l的第六引脚连接，正极输入端管脚与恒流控制芯片ICl的第五引脚连接。
[0021]恒流控制板上还设有四个分压电阻、一个电流采样电阻和三个滤波电容。其中，恒流控制芯片ICl的第八引脚和第四引脚经第三滤波电容C3滤波后，分别与恒流控制板的电源正极和电源负极连接，第三滤波电容C3可起到电源退耦的作用。恒流控制芯片ICl的第一引脚和第二引脚分别与第一分压电阻Rl连接，第一分压电阻Rl的另一端分别与第二分压电阻R2和恒流控制芯片ICl的第五引脚连接，第二分压电阻R2的另一端与恒流控制芯片ICl的第四引脚连接。第一滤波电容Cl的一端与恒流控制芯片ICl的第五引脚连接，另一端与恒流控制芯片ICl的第四引脚连接。电流采样电阻RS的一端与恒流控制板的回流端连接，同时还经第四分压电阻R4与恒流控制芯片ICl的第六引脚连接。第三分压电阻R3的一端与恒流控制芯片ICl的第七引脚连接，另一端分别与恒流控制板的驱动端和第二滤波电容C2连接。第一滤波电容Cl、电流采样电阻RS以及第二滤波电容C2的另一端还均与恒流控制板的电源负极连接。
[0022]在上述的恒流控制板中，恒流控制芯片ICl中的第一运算放大器APl构成电压跟随器，第二运算放大器AP2构成电压比较器。恒流控制板通过由第一分压电阻Rl和第二分压电阻R2预设的比较阀值，即电平值，从而精确控制功率MOSFET的耗散功率，控制回路中第二运算放大器AP2、功率MOSFET、采样电阻RS组成负反馈回路。
[0023]本发明实施例提供的一种功率MOSFET封装热阻比较装置，其具体工作方式为:接通交流输入电源后，开关电源给恒流控制板供电，恒流控制板上的恒流控制芯片ICl开始工作，恒流控制芯片ICl的内部电压基准IV产生2.5V的基准电压。该基准电压通过第一运算放大器API进行电压跟随，然后经恒流控制芯片ICl的第一引脚输出，再经第一分压电阻Rl和第二分压电阻R2分压、第一滤波电容Cl滤波后输入到恒流控制芯片ICl的第五引脚作为第二运算放大器AP2的输入比较阀值电平。第二运算放大器AP2的另一路输入信号是来自可调直流电源的输出正极经功率MOSFET的漏极D流到其源极S，然后再到恒流控制板的回流端，进一步经电流采样电阻RS电流采样后的电压。
[0024]当流过功率MOSFET的电流比较小的情况下，电流采样电阻RS上的电压未达到恒流控制芯片ICl的第五引脚的比较阀值电平，第二运算放大器AP2输出高电压至恒流控制芯片ICl的第七引脚，经第三分压电阻R3输出到恒流控制板的驱动端，再到功率MOSFET的栅极G。这时功率MOSFET会趋向于打开状态，则流过功率MOSFET的电流会增大，电流采样电阻RS上压降也会随着增大，当这个压降增大到大于恒流控制芯片ICl的第五引脚的比较阀值电平时，第二运算放大器AP2输出低电压至恒流控制芯片ICl的第七引脚，经第三分压电阻R3输出到恒流控制板的驱动端再到功率MOSFET的栅极G。这时功率MOSFET会趋向于关闭状态，则流过功率MOSFET的电流会减小，电流采样电阻RS上压降也会随着减小。
[0025]这样就形成了一个负反馈控制回路，最终将流过电流采样电阻RS的电流，也就是流过功率MOSFET的电流控制稳定在一个限定值上，这个电流值等于恒流控制芯片ICl的第五引脚的比较阀值电平除以电流采样电阻RS的电阻值。功率MOSFET的耗散功率稳定在这个电流与电压降的乘积上，经散热器向外扩散热量。经过一段时间达到热平衡，在这个过程中可以每隔一定时间记录功率MOSFET的表面温度和散热器上位于功率MOSFET下部位置处的温度。测量完成后，用同样的方法再测量另外一个要比较的功率M0SFET，并记录温度。两个功率MOSFET在测量完成后，对比记录的温度。由于本装置可以精确地控制不同功率MOSFET的耗散功率达到一致，所以表面温度较高的功率MOSFET的封装热阻大，相应的导热能力也差。此外，根据温度差异的多少，本领域技术人员可以准确地比较出两个功率MOSFET的封装热阻的差异大小。
