半导体装置的制造方法和半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体装置的制造方法和半导体装置。
【背景技术】
[0002]在迄今为止的半导体装置的制造工艺中，进行利用密封树脂将单片化的半导体芯片分别密封的工序。作为这种技术，例如，有专利文献1中记载的技术。该文献中记载有，利用夹头(collet)拾取半导体芯片，在将半导体芯片安装在基板上后，使用半导体密封用环氧树脂，通过传递模塑法将半导体芯片分别密封(专利文献1)。
[0003]专利文献2中记载有从半导体晶片使芯片单片化的技术。具体而言，通过半切割在半导体晶片的主面形成槽。通过对背面进行研磨，将由半导体构成的芯片单片化。单片化的芯片以基底的半导体在表面露出的状态被拾取后，进行芯片焊接。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本特开平9-107046号公报
[0007]专利文献2:日本特开2011-210927号公报
【发明内容】
[0008]发明要解决的技术问题
[0009]但是，在上述文献中记载的半导体封装件的制造工艺中，将各半导体芯片分别密封，因此，在生产率方面有改善的余地。
[0010]另外，发明人研究发现，在利用夹头(collet)拾取芯片时，会产生芯片破裂(剥落)。即，上述文献中记载的技术在可靠性方面有改善的余地。
[0011]用于解决技术问题的手段
[0012]本发明人进一步研究发现，在拾取半导体芯片时，通过保护半导体芯片的表面，能够抑制剥落。基于这样的见解进一步潜心研究发现，通过将多个半导体芯片一体化的构造体一并密封，并且在相邻芯片之间进行分割，能够得到侧面和背面(电路形成面的相反侧)由密封材料层覆盖的半导体芯片。而且发现在该半导体芯片中，处理时的剥落被抑制，从而完成了本发明。
[0013]根据本发明，提供一种半导体装置的制造方法，其包括:
[0014]准备构造体的工序，该构造体具备粘附部件和被粘贴在上述粘附部件的粘附面的半导体晶片，上述半导体晶片的电路形成面被粘贴在上述粘附部件的粘附面；
[0015]在上述半导体晶片的电路形成面粘贴有上述粘附部件的状态下，沿着上述半导体晶片的切割区域，在上述半导体晶片的电路形成面的相反侧的面形成多个规定宽度的切槽的工序；
[0016]使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物与上述半导体晶片接触，将上述半导体密封用树脂组合物填充到上述切槽内，并且利用上述半导体密封用树脂组合物将上述半导体晶片的电路形成面的相反侧的面覆盖密封的工序；和
[0017]使上述半导体密封用树脂组合物固化的工序。
[0018]根据本发明，提供一种半导体装置的制造方法，其包括:
[0019]准备在主面形成有电路的半导体晶片的准备工序；
[0020]将上述半导体晶片粘贴在粘接层的粘贴工序；
[0021]在粘贴在上述粘接层的状态的上述半导体晶片上沿着切割区域形成多个切槽的切槽工序；
[0022]在上述半导体晶片的上述主面粘贴在上述粘接层的状态下，将多个上述切槽和上述半导体晶片一并密封，由此，在上述切槽的内部和上述半导体晶片的背面上形成由半导体密封用树脂组合物构成的密封材料层的密封工序；和
[0023]通过沿着上述切割区域分割上述密封材料层，得到在侧面和上述背面形成有上述密封材料层的多个半导体芯片的分割工序。
[0024]根据本发明，提供一种半导体装置，其具备:
[0025]在主面形成有电路的半导体芯片；
[0026]在上述主面形成的凸块(bump);和
[0027]覆盖上述半导体芯片的侧面和上述主面的相反侧的背面的密封材料层(密封件层)，
[0028]上述半导体芯片的侧壁面的一部分未被上述密封材料层的侧壁面覆盖而露出。
[0029]发明效果
[0030]根据本发明，能够提供可靠性和生产率优异的半导体装置的制造方法，并且能够提供在可靠性方面得到改善的半导体装置。
【附图说明】
[0031]上述的目的、和其它的目的、特征和优点，通过以下说明的优选实施方式和附随于其的以下的附图将会进一步明确。
[0032]图1是表示本实施方式的半导体装置的一个例子的截面图。
[0033]图2是表示本实施方式的半导体装置的一个例子的截面图。
[0034]图3是表示本实施方式的半导体装置的一个例子的截面图。
[0035]图4是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明的工序截面图。
[0036]图5是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明的工序截面图。
[0037]图6是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明的工序截面图。
[0038]图7是表示本实施方式的半导体装置的一个例子的截面图。
[0039]图8是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明的工序截面图。
[0040]图9是表示本实施方式的半导体装置的制造方法的切割区域的俯视概念图。
[0041]图10是用于对本实施方式的半导体装置的制造方法的一个例子进行说明的工序截面图。
【具体实施方式】
[0042]以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在全部的附图中，对于同样的构成要素标注同样的符号，适当省略说明。
[0043]<第一实施方式>
[0044]对本实施方式的半导体装置的制造方法进行说明。
