以作为基线测量值。然后真空被关闭从而允许两 个基板(100、 110)悬浮。当两个基本悬浮时，换能器130被驱动以模拟 基板(100、 110)的膨胀或收縮。然后两个基板(100、 110)在真空台180 上的接近它们在第一次测量期间定位的位置的地方(即真空台上的标示和 标记对准的地方)重新定位。然后基板组件被真空吸引向下。进行传感器 135的第二次读数。然后观测系统195用来拍摄标示和真空台标记的第二图 像。在第二测量期间，基板上的标示区域与真空台180上的标记比较。在 一个实施例中，利用观测系统195进行第一畸变测量(即观测畸变)。在 第二实施例中，利用集成在换能器中的传感器135进行测量(即换能器畸 变)。在第三实施例中，进行观测畸变和换能器畸变的组合。根据本发明 的示教，综合两种畸变测量结果以校准测量和检验系统。例如，换能器畸 变与观测畸变比较以校准测量和检验系统。在一个实施例中，刚体补偿用来确定观测系统所进行的测量中的误差。 刚体补偿用来去除诸如平移和旋转之类的测量的一阶现象。在一个实施例 中，刚体补偿通过使任何残余误差最小化的旋转和平移的计算实现。如上所述，样本基板利用基准表面被标示有标记。在样本基板上执行 某项处理，然后将那些标记与基准表面比较。图3示出根据本发明的示教实现的测量节点。在第一测量期间的标示的位置被示为200。在处理之后的第二测量期间的标示被示为210。第一测量200和第二测量210也被称为基 准点。基准点(即真空台上用来标记基板的基准标记)在放大图212中示 出。第一基准点200与第二基准点210之间的差距示为测量节点220。在一 个实施例中，第一基准点200表示在第一测量期间(即在处理动作之前—— 处理前)在玻璃基板上标示的位置。第二基准点210表示在第二测量期间 在玻璃基板上标示的位置(即在处理动作之后——处理后)。在第一和第 二测量期间，换能器被激活以模拟处理。因此，测量节点220 (即第一基准 点200与第二基准点210之间的差距)表示基板由于畸变引起的变化。两个测量之间的精确和可重复的结果的关键是能够补偿在第一和第二 测量之间出现的任何偏移(即刚体补偿)。例如，当将基板组件放置在真 空台上以便第二测量时(即在处理之后)，不可能将基板组件放置在完全 相同的位置上。因此必须通过旋转和平移测量节点220 (即测量矢量)来补 偿。由观测系统检测到的典型图像包括一对颠倒的参照十字线，通常其左 上部(即200)对应于基准板(即真空台上的基准标记)，其右下部(即 210)对应于样本基板。刚体补偿以对应于基准板点(即真空台基准点或放置在真空台上的基 准基板)、第一测量、以及第二测量点的空间中的一组坐标开始。基准板上的点Ri (基准网格上1=1至转的点) 测量点，第一测量Mlj在已知第二测量点等于第一测量的旋转和平移的情况下，我们得到: M2i = (ROT+I)Mli + Tr + Defi (1)其中ROT是2X2旋转矩阵I是单位矩阵Tr是平移矢量各点的绝对位置不是精确已知。绝对位置矢量R和M取决于用来将观 测系统从一个节点平移至下一节点的平移平台的坐标，因此绝对坐标的不 确定性在几微米的范围内。唯一精确的信息是相对点与绝对点之间的相对 位置第一测量时的相对位置RPli = Ml; - Ri .........(2)第二测量时的相对位置RP2j = M2i - Ri.....(3) 通过将方程(1)代入方程(2)和(3): RP2i - RPli = ROT Mlj + Tr + Def; (4)将第二测量与第一测量相对矢量相减得到等于测量点的绝对坐标的旋 转和平移的矢量场加上对应于板形变的残余矢量场。应当理解的是，方程(4)使用相对位置(RP2和RP1矢量)以及完全 坐标的绝对点位置(Ml)的信息。两个矢量场(绝对和相对)均可在不同 的基准帧中使用，分别连接于观测系统(即CCD摄像机)用于相对坐标， 和连接于系统平移平台用于绝对坐标。因此，虽然测量相对于基准板进行， 但需要绝对位置的最小精确度以便于刚体补偿。在上述假定的情况下，刚体补偿的算法可概括如下a. 对于每一个节点I，测量将基准十字的中心连接至测量十字的中心 的矢量(即测量节点)。此测量仅在CCD基准帧中进行。i. RPl「Mli-Rjb. 对于每一个节点I，测量被测量点的完全坐标。 