的切割步骤，第四切割148优选是单切。在进行第四切割148之后，目标层121仍通过黏着层103结合至薄垫片160的底部139。此外，需注意的是，具有适当厚度的基底122仍被保留在目标层121上，以保护目标层121。以接口而言，黏着层103 —般来说可略大于目标层121。
[0094]在进行前述的工艺后，即可获得具有多层的初样品堆栈结构104。请参照图14所示，图14绘示本发明的初样品堆栈结构104，其包括基底、黏着层103以及目标层121。所述基底可以是基底122或基底132。目标层121具有微材料结构可利用TEM进行结构分析及材料定性。
[0095]目标层121被直接结合至黏着层103，其中黏着层103是设置在基底132的一端，使黏着层103夹设于基底132与目标层121之间。此外，在一实施例中，另具有目标层131，其是结合至基底132的另一端，所述二端视彼此相对。并且，在另一实施例中，另具有基底122，其覆盖目标层121，使目标层121被夹设在基底122和黏着层103之间。
[0096]初样品堆栈结构104可进一步利用环氧树脂而结合至基座，以作为TEM的样品，其中所述基座可以是如图15所示的半铜环109。
[0097]在本发明的一优选实施例中，初样品堆栈结构104可被进一步修饰，例如通过聚焦离子束系统以辅助TEM的观察。举例来说，请参照图16所示，部分的样品堆栈结构105可通过聚焦离子束系统去除，以形成第一沟渠170。第一沟渠170至少会占据目标层121以及选择性的基底122。第一沟渠170也可进一步占据黏着层103和基底132。第一沟渠170可具有一宽度Wl约为25微米至约60微米。样品堆栈结构105的顶表面的最小尺寸L可约为 500 埃(angstroms)至约 4000 埃。
[0098]在本发明的另一优选实施例中，如图16所示，金属垫180可形成在样品堆栈结构105的顶表面上，例如是在目标层121或选择性的基底122上。举例来说，金属垫180可包括铂(Pt)且经测量后其尺寸约为6微米*1微米*1微米。金属垫180是作为保护层，例如是铂层、碳(C)层或钨(W)层，以在进行离子蚀刻工艺时防止聚焦离子束损坏下方结构。金属垫180的形成可以是通过使用聚焦离子束系统来沉积尺寸范围为约5微米*1微米*1微米至约10微米*2微米*2微米的保护层。金属垫180的存在，可使第一沟渠170的底部尽可能地靠近金属垫180，但并不与金属垫180直接接触。
[0099]在本发明的另一实施例中，如图17所示，可形成连接第一沟渠170的第一介孔171。同样地，第一介孔171至少占据目标层121与选择性基底122，并且可进一步占据黏着层103以及基底132。但不同于第一沟渠170的是，第一介孔171的形成还移除部分的金属垫 180。
[0100]在本发明的另一实施例中，样品堆栈结构105可具有第二沟渠190。请参照图18所示，是移除部分的初样品堆栈结构104以形成第二沟渠190。相同于第一沟渠170的是，第二沟渠190至少占据目标层121以及选择性的基底122，或者可进一步占据黏着层103以及基底132。第二沟渠190的底部可尽可能地靠近金属垫180，但并不与金属垫180直接接触。第二沟渠190可具有宽度W2为约25微米至约60微米。值得说明的是，第二沟渠190和第一沟渠170是设置在样品堆栈结构105的两相对侧。
[0101]在本发明的又一实施例中，样品堆栈结构105可选择性地具有连接第二沟渠190的第二介孔191，如图19及图19A所示。与第二沟渠190相同的是，第二介孔191同样至少占据目标层121以及选择性的基底122，并且还可进一步占据黏着层103和基底132。如同第一介孔171的形成，第二介孔191的形成还移除部分的金属垫180。第一沟渠170、第一介孔171、第二沟渠190以及第二介孔191可以类似的方式形成。较佳地，第二沟渠190与第一沟渠170是彼此分开，且第一介孔171及第二介孔191同样是彼此分开。第一沟渠170、第二沟渠190以及第一介孔171、第二介孔191的目的在于形成厚度范围介于约15纳米(nm)至约0.4微米的薄片(foil)以用于TEM分析。一般来说，是通过以下顺序形成:第一沟渠170、第二沟渠190、第一介孔171及第二介孔191。
[0102]图20A、图20B及图20C分别绘示利用本发明的方法排除帘幕效应的初样品堆栈结构104或样品堆栈结构105的案例。
