本发明涉及一种DRAM的检测方法，尤其是DRAM短路分析方法。
背景技术：
目前在DRAM（动态存取存储器）产品发生短路时，运用X-射线或者研磨基板的方式进行确认短路是发生在基板上，还是芯片内部。X-射线可以透过封装查看内部金线，但是基板通常有多层，内部金线很多，射线穿透时容易形成重叠的影像，很难清晰的看出金线是否短路，耗费时间长，效果较差。研磨基板是将基板进行研磨，一直研磨到金线上方，看基板内部金线是否短路。但是金线很细，而且基板内部有多层金线，很容易研磨过头，造成检测失败，同时研磨时间长，成本高。
技术实现要素：
为解决上述问题，本发明提供一种能够快速准确确定短路位置的DRAM短路分析方法，具体技术方案为：
DRAM短路分析方法，包含以下步骤：
步骤1，通过测试系统检测DRAM，确定短路的区域；
步骤2，通过万用表对步骤1中所述区域进行短路检测，确定短路的两个引脚；
步骤3，将步骤2中所述两个引脚与芯片连接处的金线磨断，再用万用表测试两个引脚，如果仍然发生短路则是基板内部短路，如果无短路则是芯片内部短路。
步骤2中所述短路检测的引脚根据锡球位置图确定两个引脚。
通过测试系统检测DRAM，确定短路的区域；根据锡球位置图查看相关短路区域的引脚，再将万用表的两个针头连接这两个锡球进行测试，如果发生短路会有声音提示。对短路区域内所有的引脚进行检测，直到找出短路的两个引脚。将短路的两个引脚与芯片连接处的金线磨断，再用万用表测试基板上的两个引脚，如果仍然发生短路则是基板内部短路，如果无短路则是芯片内部短路。
将万用表调到蜂鸣档进行短路检测。
引脚的位置是标准的，各个引脚的作用也是固定的，因此可以根据锡球位置图查找短路的两个相关的引脚。引脚上焊有锡球。
是行业内的标准名称，每个引脚都有不同的作用金线是连接芯片和基板的。
确定具体短路原因后，进行针对性分析，分析准确率高。
与现有技术相比本发明具有以下有益效果：
本发明提供的DRAM短路分析方法简单、准确，快速确定是芯片短路还是基板上金线短路。
具体实施方式
现结合实施例对本发明作进一步说明。
DRAM短路分析方法，包含以下步骤：
步骤1，通过测试系统检测DRAM，确定短路的区域；
步骤2，通过万用表对步骤1中所述区域进行短路检测，确定短路的两个引脚；
步骤3，将步骤2中所述两个引脚与芯片连接处的金线磨断，再用万用表测试两个引脚，如果仍然发生短路则是基板内部短路，如果无短路则是芯片内部短路。
步骤2中所述短路检测的引脚根据锡球位置图确定两个引脚。
通过测试系统检测DRAM，确定短路的区域；根据锡球位置图查看相关短路区域的引脚，再将万用表的两个针头连接这两个锡球进行测试，如果发生短路会有声音提示。对短路区域内所有的引脚进行检测，直到找出短路的两个引脚。将短路的两个引脚与芯片连接处的金线磨断，再用万用表测试基板上的两个引脚，如果仍然发生短路则是基板内部短路，如果无短路则是芯片内部短路。