i. Ml; = Moti + CCD;其中Moti是当节点I上的图像已被采集时的平移平台位置 CCDi是CCD上的被测量点的位置a.对于每一个节点I，测量将基准十字的中心连接至测量十字的中心 的矢量。此测量仅在CCD基准帧中进行。 i. RP2i = M2i - Ri处理后的结果根据方程l、 2，计算使所有节点上的均方根(RMS)和最小化的最佳 旋转矩阵ROT和平移矢量Tr:RMS( RP2i- RPli - ROT Ml; - Tr )要被最小化然后形变矢量场由以下方程定义Defi = RP2广RPli-ROT Mli-Tr图4示出本发明的一个实施例。如图所示，第一基板100和第二基板 110利用第一压电换能器120和第二压电换能器130连接。角隅棱镜260 定位在第一基板100上，而角隅棱镜270定位在第二基板110上。角隅棱 镜260和270是利用粘合剂附连至各个基板(100、 110)的固定装置。在 一个实施例中，角隅棱镜260或270是粘附至基板(100、 110)并随基板 一起移动以向干涉仪提供读数的任何装置。例如，可通过将反射镜粘附至 基板(100、 110)以反射来自干涉仪的光来实现角隅棱镜(260、 270)。角隅棱镜连接至干涉仪280。角隅棱镜产生与移动量成比例的信号。 干涉仪基于相长干涉和相消干涉的原理工作。假定两个信号具有相同振幅，则相位一致的两个信号将彼此相加，而具有相反相位的两个波将相互抵消。 利用由棱镜产生的两个信号可得到两个基板的移动的非常精确的测量。在工作期间，电场施加给第一压电换能器120或第二压电换能器130。在第一实施例中，向第一压电换能器120和第二压电换能器130施加同样 的电场将均匀地增大两个换能器并导致第一基板100和第二基板110之间 的移动和间距均匀。这可模拟基板的均匀畸变。来自干涉仪280的测量与 来自换能器120和130的测量的结合可用来校准测量和检验系统。在另一 实施例中，观测畸变测量和/或来自干涉仪280的测量可与来自换能器120 和130的测量结合以校准测量和检验系统。在第二实施例中，不同的电场可施加给各个压电换能器，从而在第一 基板IOO和第二基板IIO之间产生非均匀位移或扭转。这可模拟基板的不 均匀加热或不均匀畸变。此第二实施例还可用来模拟基板中的应力。在第 三实施例中，第一压电换能器100与第二压电换能器110之间的电场的量 值和用来改变电场的时间可不同。因此，第一基板和第二基板之间的由不 均匀形变引起的应力可被模拟。来自干涉仪280的测量与来自换能器120 和130的测量的结合可用来校准测量和检验系统。在另一实施例中，观测 畸变测量和/或来自干涉仪280的测量可与来自换能器120和130的测量结 合以校准测量和检验系统。此说明书参考了多个出版物。这些出版物的公开内容在此处通过引用 整体结合到此说明书中，以更更完全地描述本文中所描述的化合物、组合 物、以及方法。应当理解的是，虽然已关于本发明的特定说明性和具体方面详细描述 了本发明，但不应当认为本发明局限于这些，因为在不背离由所附权利要 求书限定的本发明的宽广范围的情况下，多种修改是可能的。
权利要求
1.一种畸变测量方法，包括以下步骤构造一组件，所述组件包括第一基板、第二基板、以及将所述第一基板耦合至所述第二基板的至少一个换能器；操作所述换能器；以及响应于操作所述换能器测量所述第一基板与所述第二基板之间的畸变。
2. 如权利要求1所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括以下步骤 对所述第一基板作标示，从而在所述第一基板上建立标示；操作所述换能器； 响应于操作所述换能器比较所述标示；以及执行响应于比较所述标示测量畸变 的步骤。
3. 如权利要求1所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括响应于所述 测量畸变的步骤校准测量检验装置的步骤。
4. 如权利要求1所述的畸变测量方法，其特征在于，所述第一基板还包 括响应于操作所述换能器产生第一信号的第一角隅棱镜，且所述第二基板还包 括响应于操作所述换能器产生第二信号的第二角隅棱镜，其中所述测量畸变的 步骤响应于操作所述换能器且响应于将所述第一信号与所述第二信号作比较 来执行。