[0045]本实施方式的半导体装置8的制造方法能够包括:准备构造体7的工序，该构造体7具备粘附部件10 (粘接层)和粘贴在粘附部件10的粘附面的半导体晶片1，半导体晶片1的电路形成面粘贴在粘附部件10的粘附面；在半导体晶片1的电路形成面粘贴有粘附部件10的状态下，沿着半导体晶片1的切割区域，在半导体晶片1的电路形成面的相反侧的面形成多个规定宽度的切槽20的工序；使处于流动状态的半导体密封用树脂组合物49与半导体晶片1接触，将半导体密封用树脂组合物49填充到切槽20内，并且利用半导体密封用树脂组合物49将半导体晶片1的电路形成面的相反侧的面覆盖密封的工序；和使半导体密封用树脂组合物49固化的工序。
[0046]在本实施方式的半导体装置的制造方法中，能够得到能够在利用半导体密封用树脂组合物的固化体(密封材料层40)覆盖保护半导体芯片5的电路形成面(主面3)的相反侧的面(背面4)和侧面9的状态下，利用夹头进行拾取的半导体装置8。由此，能够防止在利用夹头等处理装置进行拾取时处理装置直接与半导体芯片5接触，利用半导体密封用树脂组合物的固化体(密封材料层40)缓和在夹头等处理装置接触时对半导体芯片5施加的冲击。因此，根据本实施方式的制造方法，能够事先防止由于利用夹头等处理装置拾取半导体芯片5时施加的冲击而导致半导体芯片5破损(剥落)。因此，能够实现具有可靠性优异的构造的半导体装置。
[0047]在此，在专利文献2记载的单片化后的半导体芯片中，其侧面和背面(形成有凸块的面的相反侧的面)未被保护，是基底的半导体材料露出的状态。根据本发明人的研究已判明，当在该表面露出的状态下，实施拾取和搬送等处理时，该半导体芯片产生剥落的可能性尚°
[0048]而在本实施方式的制造工艺中，能够在半导体芯片5的侧面9和背面4 (主面3的相反侧的面)形成有密封材料层40的状态下，处理半导体芯片5。由此，能够抑制在拾取和搬送时产生的剥落。因此，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，与以往的制造工艺相比，能够得到可靠性优异的半导体装置8。
[0049]另外，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，单片化后，能够将多个半导体芯片5 —并进行树脂密封。因此，能够提高半导体装置8的生产率。
[0050]因此，在本实施方式中，能够实现能够使可靠性和生产率兼得的半导体装置的制造方法。
[0051]以下，对半导体装置的制造方法的各工序进行说明。
[0052]图4、5是用于对本实施方式的半导体装置8的制造方法的一个例子进行说明的工序截面图。
[0053]如上述图4、5所示，本实施方式的半导体装置的制造方法在半导体晶片级工艺中实施。即，本实施方式的半导体装置的制造方法能够包括:准备在主面3形成有电路的半导体晶片1的准备工序；将半导体晶片1粘贴在粘接层(保护I吴?ο)的粘贴工序；在粘贴在粘接层(保护膜10)的状态的半导体晶片1上，沿着切割区域形成多个切槽20的切槽工序；通过在半导体晶片1的主面3粘贴在粘接层(保护膜10)的状态下，将多个切槽20和半导体晶片1 一并密封，在切槽20的内部和半导体晶片的背面4上形成由半导体密封用树脂组合物构成的密封材料层40的密封工序；和通过沿着切割区域分割密封材料层40，得到侧面9和背面4形成有密封材料层40的多个半导体芯片5的分割工序。
[0054]在本实施方式中，半导体晶片1例如能够使用在硅基板上形成有单层或多层的配线层的半导体晶片。在半导体晶片1中，将形成有配线层的侧的面称为电路形成面(主面3)进行说明。
[0055]在本实施方式中，作为上述粘接层，可以使用多个同种或异种的粘接层。例如，作为粘接层，根据各种操作目的，可以使用保护膜10、切割膜30等。粘附部件(例如，保护膜10)可以是粘附带单体，也可以是在支承基材上形成有粘附层的粘附部件。保护膜10能够保护半导体晶片1不受冲击等的影响。转印部件能够在维持半导体芯片5的配置的状态下，将对粘接层的粘接面从主面3变更为背面4、或者从背面4变更为主面3，即变更为相反侧。
[0056]另外，在本实施方式的制造方法的各工序中使用的切割膜30、保护膜10和脱模膜50的详细情况将在后面说明。
[0057]首先，准备在主面3形成有电路的半导体晶片1。如图4的(a)所示，准备遍及整个电路形成面(主面3)形成有多个外部连接用的凸块(焊锡凸块2)的半导体晶片1。在本实施方式中，晶片在俯视时可以是圆形形状，也可以是矩形形状。该晶片是指薄层的板形状，只要至少具有能切出多个芯片的程度的面积，就没有特别限定。
[0058]接着，将半导体晶片1粘贴在粘接层(保护膜10)。如图4的(b)所示，为了保护所准备的半导体晶片1的电路形成面(主面3)，在该电路形成面粘贴保护膜10，利用保护膜10覆盖该电路形成面的整个面。通过这样，在研磨后述的半导体晶片1的电路形成面的相反侧的面时，能够防止由于对电路形成面施加的冲击而使搭载在该电路形成面的电子部件等破损。
[0059]接着，如图4的(c)所示，将粘贴有保护膜10的半导体晶片1的电路形成面(主面
3)的相反侧的面(背面4)除去。由此，使半导体晶片1的膜厚变薄。例如，能够通过化学机械研磨(CMP)等研磨半导体晶片1的背面4。具体而言，将粘贴有保护膜10的状态的半导体晶片1固定在研磨装置上，对电路形成面的相反侧的面进行研磨，使得该半导体晶片1的厚度成为规定的厚度。
[0060]在本实施方式中，使膜厚变薄的工序后的半导体晶片1的膜厚的上限值，例如可以为300 μπι以下，也可以为200 μπι以下。由此，能够实现所得到的半导体装置的薄层化。另一方面，该膜厚的下限值没有特别限定，例如，可以为100 μπι以上，也可以为150 μπι以上。由此，能够充分得到半导体晶片1或半导体芯片5的机械强度。
[0061]近年来，对于搭载半导体装置的电子设备，小型化和轻量化等要求高涨。为了满足这样的要求，进行半导体晶片的薄层化。在近年来的使半导体晶片薄层化的工艺中，由于在利用上述