技术特征：
技术总结
本发明属于电子元器件技术领域，一种基于花状SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。二氧化氮气体传感器包括气敏材料和叉指电极板，气敏材料涂覆在叉指电极板表面，涂覆厚度为1～100μm；气敏材料为花状SnSe2/SnO2纳米材料。本发明采用水热法和热氧化法获得一种花状纳米异质结，原材料获取方便、价格低廉、制备过程简单，是一种设备投资小，工艺流程简单。本发明利用花状SnSe2/SnO2纳米材料制作的二氧化氮传感器选用硅基板，实现材料与硅基微电子相集成，制成具有加热功耗低、热量损耗小、热响应时间快、与CMOS工艺兼容、易于与其他微电子器件集成等优点的微热板型二氧化氮气体传感器。
技术研发人员：李晓干;李欣宇;刘航;林仕伟;陈汉德
受保护的技术使用者：大连理工大学
技术研发日：2018.11.30
技术公布日：2019.04.23