探针的制作方法

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种探针。

背景技术：

随着智能手机、平板电脑等移动终端向小型化、智能化、节能化的方向发展，芯片的高性能、集成化趋势明显，促使芯片制造企业积极采用先进工艺，对制造出更快、更省电的芯片的追求愈演愈烈。尤其是许多无线通讯设备的主要元件需用40nm以下先进半导体技术和工艺，因此对先进工艺产能的需求较之以往显著上升，带动集成电路厂商不断提升工艺技术水平，通过缩小晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸以提高芯片性能和可靠性，以及通过3D结构改造等非几何工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能等方式实现硅集成的提高，以迎合市场需求。然而，这些技术的革新或改进都是以晶圆的生成、制造为基础。

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在硅晶片上可加工、制作成各种电路元件结构，而称为有特定电性功能的集成电路产品。

探针是半导体制造过程中的一种重要测试器件，其主要用于晶圆表面元器件的在线电路测试、功能测试等。现有探针的材质主要是钨或者铼钨合金，且探针的表面光滑且具有亲水性，这就使得探针在使用过程中极易在表面粘附金屑、灰尘等污染物质，因此，为了确保探针的性能，需要经常对探针进行清洗。然而，频繁的清洗势必导致探针的磨损增加，使得探针的使用寿命降低。

因此，如何减少探针表面污染物的粘附，延长探针的使用寿命，是目前亟待解决的技术问题。

技术实现要素：

本实用新型提供一种探针，用以解决现有的探针易粘附污染物的问题，以延长探针的使用寿命，降低半导体生产的成本。

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种探针，包括探头，还包括保护层；所述保护层，至少覆盖于所述探头表面，包括多个纳米级片状结构，且多个片状结构层叠设置呈鱼鳞状，以增大所述探头表面的疏水性。

优选的，还包括探针主体，所述探头连接于所述探针主体的末端；所述保护层覆盖于所述探头及所述探针主体表面。

优选的，所述片状结构为椭圆形、圆弧形或者任意多边形。

优选的，所述片状结构为圆弧形，且圆弧的直径为1nm～5nm。

优选的，所述保护层采用钨或者铼钨合金制作而成。

优选的，所述保护层的厚度为0.1nm～1nm。

优选的，所述保护层是通过原子层沉积工艺于所述探头表面沉积形成。

优选的，所述保护层与所述探头可拆卸的连接。

优选的，所述保护层卡固于所述探头表面。

本实用新型提供的探针，采用纳米级的片状结构层叠设置构成保护层，使得所述保护层兼具疏水性和低阻性，并且将所述保护层至少覆盖于探针的探头，一方面可以有效的减少探头对金屑等污染物颗粒的吸附，另一方面也便于污染物顺着保护层中的鱼鳞状纹理自然滑落，减少了探针的清洗次数，延长的探针的使用寿命，进而降低了半导体生产的成本。

附图说明

附图1是本实用新型具体实施方式中探针的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的探针的具体实施方式做详细说明。

本具体实施方式提供了一种探针，附图1是本实用新型具体实施方式中探针的结构示意图。如图1所示，本具体实施方式提供的探针，包括探头10，还包括保护层11；所述保护层11，至少覆盖于所述探头10表面，包括多个纳米级片状结构12，且多个片状结构层叠设置呈鱼鳞状，以增大所述探头10表面的疏水性。

采用钨或者铼钨合金制成的探头10表面光滑且具有亲水性，因此，极易吸附晶圆表面的金屑等亲水性的污染物颗粒，本具体实施方式中，由于所述保护层是由多个纳米级的片状结构层叠设置构成的鱼鳞状结构，使得所述保护层具有较强的疏水性能，从而对金屑等亲水性的污染物颗粒形成排斥作用，避免了污染物粘附于所述探头表面，减少了对探头的清洁次数，进而延长了探针的使用寿命。同时，鱼鳞状的保护层结构还降低了探头表面的光滑度，减少了探头表面的粘性、降低了探头对污染物颗粒滑移的阻碍作用，使得污染物颗粒可以随着鱼鳞状的纹理自然滑落，实现了探头的自清洁功能，从而进一步延长了探针的使用寿命。

为了对探针整体形成保护，避免探头及探针的其他部位粘附污染物，优选的，所述探针还包括探针主体，所述探头10连接于所述探针主体的末端；所述保护层11覆盖于所述探头10及所述探针主体表面。

所述保护层11中的所述片状结构12的具体形状，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，例如根据探针的尺寸，本具体实施方式对此不作限定。优选的，所述片状结构12为椭圆形、圆弧形或者任意多边形。更优选的，所述片状结构12为圆弧形，且圆弧的直径为1nm～5nm。圆弧状的片状结构12更有利于污染物颗粒的滑落。

为了不对探头本身的探测性能造成影响，所述保护层11的材质优选为与所述探头10的材质相同。而所述探针的探头一般采用钨或者铼钨合金制造而成，因此，优选的，所述保护层10采用钨或者铼钨合金制作而成。

为了在延长探针使用寿命的同时，不影响探针探测的准确性，优选的，所述保护层10的厚度为0.1nm～1nm。

为了将所述保护层11稳定的固定于所述探头10表面，优选的，所述保护层11是通过原子层沉积工艺于所述探头10表面沉积形成。相较于其他工艺而言，通过原子层沉积工艺形成的保护层具有更大的疏水性及低阻性。

优选的，所述保护层11与所述探头10可拆卸的连接。为了简化所述探针的整体结构，更优选的，所述保护层卡固于所述探头表面。采用这种结构，一方面可以仅对所述保护层11进行清洗，从而进一步延长所述探针的使用寿命；另一方面，可以根据需要更换保护层11，以避免不同种类污染物颗粒粘附于探头表面，增大了探针的应用范围。

本具体实施方式提供的探针，采用纳米级的片状结构层叠设置构成保护层，使得所述保护层兼具疏水性和低阻性，并且将所述保护层至少覆盖于探针的探头，一方面可以有效的减少探头对金屑等污染物颗粒的吸附，另一方面也便于污染物顺着保护层中的鱼鳞状纹理自然滑落，减少了探针的清洗次数，延长的探针的使用寿命，进而降低了半导体生产的成本。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。