用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法

文档序号:6191363阅读:187来源:国知局
用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法
【专利摘要】一种半导体芯片面板,包括嵌入在封装材料中的多个半导体芯片。半导体芯片中的至少一部分包括分别在第一主表面上的第一电接触元件和在与第一主表面相对的第二主表面上的第二电接触元件。通过在测试接触装置和第一电接触元件之间以及在导电固定器和第二接触元件之间建立电接触来测试多个半导体芯片中的一个。
【专利说明】用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法、一种用于测试半导体芯片的设备、以及一种导电固定器。
【背景技术】
[0002]在功率电子器件中,经常使用具有像例如IGBT晶体管的垂直晶体管的半导体芯片,或者通常使用其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主表面上并且至少一个其他电接触焊盘被布置在与第一主表面相对的第二主表面上的晶体管。可以将这些半导体芯片中的若干个安装在陶瓷衬底或印刷电路板上并且电连接以形成功率模块或功率系统。以此方式,例如,多至20个功率半导体芯片可以被相互组合并且电连接以形成电路。
[0003]这些模块的一个示例是所谓的智能功率模块(IPM)。在将半导体芯片模块或各个半导体芯片输送至客户之前,重要的是知晓半导体芯片模块或各个半导体芯片是否情况正常以及它们是否满足预定的性能标准。因此,存在对于用于测试半导体芯片和/或半导体芯片模块,特别是用于测试包括半导体功率晶体管芯片或具有垂直晶体管结构的半导体芯片的那些芯片和/或半导体芯片模块的实际和有效方法的需求。
【专利附图】

【附图说明】
[0004]包括附图来提供对实施例的进一步理解,并且将附图结合在该说明书中并构成其一部分。附图图示出了实施例并且与描述一起用于解释实施例的原理。将容易理解其他实施例以及实施例的许多预期优点,因为通过参考以下详细描述它们变得更好理解。附图的元素不一定相对于彼此是按比例的。相同的附图标记表示对应的相似部分。
[0005]图1示出了用于图示根据实施例的用于测试半导体芯片的方法的流程图;
[0006]图2示出了根据实施例的测试接触装置的透视图;
[0007]图3A和图3B共同构成图3,示出了根据实施例的导电衬底的顶视图(3A)和截面侧视图(3B);
[0008]图4示出了根据实施例的半导体芯片面板的部分区段的示意性截面图;
[0009]图5A至图5C共同构成图5,示出了在建立电接触之前的测试接触装置、半导体芯片面板和导电衬底的部分截面图(5A)、放大部分截面图(5B)以及顶视图(图5C);
[0010]图6A和图6B共同构成图6,示出了在建立电接触之后的测试接触装置、半导体芯片面板和导电衬底的部分截面图(6A)和放大部分截面图(6B);
[0011]图7示出了根据示例的包括多个半导体芯片的半导体芯片模块的顶视图;以及
[0012]图8示出了用于图示出根据示例的同时测试若干个模块或芯片的包括半导体芯片模块或各个半导体芯片的矩阵布置的半导体芯片面板的顶视图。
【具体实施方式】
[0013]现在参照附图描述多个方面和实施例,其中相同的附图标记通常到处被用于涉及相同的元素。在以下描述中,出于解释的目的,阐述了许多具体细节以便提供对实施例的一个或多个方面的透彻理解。然而,对于本领域技术人员而言可以明显的是,可以利用较少程度的具体细节来实践实施例的一个或多个方面。在其他情形下,以示意性形式示出已知的结构和元件,以便促进描述实施例的一个或多个方面。要理解的是可以利用其他实施例,并且可以在不脱离本发明的范围的情况下做出结构或逻辑改变。进一步应当注意的是,附图不是或不一定是按比例的。
