原位固-液相界面化学反应的自对准装置的制作方法

文档序号:12358084阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种原位固-液相界面化学反应的自对准装置,其特征在于,包括:间隔层(300)、第一绝缘膜(510)、第二绝缘膜(520)以及两侧对应密封结合的上芯片(100)和下芯片(200);

所述上芯片(100)具有朝向所述下芯片(200)凸起的凸台(110),所述凸台(110)中具有第一通孔(120),所述第一绝缘膜(510)覆盖所述凸台(110)的表面及所述第一通孔(120)在所述凸台(110)的表面上的开口;

所述下芯片(200)具有朝向所述上芯片(100)下凹的凹槽(210),所述下芯片(200)中具有第二通孔(220),所述第二绝缘膜(520)覆盖所述凹槽(210)的内壁及所述第二通孔(220)在所述凹槽(210)的内壁上的开口;

所述凸台(110)设置于所述凹槽(210)中,并且所述第一通孔(120)相对于所述第二通孔(220),所述间隔层(300)夹设在所述第一绝缘膜(510)与所述第二绝缘膜(520)之间。

2.根据权利要求1所述的自对准装置,其特征在于,所述第一通孔(120)的尺寸沿着远离所述第二通孔(220)的方向逐渐增大。

3.根据权利要求1或2所述的自对准装置,其特征在于,所述第二通孔(220)的尺寸沿着远离所述第一通孔(120)的方向逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的自对准装置,其特征在于,所述自对准装置还包括:第三绝缘膜(530)和第四绝缘膜(540);

所述第三绝缘膜(530)覆盖所述上芯片(100)的外表面,所述第四绝缘膜(540)覆盖所述下芯片(200)的外表面。

5.根据权利要求4所述的自对准装置,其特征在于,所述第一绝缘膜(510)和/或所述第二绝缘膜(520)和/或所述第三绝缘膜(530)和/或所述第四绝缘膜(540)由氮化硅形成。

6.根据权利要求4所述的自对准装置,其特征在于,所述上芯片(100)和所述下芯片(200)的两侧分别由粘合件(400)密封粘合在一起。

7.根据权利要求6所述的自对准装置,其特征在于,所述粘合件(400)为由环氧树脂形成的粘合剂。

8.根据权利要求1所述的自对准装置,其特征在于,所述间隔层(300)的厚度不小于100nm。

9.根据权利要求8所述的自对准装置,其特征在于,所述间隔层(300)的材料选自金、铂、铬、二氧化硅中的任意一种。

10.根据权利要求1所述的自对准装置,其特征在于,所述第二绝缘膜(520)覆盖所述下芯片(200)的位于所述凹槽(210)两侧的表面上,其中,覆盖在所述下芯片(200)的位于所述凹槽(210)两侧的表面上的第二绝缘膜(520)的厚度大于覆盖在所述凹槽(210)内壁上的第二绝缘膜(520)的厚度。

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