[0026]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种功率MOSFET封装热阻比较装置，其特征在于，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中所述功率MOSFET压接在所述散热器上；所述可调直流电源的输出正极与所述功率MOSFET的漏极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接;所述开关电源的输出正级与所述恒流控制板的电源正极连接，输出负极与所述恒流控制板的电源负极连接;所述恒流控制板的驱动端和回流端分别与所述功率MOSFET的栅极和源极连接，所述双路点温计的两路探头分别测量所述功率MOSFET的表面温度以及所述散热器上位于所述功率MOSFET下部位置处的温度。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述恒流控制板上设有恒流控制芯片，所述恒流控制芯片具有八个引脚，所述恒流控制芯片上还设有第一运算放大器、第二运算放大器和电压基准。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一运算放大器的输出端管脚与所述恒流控制芯片的第一引脚连接，负极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第二引脚连接，正极输入端管脚分别与所述恒流控制芯片的第三引脚和所述电压基准连接，所述电压基准的另一端与所述恒流控制芯片的第四引脚连接;所述第二运算放大器的输出端管脚与所述恒流控制芯片的第七引脚连接，负极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第六引脚连接，正极输入端管脚与所述恒流控制芯片的第五引脚连接。4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述恒流控制板上还设有四个分压电阻、一个电流采样电阻和三个滤波电容;所述恒流控制芯片的第八引脚和第四引脚经第三滤波电容滤波后分别与所述恒流控制板的电源正极和电源负极连接;所述恒流控制芯片的第一引脚和第二引脚分别与第一分压电阻连接，所述第一分压电阻的另一端分别与第二分压电阻和所述恒流控制芯片的第五引脚连接，所述第二分压电阻的另一端与所述恒流控制芯片的第四引脚连接;所述第一滤波电容的一端与所述恒流控制芯片的第五引脚连接，另一端与所述恒流控制芯片的第四引脚连接；电流采样电阻的一端与所述恒流控制板的回流端连接，同时还经第四分压电阻与所述恒流控制芯片的第六引脚连接;第三分压电阻的一端与所述恒流控制芯片的第七引脚连接，另一端分别与所述恒流控制板的驱动端和第二滤波电容连接;所述第一滤波电容、所述电流采样电阻以及所述第二滤波电容的另一端还均与所述恒流控制板的电源负极连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，还包括交流输入电源，所述交流输入电源分别与所述可调直流电源和所述开关电源连接。6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，所述开关电源的输出电压为15V。
【专利摘要】本发明提供一种功率MOSFET封装热阻比较装置，包括可调直流电源、开关电源、恒流控制板、双路点温计、功率MOSFET和散热器，其中功率MOSFET压接在散热器上；恒流控制板精确控制不同的功率MOSFET工作在放大区并保证相同的功率耗散，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度。本发明通过恒流控制板的控制作用，使流过功率MOSFET的电流得到精确控制，极大减小了由于不同功率MOSFET存在的开启电压差异而导致的电流差异。同时，在相同的功率耗散条件下，通过双路点温计测量功率MOSFET表面和位于其下部的散热器上的温度，可以较快捷并准确地比较出不同功率MOSFET封装热阻的大小。
【IPC分类】G01R31/26
【公开号】CN105572559
【申请号】CN201610132622
【发明人】刘义芳
【申请人】西安后羿半导体科技有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年3月9日