[0014]此外,尽管可以仅参照若干个实施方式中的一个来公开实施例的特定特征或方面,但当可能期望并且对于任何给定或特定应用有利时,此类特征或方面可以与其他实施方式的一个或多个其他特征或方面组合。此外,对于在详细描述或者权利要求中使用术语“包含”、“具有”、“带有”或其他变体的方面来说,这些术语意在以类似于术语“包括”的方式而是包括性的。可以使用术语“耦合的”和“连接的”以及派生词。应该理解的是,这些术语可以被用于指示两个元素彼此协作或者交互而不论它们是彼此直接物理或电接触,还是它们并未彼此直接接触。而且,术语“示例性”仅仅意味着作为示例,而不是最佳或最优的。因此,以下详细描述并不以限制意义而进行,而是本发明的范围由所附权利要求所限定。
[0015]用于测试半导体芯片的方法以及用于测试半导体芯片的设备的实施例可以使用各种类型的半导体芯片或半导体芯片模块或包含在半导体芯片中的电路,在它们之中包括逻辑集成电路、模拟集成电路、混合信号集成电路、传感器电路、MEMS(微机电系统)、功率集成电路、具有集成无源器件的芯片等等。实施例也可以使用包括MOS晶体管结构或像例如IGBT (绝缘栅双极晶体管)结构的垂直晶体管结构的半导体芯片,或者通常其中至少一个电接触焊盘被布置在半导体芯片的第一主表面上以及至少一个其他电接触焊盘被布置在与半导体芯片的第一主表面相对的半导体芯片的第二主表面上的晶体管或其他结构或器件。
[0016]半导体芯片可以包括在它们外侧表面中的一个或多个上的接触元件或接触焊盘,其中接触元件用于电接触半导体芯片。接触元件可以具有任何期望的形式或形吠。它们例如可以具有焊接区(land)的形式,即在半导体芯片的外侧表面上的平接触层。接触元件或接触焊盘可以由任何导电材料制成,例如由如铝、金或铜的金属制成,或由金属合金、导电有机材料或导电半导体材料制成。接触元件也可以被形成为上述材料中的一个或多个的层堆叠。
[0017]半导体芯片面板可以包括具有嵌入其中的半导体芯片或半导体芯片模块的封装剂或封装材料。封装材料可以是任何电绝缘材料,像例如任何种类的模制材料、任何种类的树脂材料、或任何种类的环氧树脂材料。封装材料也可以是聚合物材料、聚酰亚胺材料、热塑性材料、硅树脂材料、陶瓷材料和玻璃材料。封装材料也可以包括任何上述材料并且进一步包括嵌入其中的填充材料,像例如导热增加物。这些填充增加物可以由例如A10、AlN或BrN制成。半导体芯片面板可以具有晶片的形式,即圆形形式,但是并不限于晶片的形式或形状,而是可以具有任何尺寸和形状以及嵌入其中的半导体芯片或半导体芯片模块的任何合适布置。
[0018]在权利要求和以下说明书中,用于测试半导体芯片的方法的不同实施例被描述为过程或措施的特定序列,特别是在流程图中。要注意的是实施例不应被限于所述的特定序列。也可以同时或者以任何其他有用的并且合适的序列来进行不同过程或措施中的特定一个或所有。
[0019]根据第一方面,用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法可以包括提供包括嵌入在密封材料中的多个半导体芯片或半导体芯片模块的半导体芯片面板,其中半导体芯片中的至少一部分包括分别在第一主表面上的第一电接触元件和在与第一主表面相对的第二主表面上的第二电接触元件,以及通过在测试接触装置和第一电接触元件之间并且在导电固定器和第二接触元件之间建立电接触来测试多个半导体芯片中的一个。
[0020]半导体芯片面板可以包括各个半导体芯片或半导体芯片模块中的一个或多个。半导体芯片模块可以包括两个或更多个半导体芯片,特别是功率晶体管芯片,并且它们可以包括至少一个另外的半导体芯片,其包括逻辑电路或驱动器电路中的一个或多个。特别地,半导体芯片模块可以包括所谓智能功率模块(IPM)。
[0021]图1示出了根据实施例的用于图示用于测试半导体芯片或半导体芯片模块的方法的流程图。方法10包括提供包括测试接触装置和导电固定器(卡盘)的测试设备(探针)(框11)。以下将示出测试设备的实施例,特别是测试接触装置和卡盘。
[0022]方法10进一步包括提供包括嵌入在封装材料中的多个半导体芯片或半导体芯片模块的半导体芯片面板(框12)。半导体芯片中的每一个包括电学器件、第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面,第一主表面具有第一接触元件,以及第二主表面具有第二接触元件。在先前步骤中,半导体芯片可以已经被制造在半导体晶片上,从半导体晶片切出并且随后被嵌入在封装材料中,以各个半导体芯片的形式或者以半导体芯片模块的形式。以下将示出半导体芯片面板的实施例。
