一焊盘(焊盘
51(+A))与感磁传感器用第二焊盘(焊盘51 (-A))连接的假想线相对于上述假想线平行地延伸。因此，由于能够使第一感应电压与第三感应电压的相位接近，因此能够通过第一感应电压降低第三感应电压。
[0165]特别是在本实施方式中，如图5所示，由于各环的截面积与感应电压的大小成比例，因此使通孔50(+B)与通孔50(-B)的间隔最优化，且如下设定:在感磁传感器4中由芯片40与输出端子48 (+B)、(-B)划分出的面积S4B与在双面基板5的截面内被通孔50 (+B)、50 (-B)包围而划分出的面积S50B的和与由半导体装置9的放大器部90 (+Β)、90(_B)的芯片97与输入端子98 (-B)、98(-B)划分出的面积S9B相等。因此，通过在中途切换传送路径，能够通过第一感应电压以及第二感应电压抵消第三感应电压。因此，能够抑制感应噪声的产生。
[0166](本实施方式的主要效果)
[0167]如以上所做的说明，在本实施方式的传感器装置10中，使用在一侧面501侧装配有感磁传感器4，在另一侧面502侧装配有半导体装置9的双面基板5，感磁传感器4与半导体装置9通过双面基板5的通孔50电连接。因此，也可以不在磁铁20的周边确保大的空间。并且，感磁传感器4与半导体装置9配置在两者的至少一部分在双面基板5的厚度方向上重叠的位置，且通孔50形成于与感磁传感器4以及半导体装置9中的至少一者重叠的位置。特别是在本实施方式中，通孔50形成于与感磁传感器4以及半导体装置9这两者在双面基板5的厚度方向上重叠的位置。因此，由于从感磁传感器4向半导体装置9的传送路径较短，因此与磁通交链的面积较窄。因此，在来自感磁传感器4的输出的传送路径中产生的感应电压较低。因此，由于在来自感磁传感器4的输出的传送路径中产生的感应噪声较小，因此能够缓和感应噪声对检测结果的影响。
[0168]并且，感磁传感器4设置在磁铁20的旋转中心轴线上，且双面基板5配置为使厚度方向朝向磁铁20的旋转中心轴线方向。因此，如图4(a)所示，磁通沿双面基板5而形成。因此，由于形成于双面基板5的配线52、54的环与磁通交链的部分较少，因此在来自感磁传感器4的输出的传送路径中产生的感应噪声较小。
[0169]并且，感磁传感器4的中心以及半导体装置9的中心位于旋转中心轴线L上。因此，能够使从感磁传感器4向半导体装置9的传送路径配置在旋转中心轴线L附近。因此，由于与传送路径交链的磁通的时间变化较小，因此在来自感磁传感器4的输出的传送路径中产生的感应电压较低。因此，能够减少感应噪声。
[0170]并且，在本实施方式中，从感磁传感器4向半导体装置9的传送路径在+A相与-A相之间交换位置，从感磁传感器4向半导体装置9的传送路径在+B相与-B相之间也交换位置。因此，只变更电路板5的结构，就能够使从感磁传感器4向半导体装置9的环的方向逆转。因此，由于能够在中途使感应电压的极性逆转而相互抵消，因此能够缓和感应噪声的影响。
[0171](其他实施方式)
[0172]在上述的实施方式中，感磁传感器4在旋转中心轴线L方向上与磁铁20相向，但也可以对感磁传感器4与环状磁铁20的外周面或外周面相向的传感器装置10应用本发明。
[0173]另外，在上述的实施方式中，从感磁传感器用第一焊盘(焊盘51(+A))向半导体装置用第一焊盘(焊盘53 (+A))的传送路径与从感磁传感器用第二焊盘(焊盘51 (-A))向半导体装置用第二焊盘(焊盘53(-A))的传送路径在双面基板5的另一侧面502切换位置。因此，通过第一感应电压和第二感应电压抵消第三感应电压。与此相对，也可以采用如下的结构:从感磁传感器用第一焊盘(焊盘51 (+A))向半导体装置用第一焊盘(焊盘53 (+A))的传送路径与从感磁传感器用第二焊盘(焊盘51 (-A))向半导体装置用第二焊盘(焊盘
53(-A))的传送路径在双面基板5的一侧面501切换位置。此时，通过第二感应电压和第三感应电压抵消第一感应电压。在这样的情况下，成为如下的结构:从旋转中心轴线L方向观察时，将半导体装置用第一焊盘(焊盘53 (+A))与半导体装置用第二焊盘(焊盘53 (-A))连接的假想线以及将第一通孔(通孔50 (+A))与第二通孔(通孔50 (-A))连接的假想线中至少一组假想线相对于将感磁传感器用第一焊盘(焊盘51 (+A))与感磁传感器用第二焊盘(焊盘51 (-A))连接的假想线平行地延伸。虽省略说明，但B相也相同。
【主权项】
