孔径优选为
0.10?0.20mm，更优选为0.13?0.18mm。优选的，在打孔之后将该孔金属化，更优选的采用铜金属化，其用于连接所述工作电极下的第一导电层和第二导电层。
[0049]在本发明中，优选还包括设置于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端的保护层。所述保护层优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。
[0050]所述保护层以覆盖住工作电极层两端边缘和所述参比电极层两端边缘为宜，所述每端保护层的长度优选为50?ΙΟΟμπι，更优选为55?95μηι。所述保护层的厚度优选为10?50
μ??ο ο
[0051]在本发明中，优选还包括设置于所述第二导电层上表面的保护层，所述优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。所述保护层的厚度优选为10?50μπι。该保护层的长度以覆盖住基板整个上表面的长度为宜。
[0052]本发明提供上述保护层，可以保护反应区域的边缘，消除边缘效应，同时可以利用保护层在工作区形成的凹区方便沉积酶，减少酶的失去，提到了电极测定结果的准确性和稳定性。
[0053]本发明实施例提供的电极的植入端的具体结构如图1和图2所示，图1为本发明提供的电极的植入端的结构俯视图；图2为本发明提供的电极的植入端的结构剖视图；
[0054]其中，1为工作电极区域，2为参比电极区域，10为基板，11为第一导电层，16为第二导电层，12为工作电极层，13为参比电极层;14为保护层，15为过孔。
[0055]本发明提供的电极的植入端的另一技术方案参比电极层设置于所述第一导电层上，工作电极层设置于所述第二导电层上。
[0056]在本发明中，所述工作电极层为催化活化层，优选由铂、金、钯、碳、石墨或石墨烯制成。在本发明中，所述工作电极层的厚度优选为5?50μηι，更优选为22?48μηι，最优选为25?45μπι0
[0057]在本发明中，所述参比电极层优选为氯化银层。在本发明中，所述参比电极层优选为20?50μηι，更优选为22?48μηι，最优选为25?45μηι。
[0058]在本发明中，优选还包括设置于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端的保护层。所述保护层优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。
[0059]所述保护层以覆盖住工作电极层两端边缘和所述参比电极层两端边缘为宜，所述每端保护层的长度优选为50?ΙΟΟμπι，更优选为55?95μηι。所述保护层的厚度优选为10?50
μ??ο
[0060]本发明提供上述保护层，可以保护反应区域的边缘，消除边缘效应，同时可以利用保护层在工作区形成的凹区方便沉积酶，减少酶的失去，提到了电极测定结果的准确性和稳定性。
[0061]本发明实施例提供的电极的植入端的具体结构如图3所示，图3为本发明提供的电极的植入端的结构剖视图；
[0062]其中，10为基板，11为第一导电层，16为第二导电层，12为工作电极层，13为参比电极层;14为保护层。
[0063]本发明提供了一种电极的植入端的制备方法，包括:
[0064]将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧;所述第一导电层为金层或铜层，所述第二导电层为金层或铜层;所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成；
[0065]在所述第一导电层上沉积工作电极层和参比电极层;或在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；
[0066]将保护层沉积于所述工作电极层上和参比电极层上。
[0067]本发明首先将将第一导电层和第二导电层分别沉积于所述基板层两侧;所述基板层由聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚乙烯、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二酯制成;所述第一导电层为金层或铜层。所述第二导电层为金层或铜层。
[0068]此处基板层、第一导电层和第二导电层上面已经有清楚地描述，在此不再赘述。
[0069]在本发明中，对所述沉积方式不进行限定，本领域技术人员熟知的沉积方式即可。本发明对所述沉积的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。
[0070]在本发明中，所述第一导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层;所述第二导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层。所述镍层的厚度优选为1?3μηι，所述金层的厚度优选为5?20μηι。
[0071]本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。
[0072]在本发明中，在所述第一导电层上表面沉积工作电极层和参比电极层，所述工作电极层和参比电极层不相连。
[0073]上述已经对所述工作电极层和参比电极层进行了清楚的描述，在此不再赘述。
[0074]本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。
[0075]本发明在所述基板对应于工作电极层和参比电极层的分界处制作过孔，并金属化过孔。
[0076]本发明所述过孔的制作方式为常规的打孔处理，在此不进行限定。所述过孔的孔径优选为0.10?0.20mm，更优选为0.13?0.18mm。
[0077]在本发明中，还包括将保护层沉积于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端。
[0078]所述保护层以覆盖住工作电极层两端边缘和所述参比电极层两端边缘为宜，所述每端保护层的长度优选为50?ΙΟΟμπι，更优选为55?95μηι。所述保护层的厚度优选为10?50
μ??ο
[0079]在本发明中，优选还包括设置于所述第二导电层上表面的保护层，所述优选由聚酰亚胺、聚对二甲苯或聚四氟乙烯制成。所述保护层的厚度优选为10?50μπι。该保护层的长度以覆盖住基板整个上表面的长度为宜。
[0080]在本发明中，所述沉积保护层的方式优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。
[0081]本发明对所述沉积保护层的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。所述切割优选可以为激光切割或化学腐蚀。
[0082]在本发明的另一技术方案中，在所述第一导电层上沉积参比电极层，在所述第二导电层上沉积工作电极层；
[0083]上述已经对所述工作电极层、参比电极层、保护层等进行了清楚的描述，在此不再赘述。
[0084]在本发明中，所述第一导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层;所述第二导电层为铜层，还包括在所述铜层上沉积镍层，在所述镍层上沉积金层。所述镍层的厚度优选为1?3μηι，所述金层的厚度优选为5?20μηι。
[0085]本发明所述沉积优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。
[0086]在本发明中，还包括将保护层沉积于所述工作电极层上表面两端和参比电极层上表面两端。
[0087]在本发明中，所述沉积保护层的方式优选可以为通过溅射、电镀、化学镀沉积。本发明对上述具体的步骤和参数不进行限定，本领域技术人员熟知的工艺参数即可。
[0088]本发明对所述沉积保护层的具体方法不进行限定，直接沉积特定规格，还是整体沉积再进行切割到所需规格，本发明人不进行限定。所述切割优选可以为激光切割或化学腐蚀。
[0089]本发明提供了一种电极，包括:上述技术方案所述的植入端和触点连接区；所述触点连接区包括基板、设置于基板上的工作电极层触点和参比电极层触点；
[0090]所述植入端的工作电极层通过第二导电层与所述工作电极层触点连接;所述植入端的参比电极层通过第一导电层与所述参比电极层触点连接。
[0091]在本发明中，所述电极优选还包括固定所述电极的固定装置。
[0092]本发明所述触点作用是和发射器连接。
[00