[0023]方法10进一步包括以与导电固定器一定距离来定位半导体芯片面板,使得测试接触装置被定位在要被测试的特定半导体芯片或者模块上方(框13)。半导体芯片面板和测试接触装置必须相对彼此被横向移动。因此测试接触装置被横向移动,同时固定半导体芯片面板,或者半导体芯片被横向移动,同时固定测试接触装置。这将在以下被更详细示出。
[0024]方法10进一步包括在测试接触装置和多个半导体芯片中的一个半导体芯片的第一接触元件之间建立电接触(框14)。这可以例如通过以下来实现:在要被测试的半导体芯片的方向向下移动测试接触装置,直至测试接触装置的测试引脚与半导体芯片的第一主表面上的第一接触元件相接触,并且或许直至测试接触装置的另外的测试引脚与半导体芯片的第一主表面上的另外的接触元件相接触。
[0025]方法10进一步包括在半导体芯片的第二接触元件与卡盘之间建立电接触(框15)。这可以例如通过以下来实现:在测试接触装置上施加向下的力并且由此将半导体芯片向下按压至卡盘上。也有可能的是,首先通过将半导体芯片面板吸取至卡盘上来在第二接触元件和卡盘之间建立电接触,并且此后通过向下移动测试接触装置直至建立电接触来在测试接触装置和第一接触元件之间建立电接触。
[0026]方法10进一步包括通过测量半导体芯片或半导体芯片模块的电学器件的功能、性能和电学特性中的一个或多个来测试半导体芯片或半导体芯片模块(框16)。
[0027]根据方法10的实施例,流程图可以继续至框17,其中进行是否已经测试了所有的多个半导体芯片或模块的询问。如果答案是“是(YES) ”,则流程图结束于框19。如果答案是“否(NO)”,则流程图移至框18,据此横向移动测试接触装置或半导体芯片面板中的一个,使得测试接触装置位于下一个半导体芯片或模块上方。此后,流程图再次移至框14以便对新的半导体芯片或模块重复框14-16的步骤。
[0028]根据方法10的实施例,可以提供包括多个测试接触引脚的测试接触装置。在图2中,以透视图示出了这种测试接触装置的示例。图2的测试接触装置100包括用于在基板110的中心部分中固定多个引脚120的金属基板110。多个引脚120可以包括电接触引脚以及距离引脚。电接触引脚可以被划分成与要被测试的半导体芯片的电接触区域或焊盘相对应的不同区域。距离引脚可以被配置为固定地附着到基板110并相对于基板110静止,以及测试接触引脚120可以被配置为可滑动地安装在基板110内,特别是如以下将详细示出的以弹簧装载的引脚的形式。
[0029]根据方法10的实施例,可以提供包括规则图案的立面(elevation) 210的导电固定器(卡盘)200。图3A和图3B以顶视图(A)和沿图3A的线B-B的截面侧视图⑶示出了导电固定器200的示例。图3A和图3B的导电固定器200的立面210可以包括被示为图3A中阴影区域的共面平整上表面,以及被示为阴影区域之间的区域的倾斜壁。当将半导体芯片按压至导电固定器200上时,半导体芯片的金属化背表面将被放置在立面210的多个上表面上,使得与将半导体背表面按压至平整固定器相比将增加接触压力。结构化的表面也减小了不需要的颗粒的影响。相邻立面210之间的距离可以在从0.5mm至1.5mm的范围中,并且立面的高度可以在从0.1mm至Imm的范围中。立面210的上表面可以具有矩形或方形形式并且侧壁可以在所有四个侧面上是倾斜的。
[0030]导电固定器200可以进一步包括距离元件,像例如从主表面沿垂直于主表面平面的方向延伸且可以位于固定器边缘区域中的距离引脚。距离元件的长度可以确定半导体芯片面板相对于导电固定器200所定位的距离,如相对于图1的框14所解释的。
[0031]导电固定器200可以进一步包括开口,其垂直贯穿固定器直至导电固定器200的主表面,并且可以被连接至真空泵以便将半导体芯片面板吸取至导电固定器200的主表面。