1.一种磁传感器装置，其特征在于，所述磁传感器装置包括: 磁铁，所述磁铁设置在旋转体侧，且绕旋转中心轴线设置有N极以及S极； 感磁传感器，所述感磁传感器在固定体侧与所述磁铁相向； 半导体装置，所述半导体装置具有放大来自所述感磁传感器的输出信号的放大器部；双面基板，在所述双面基板的一侧面侧装配有所述感磁传感器，在所述双面基板的另一侧面侧装配有所述半导体装置， 所述感磁传感器与所述半导体装置配置在两者的至少一部分在所述双面基板的厚度方向上重叠的位置， 所述感磁传感器与所述半导体装置通过多个通孔电连接，所述多个通孔形成于所述双面基板中与所述感磁传感器以及所述半导体装置中的至少一者在所述双面基板的厚度方向上重叠的位置。2.根据权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于， 所述感磁传感器设置在所述磁铁的旋转中心轴线上， 所述双面基板配置为使厚度方向朝向所述磁铁的旋转中心轴线方向。3.根据权利要求2所述的磁传感器装置，其特征在于， 所述感磁传感器的中心以及所述半导体装置的中心位于所述旋转中心轴线上。4.根据权利要求2或3所述的磁传感器装置，其特征在于， 所述磁铁被磁化出一对NS极。5.根据权利要求2至4中任一项所述的磁传感器装置，其特征在于， 所述多个通孔形成于与所述感磁传感器以及所述半导体装置这两者在所述双面基板的厚度方向上重叠的位置。6.根据权利要求2至5中任一项所述的磁传感器装置，其特征在于， 在所述双面基板中，在将感磁传感器用第一焊盘与感磁传感器用第二焊盘连接的假想线延伸的方向上，在所述另一侧面侧与所述感磁传感器用第二焊盘电连接的半导体装置用第二焊盘相对于在所述另一侧面侧与所述感磁传感器用第一焊盘电连接的半导体装置用第一焊盘所位于的方向与所述感磁传感器用第二焊盘相对于所述感磁传感器用第一焊盘所位于的方向相反，其中，所述感磁传感器用第一焊盘在所述一侧面侧与所述感磁传感器的第一输出端子电连接，所述感磁传感器用第二焊盘在所述一侧面侧与所述感磁传感器的同所述第一输出端子成对的第二输出端子电连接。7.根据权利要求6所述的磁传感器装置，其特征在于， 第一感应电压、第二感应电压以及第三感应电压以任一个感应电压与另两个感应电压抵消的方式形成， 所述第一感应电压是在所述感磁传感器中通过形成有感磁膜的感磁传感器侧芯片与所述第一输出端子之间的感磁传感器侧第一配线以及所述感磁传感器侧芯片与所述第二输出端子之间的感磁传感器侧第二配线与所述磁铁的磁通交链而产生的， 所述第二感应电压是通过在所述双面基板的截面内被所述多个通孔中与所述第一输出端子对应的第一通孔以及与所述第二输出端子对应的第二通孔包围的区域与所述磁铁的磁通交链而产生的， 所述第三感应电压是在所述半导体装置中通过形成有所述放大器部的放大器侧芯片同与所述第一输出端子电连接的第一输入端子之间的放大器侧第一配线以及所述放大器侧芯片同与所述第二输出端子电连接的第二输入端子之间的放大器侧第二配线与所述磁铁的磁通交链而产生的。8.根据权利要求7所述的磁传感器装置，其特征在于， 从所述旋转中心轴线方向观察时， 所述磁传感器装置具有如下的结构:将所述第一通孔与所述第二通孔连接的假想线以及将所述感磁传感器用第一焊盘与所述感磁传感器用第二焊盘连接的假想线中至少一个假想线相对于将所述半导体装置用第一焊盘与所述半导体装置用第二焊盘连接的假想线平行地延伸， 或具有如下的结构:将所述第一通孔与所述第二通孔连接的假想线以及将所述半导体装置用第一焊盘与所述半导体装置用第二焊盘连接的假想线中至少一个假想线相对于将所述感磁传感器用第一焊盘与所述感磁传感器用第二焊盘连接的假想线平行地延伸。9.根据权利要求1至8中任一项所述的磁传感器装置，其特征在于， 所述感磁传感器随着所述磁铁的旋转而输出具有90°的相位差的两相信号。
【专利摘要】提供一种磁传感器装置，其即使不在磁铁的周边确保大的空间，也能缓和在来自感磁传感器的输出的传送路径中产生的感应噪声的影响。在传感器装置(10)中，使用在一侧面(501)侧装配有感磁传感器(4)、在另一侧面(502)侧装配有半导体装置(9)的双面基板(5)，感磁传感器(4)与半导体装置(9)通过双面基板(5)的通孔(50)电连接。感磁传感器(4)与半导体装置(9)配置在两者的至少一部分在双面基板(5)的厚度方向上重叠的位置，且通孔(50)形成于与感磁传感器(4)及半导体装置(9)这两者在双面基板(5)的厚度方向上重叠的位置。因此，从感磁传感器(4)向半导体装置(9)的传送路径较短，因此在来自感磁传感器(4)的输出的传送路径中产生的感应噪声较小。
【IPC分类】G01D5/245
【公开号】CN105051500
【申请号】CN201380074915
【发明人】奥村宏克, 海老根徹, 小田切秀行, 常田晴弘
【申请人】日本电产三协株式会社
【公开日】2015年11月11日
【申请日】2013年12月26日
【公告号】WO2014155888A1