[0103]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种样品堆栈结构，其特征在于，包含: 基底； 黏着层；以及 目标层，直接夹设于所述基底及所述黏着层之间。2.根据权利要求1所述的样品堆栈结构，其特征在于，所述样品堆栈结构的最小尺寸不超过4000埃。3.根据权利要求1所述的样品堆栈结构，其特征在于，所述基底包含半导体材料。4.根据权利要求3所述的样品堆栈结构，其特征在于，所述目标层包含由所述半导体材料所组成的复合材料。5.根据权利要求1所述的样品堆栈结构，其特征在于，所述黏着层包含环氧树脂。6.根据权利要求1所述的样品堆栈结构，其特征在于，更包含: 垫片，与所述黏着层结合。7.根据权利要求1所述的样品堆栈结构，其特征在于，更包含: 金属垫，部分覆盖所述基底的表面。8.根据权利要求7所述的样品堆栈结构，其特征在于，更包含: 第一沟渠，贯穿所述基底、所述目标层及所述黏着层。9.根据权利要求8所述的样品堆栈结构，其特征在于，更包含: 第一介孔，连接所述第一沟渠且贯穿所述基底、所述目标层及所述黏着层。10.根据权利要求8所述的样品堆栈结构，其特征在于，更包含: 第二沟渠，贯穿所述基底、所述目标层及所述黏着层，其中所述第二沟渠与所述第一沟渠设置在所述样品堆栈结构的两相对侧。11.根据权利要求10所述的样品堆栈结构，其特征在于，更包含: 第二介孔，连接所述第二沟渠且贯穿所述基底、所述目标层及所述黏着层。12.—种制备样品堆栈结构的方法，其特征在于，包含: 提供芯片组，所述芯片组包含至少两芯片，且各芯片包含基底及目标层； 切割所述芯片组至少四次，以形成样品薄片及薄垫片，且各所述样品薄片及各所述薄垫片具有肩部及底部，其中所述肩部包含所述基底及所述目标层； 将所述样品薄片的目标层贴附至所述薄垫片的黏着层；以及 移除所述样品薄片的底部，使所述样品薄片的所述目标层及部分基底通过所述黏着层而结合至所述薄垫片，以形成所述样品堆栈结构。13.根据权利要求12所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，所述芯片组包含第一芯片及第二芯片，使所述第一芯片为所述样品薄片且所述第二芯片为所述薄垫片。14.根据权利要求12所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，所述黏着层包含环氧树脂。15.根据权利要求12所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，所述目标层包含由所述半导体材料所组成的复合材料。16.根据权利要求12所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，所述样品薄片的肩部是通过所述黏着层结合至所述薄垫片的底部。17.根据权利要求12所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，更包含: 在移除所述样品薄片的底部之后，在所述样品薄片的所述基底上形成金属垫。18.根据权利要求12所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，更包含: 形成第一沟渠，所述第一沟渠占据所述目标层。19.根据权利要求18所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，更包含: 形成第一介孔，连接所述第一沟渠且占据所述目标层。20.根据权利要求18所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，更包含: 形成第二沟渠，所述第二沟渠占据所述目标层，其中所述第二沟渠与所述第一沟渠设置在所述样品薄片的两相对侧。21.根据权利要求20所述的制备所述样品堆栈结构的方法，其特征在于，更包含: 形成第二介孔，连接所述第二沟渠且占据所述目标层。
【专利摘要】本发明公开了一种多层的样品堆栈结构及其制备方法。所述样品堆栈结构具有至少基底，黏着层以及目标层，所述目标层是直接夹设于所述基底与所述黏着层之间。
【IPC分类】G01N1/28
【公开号】CN105445068
【申请号】CN201510603417
【发明人】罗建兴, 李秀庭
【申请人】华亚科技股份有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年9月21日
【公告号】US9360401, US20160084742