[0032]根据图1的方法10的实施例,将半导体芯片或模块嵌入在封装材料中以便形成半导体芯片面板。图4示出了根据实施例的半导体芯片面板的一部分的截面表示。图4的半导体芯片面板300包括多个半导体芯片310,仅示出了其中的两个。半导体芯片310可以由像例如IGBT晶体管芯片的垂直晶体管芯片所构成。半导体芯片310均可以包括第一主表面311和与第一主表面311相对的第二主表面312。第一主表面311可以具有两个接触元件311.1和311.2,即源极接触元件311.1和栅极接触元件311.2,并且第二主表面312可以具有漏极接触元件312.1。漏极接触元件312.1可以与可以由例如铜制成的厚导体元件312.2相连接。半导体芯片310均可以在第一和第二主表面311和312之间具有处于从50μπι至IOOym的范围中的厚度。半导体芯片310可以基于S1、SiC,或者像例如GaN的II1-V族半导体材料。半导体芯片310可以通常在半导体晶片中被加工,并且随后从半导体晶片切出。此后,将单片化的半导体芯片嵌入在封装材料中。
[0033]以使得半导体芯片310被并排横向布置的方式将半导体芯片310嵌入在封装材料320内,使得半导体芯片310的第一主表面311彼此共面并且与封装材料320的第一主表面321共面,以及半导体芯片310的第二主表面312彼此共面并且与封装材料320的第二主表面322共面。可以以使得半导体芯片310彼此电流分离或电电隔离的方式将半导体芯片310嵌入在封装材料320中。此外,多个半导体芯片310可以在半导体芯片面板内以矩阵形式被布置,其可以在图7A中看到。
[0034]封装材料320可以包括绝缘材料、模制材料、聚合物材料、树脂材料、以及环氧树脂材料中的一个或多个。封装材料320也可以是聚合物材料、聚酰亚胺材料、热塑性材料、硅树脂材料、陶瓷材料和玻璃材料。封装材料也可以包括上述材料中的任意,并且进一步包括嵌入其中的填充材料,像例如导热增加物。这些填充增加物可以由例如A10、AlN或BrN制成。
[0035]根据一个实施例,半导体芯片面板300可以包括要被单独测试的多个电流分离的相同半导体芯片。根据一个实施例,半导体芯片面板也可以包括多个半导体模块,其中两个或更多个半导体芯片相互电连接以形成电路。以下将进一步示出其示例。
[0036]图5A至图5C、图6A和图6B示出了用于在非接触情形和接触情形下测试半导体芯片的设备的不同视图。用于测试半导体芯片的设备500包括可以按照与图3的导电固定器300相同方式配置的导电固定器(卡盘)510,以及可以按照与图2中所示和所述的测试接触装置100相同方式配置的测试接触装置520。测试接触装置520可以在朝向且远离导电固定器510的方向上被可移动地布置在设备500内,如由垂直双箭头所示的。
[0037]根据设备500的实施例,测试接触装置520或半导体芯片面板中的一个或多个可在平行于导电固定器510的上表面的水平平面中移动。图5C示出了位于半导体芯片面板530之上的测试接触装置520的顶视图,可以按照与图4的半导体芯片面板300相同的方式配置半导体芯片面板530。半导体芯片面板530可以包括各个半导体芯片541的阵列540,其以如此的方式被嵌入在封装材料550中,使得半导体芯片541以矩阵形式被并排横向地布置并且被相互电流分离或电绝缘。各个半导体芯片可以由像例如IGBT晶体管芯片的垂直晶体管芯片构成。替代各个半导体芯片,半导体芯片模块也可以是面板的一部分并且被嵌入在其内,并且以与各个芯片同样的方式被测试。
[0038]测试接触装置520可以包括多个测试接触引脚521,可以按照结合图2所示和所述的相同方式来布置该多个测试接触引脚521。图5A示出了沿着图5C中所描绘的线A-A的截面图。测试接触装置520被示为处于其中测试接触引脚521被固定在如图5B中所示要被测试的半导体芯片上方的位置中,图5B示出了测试接触装置520的中心的放大截面图。半导体芯片面板530位于导电固定器510的上表面上,并且可以由于与真空泵相连接的导电固定器510中的开口(二者在图中均未被不出)而通过吸气机构固定至导电固定器510。测试接触引脚521可以由弹簧装载的引脚构成。在如图5A-图5C中所示的情形下,半导体芯片面板530的背表面并未接触导电固定器510的上表面,而是由于置于导电固定器510上表面上的距离元件而以小距离保持远离。
[0039]图6A和图6B图示出了降低测试接触装置520、并在测试接触引脚521与半导体芯片的上表面处的电接触区域之间建立电接触、同时将半导体芯片的背表面对着导电固定器510的上表面进行按压的过程。测试接触装置520也可以包括距离引脚522。