5. 如权利要求1所述的畸变测量方法，其特征在于，所述测量畸变的步 骤包括执行刚体补偿的步骤。
6. 如权利要求1所述的畸变测量方法，其特征在于，所述换能器还包括 传感器，而且所述测量畸变的步骤包括从所述传感器读取值的步骤。
7. 如权利要求1所述的畸变测量方法，其特征在于，所述测量畸变的步 骤通过使所述第一基板成像来执行。
8. 如权利要求1所述的畸变测量方法，其特征在于，所述测量畸变的步 骤包括将传感器测量值与成像测量值作比较的步骤。
9. 一种校准测量和检验系统的方法，所述测量和检验系统包括用于对准 基板的基准台和用于使所述基板成像的观测系统，所述方法包括以下步骤用一组件实现所述基板，所述组件包括使第一基板相对于第二基板在第一位置耦合的换能器，所述换能器还包括至少一个传感器；当所述组件在所述第一位置时，相对于所述基准台在所述第一基板上标示 至少一个位置；通过在所述至少一个位置作标示之后使所述组件成像而产生第一图像；操作所述换能器从而将所述第一基板相对于所述第二基板移动至第二位置；响应于操作所述换能器产生反映所述第二位置的传感器值； 通过在所述第二位置使所述组件成像以产生第二图像；以及 响应于比较所述第一图像、所述第二图像、以及所述传感器值来校准测量 和检验系统。
10. 如权利要求9所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括响应于所述 第一图像和响应于所述第二图像产生测量节点的步骤。
11. 如权利要求9所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括执行刚体补 偿的步骤以及执行响应于执行所述刚体补偿校准所述测量和检验系统的步骤。
12. 如权利要求9所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括操作所述换 能器以使所述第一基板和所述第二基板之间的间距均匀的步骤。
13. 如权利要求9所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括操作所述换 能器以使所述第一基板和所述第二基板之间的间距不均匀的步骤。
14. 如权利要求9所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括操作所述换 能器以使从所述第一位置到所述第二位置的移动均匀的步骤。
15. 如权利要求9所述的畸变测量方法，其特征在于，还包括操作所述换能器以使从所述第一位置到所述第二位置的移动不均匀的步骤。
16. —种畸变测量方法，包括以下步骤用一组件模拟单个基板，所述组件包括第一基板、第二基板、以及将所述 第一基板耦合至所述第二基板的至少一个换能器；通过操作所述换能器模拟所述单个基板的处理；以及 响应于模拟所述单个基板的处理校准测量和检验系统。
17. 如权利要求16所述的畸变测量方法，其特征在于，所述处理包括所 述单个基板的热处理。
18. 如权利要求16所述的畸变测量方法，其特征在于，所述处理包括切割所述单个基板。
19. 如权利要求16所述的畸变测量方法，其特征在于，所述换能器包括 产生一值的传感器，且所述校准测量和检验系统的步骤包括将所述值与由观测 系统产生的测量节点作比较的步骤。
20. 如权利要求16所述的畸变测量方法，其特征在于，所述换能器包括 产生一值的传感器，且所述校准测量和检验系统的步骤包括将所述值与由干涉 仪产生的值作比较的步骤。
全文摘要
提出了一种校准在LCD产业中使用的测量和检验系统的方法。提出了一种组件，其包括通过换能器耦合的两个基板。两个固定装置也粘附至基板并连接至干涉仪。通过利用测量和检验系统的支承台上的基准点作为基准对这些基板的至少一个进行标记而建立一标示。然后操作换能器以模拟诸如热处理或玻璃切割处理之类的LCD玻璃处理。操作该换能器还产生通过干涉仪测量和代表第一畸变测量的信号。然后标示与基准标记比较以确定第二畸变测量。然后第一畸变测量与第二畸变测量的比较用来校准测量和检验装置。
文档编号G01B11/16GK101542230SQ200780044371
公开日2009年9月23日 申请日期2007年11月26日 优先权日2006年11月30日
发明者C·R·尤斯坦尼克 申请人:康宁股份有限公司