技术总结
本发明公开了一种双差分全硅结构的微加速度计及其制造方法，涉及微电子机械系统领域。本发明首先通过基底耦合的方式，使4个类似的斜梁‑敏感质量块结构在外部环境的作用下都发生基本一致的形变；然后通过双差分的检测方法a=k(ΔCa‑ΔCb)，将外界环境造成的扰动抑制掉，从而提高了器件的长期稳定性和温度稳定性。
技术研发人员：许蔚;杨杰;谢国芬;王斌;刘显学;唐彬
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院电子工程研究所
文档号码：201611191423
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.03.15