[0040]为了朝向导电固定器510降低测试接触装置520,从上方向测试接触装置520施加压力直至距离引脚522的下端面到达半导体芯片面板530的上表面。在此发生之前,测试接触引脚521的下端面已经到达了要被测试的半导体芯片的电接触区域的上表面,并且由于测试接触装置520的进一步向下移动,弹簧装载的引脚521对着弹簧力同时一直与半导体芯片的电接触区域相接触而在测试接触装置520的主体内侧被移位。与此同时,由于测试接触引脚521的向下挤压,要被测试的半导体芯片被向下按压直至半导体芯片的金属化背表面与导电固定器510的上表面相接触。结果,在一个半导体芯片的一个测试阶段期间,只有要被测试的特定半导体芯片被测试接触引脚521接触并且用其金属化背表面对着导电固定器510的上表面进行按压,同时半导体芯片面板530的剩余部分仍然与导电固定器510的上表面分离。
[0041]在测试接触引脚521和半导体芯片的上表面处的电接触区域之间、以及在半导体芯片的金属化背表面和导电固定器510的上表面之间建立了满意的电接触之后,可以执行电学测量。例如可以通过由附图中并未示出的其他测试接触引脚施加电压至栅极接触区域,并且测量经由垂直晶体管至背侧漏极接触区域以及由此进入导电固定器510中的流过测试接触引脚521和源极接触区域的电流来完成测量。
[0042]此后,可以再次抬升测试接触装置520,并且可以通过重复如上所述的过程来将测试接触装置520和半导体芯片面板530中的一个或多个横向移位至要被测试的下一个半导体芯片。在已经测试了半导体芯片面板530的所有半导体芯片之后,半导体芯片面板530可以被单片化,并且可以例如通过并联连接良好的半导体芯片来将它们构建在功率模块内。
[0043]图7示出了根据示例的半导体芯片模块的顶视图。图7的半导体芯片模块700可以是所谓的智能功率模块(IPM)。其可以包括三个功率晶体管701(P1)、702(P2)和703 (P3),以及逻辑电路704(L1)。可以将逻辑电路704配置成控制并且驱动功率晶体管。其也可以包括其他功能,像例如温度传感器功能。可以将多个这种半导体芯片模块以阵列形式嵌入在封装材料中,并且因此形成诸如图5C中所示那样的半导体芯片面板。半导体芯片模块中的每一个都可以作为整体而被测试,或者可以测试半导体芯片模块中的每一个的各个芯片。
[0044]图8示出了根据示例的用于图示出同时测试若干个模块或芯片的包括半导体芯片模块831的矩阵布置或各个半导体芯片的半导体芯片面板830的一部分的顶视图。为了同时测试两个或更多个芯片或模块,可以利用包括两个或更多个测试接触元件821的测试接触装置820,两个或更多个测试接触元件821可以被同时向下移动,使得可以一次接触并且同时测试两个或更多个芯片或模块。测试接触元件821可以彼此具有一定距离,该距离大于矩阵中两个相邻芯片或模块之间的距离。
[0045]尽管已经相对于一个或多个实施方式图示出并且描述了本发明,但是可以在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下对所图示的示例做出变更和/或修改。特别是关于由上述部件或结构(组件、器件、电路、系统等等)所执行的各种功能,除非另有指示,否则用于描述这种部件的术语(包括对“装置”的引用)意在对应于执行所描述的部件的具体功能的任何部件或结构(例如,其是功能上等价的),即便在结构上并不等价于执行本发明在此图示的示例性实施方式中的功能的所公开的结构。
【权利要求】
1.一种用于测试半导体芯片的方法,所述方法包括: 提供半导体芯片面板,所述半导体芯片面板包括嵌入在封装材料中的多个半导体芯片,其中所述半导体芯片中的至少一部分包括分别在第一主表面上的第一电接触元件和在与所述第一主表面相对的第二主表面上的第二电接触元件;以及 通过在测试接触装置和所述第一电接触元件之间以及在导电固定器和所述第二接触元件之间建立电接触来测试所述多个半导体芯片中的一个。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,测试所述半导体芯片包括由所述测试接触装置将所述半导体芯片按压到所述导电固定器上。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体芯片中的一个包括功率晶体管、垂直晶体管、MOS晶体管、绝缘栅双极晶体管、逻辑电路或无源部件。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体芯片包括相似的或者同等的电学器件。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体芯片包括不同的电学器件。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,以矩阵形式布置所述多个半导体芯片。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体芯片面板包括半导体芯片模块,所述半导体芯片模块包括两个或更多个半导体芯片。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述半导体芯片模块包括智能功率模块。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体芯片面板包括以矩阵形式布置的多个半导体芯片模块。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所述半导体芯片中的一个包括从30μπι至150 μ m,特别是从50 μ m至120 μ m的范围中的厚度。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述封装材料包括模制材料、聚合物材料、聚酰亚胺材料、树脂材料、环氧树脂材料、硅树脂材料、陶瓷材料和玻璃材料中的一个或多个。
12.根据权利要求1所述的方法,其中,所述导电固定器包括与其连接的距离元件,并且其中测试所述半导体芯片中的一个包括通过将所述半导体芯片面板放置在所述距离元件上来以到所述导电固定器的一定距离定位所述半导体芯片面板。
13.根据权利要求1所述的方法,进一步包括: 相对于所述导电固定器移动所述测试接触装置,使得所述测试接触装置被定位在所述半导体芯片上方,并且此后测试所述半导体芯片;以及此后 相对于所述导电固定器移动所述测试接触装置,以继续测试其他半导体芯片。
14.根据权利要求1所述的方法,其中,测试所述半导体芯片包括将一个或多个电压施加至所述测试接触装置和导电衬底中的一个或多个,并且测量电流、导电率或电阻率中的一个或多个。
15.一种用于测试半导体芯片的设备,所述设备包括: 导电固定器;以及 测试接触装置,其在朝向所述导电固定器的方向上是可移动的。
16.根据权利要求15所述的设备,其中,所述测试接触装置是在空间中所有三个方向上可移动的。
17.根据权利要求15所述的设备,其中,所述测试接触装置包括多个测试接触引脚。
18.根据权利要求17所述的设备,其中,所述测试接触引脚的布置对应于在特定半导体芯片的主表面上的电接触元件的布置。
19.根据权利要求15所述的设备,其中,所述导电固定器的主表面包括规则图案的立面。
20.根据权利要求15所述的设备,其中,所述导电固定器包括从所述导电固定器的主表面延伸的距离元件。
21.根据权利要求15所述的设 备,其中,所述导电固定器包括贯穿所述固定器至所述固定器的主表面的开口。
22.—种导电固定器,包括: 主表面,包括规则图案的立面,其中 所述立面包括共面的平整上表面,并且相邻立面之间的距离在从0.5mm至1.5mm的范围中。
23.根据权利要求22所述的导电固定器,其中,所述立面的上表面包括矩形或方形形式。
24.根据权利要求22所述的导电固定器,其中,所述立面包括倾斜的侧壁。
25.根据权利要求22所述的导电固定器,进一步包括从所述主表面延伸的距离元件。
26.根据权利要求22所述的导电固定器,进一步包括贯穿所述固定器至所述主表面的开口。
【文档编号】G01R31/28GK103983911SQ201310757087
【公开日】2014年8月13日 申请日期:2013年12月13日 优先权日:2012年12月14日
【发明者】E·菲尔古特, H·格勒宁格 申请人:英飞凌科技股份有限公司
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