%，并可以大大降低返修率。
【附图说明】
[0024]图1是本发明连接结构示意图。
[0025]图2是本发明的电子调压器的电路图。
[0026]图3是实施例输入的过零触发波形图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细说明。
[0028]本发明的电力仪表检测装置，包括变压器调压电路和电子调压器电路:
电子调压器电路，将输入的AC220V电压转化为可控制的AC30-220V可调电压，输出连接变压器调压电路和被测仪表的电压信号输入端；
变压器调压电路，将电子调压器输出的AC30-220V可调电压转化为0.6-8A的低压电流信号，输出端口中3路接入待测试仪表电流信号端口，I路接入待测试仪表电压端口。
[0029]如图1所示，本发明的电子调压器电路包含电源输入模块、CPU信号控制模块、光耦信号隔离模块和可控硅过零触发模块，可控硅过零触发模块包括过零触发电路和可控硅执行模块:
电源输入模块，接收AC220V信号，并防止电路短路等异常；
CPU信号控制模块，发出门限控制信号和触发脉冲信号调整可控硅过零触发模块的输出； 光耦信号隔离模块，隔离CPU控制信号模块与可控硅过零触发模块，防止可控硅电路异常后对CPU电路造成损坏；
可控硅过零触发模块中，过零触发电路接收CPU信号控制模块的触发脉冲信号对可控硅进行触发，可控硅执行模块接收CPU信号控制模块的门限控制信号将AC220V电压转化为AC30-220V的可调电压。
[0030]电源输入模块与CPU信号控制模块连接，CPU信号控制模块经光耦信号隔离模块与可控硅执行模块连接，CPU信号控制模块经过零触发模块连接市电AC220V，电源输入模块连接市电AC220V。
[0031]可控硅执行模块包含有四路可控硅执行单元，光耦信号隔离模块包含有四个光电晶闸管开关耦合器，CPU信号控制模块包括单片机，单片机的四个输出端口分别经各自的光电晶闸管开关耦合器连接到四路可控硅执行单元；四路可控硅执行单元其中一路连接被测仪表，其余三路连接变压器调压电路。
[0032]可控硅执行模块连接有按键模块，按键模块包括有按键接口 CONlO和各个按键，单片机的四个输出端口经按键接口 C0N10与各个按键连接。
[0033]可控硅执行模块的每路可控硅执行单元均包括包括三个电阻、两个电容和一个双向晶闸管，其中第一电阻和第一电容串联后并联在双向晶闸管的两端，双向晶闸管的两端分别经第二电阻和第二电容连接到光耦信号隔离模块的光电晶闸管开关耦合器的两个输出端，双向晶闸管的触发端连接光电晶闸管开关耦合器的其中一个输出端，双向晶闸管的触发端连接有第三电阻，双向晶闸管的两端连接被测仪表或者变压器调压电路；光电晶闸管开关親合器的两个输入端分别连接VCC电源电压和单片机；第一电容与第二电阻一起连接到双向晶闸管的其中一端，第二电容与第一电阻一起连接到双向晶闸管的其中一端。
[0034]过零触发电路包括两个电阻、一个电容、一个二极管和一个光电耦合器，电容和二极管均并联到光电耦合器的两个输入端，电容其中一端串联两个电阻后与电容的另一端连接输入AC220V市电。
[0035]电源输入模块包括瞬态抑制二极管、两个电容和一个电感，一个电感分别与瞬态抑制二极管、两个电容和VCC电源电压的一端连接，瞬态抑制二极管和两个电容的另一端接地。
[0036]如图2所示，四路可控硅执行单元分别为第一可控硅执行单元、第二可控硅执行单元、第三可控硅执行单元和第四可控硅执行单元，所对应的四个光电晶闸管开关耦合器分别为光电晶闸管开关親合器U2、光电晶闸管开关親合器U3、光电晶闸管开关親合器U4和光电晶闸管开关親合器U5。
[0037]如图2所示，第一可控硅执行单元:包括电阻R4、电阻R8、电阻R16、电容C2、电容C7和双向晶闸管Q1，双向晶闸管Ql的两端之间串联有电阻R4和电容C7，双向晶闸管Ql的两端分别经电阻R8和电容C2连接到光电晶闸管开关耦合器U2的两个输出端，电容C2与电阻R16并联，双向晶闸管Ql的触发端与电容C2连接光电晶闸管开关耦合器U2的一端连接，电阻R4与电容C2 —起连接到双向晶闸管Ql的一端，电阻R8与电容C7 —起连接到双向晶闸管Ql的另一端；光电晶闸管开关耦合器U2的一个输出端经电阻RlO接VCC电源电压，另一个输出端连接到单片机U13的13脚。
[0038]如图2所示，第二可控硅执行单元:包括电阻R5、电阻R9、电阻R17、电容C3、电容CS和双向晶闸管Q2，双向晶闸管Q2的两端之间串联有电阻R5和电容CS，双向晶闸管Q2的两端分别经电阻R9和电容C3连接到光电晶闸管开关耦合器U3的两个输出端，电容C3与电阻R17并联，双向晶闸管Q2的触发端与电容C3连接光电晶闸管开关耦合器U3的一端连接，电阻R5与电容C3 —起连接到双向晶闸管Q2的一端，电阻R9与电容C8 —起连接到双向晶闸管Q2的另一端；光电晶闸管开关耦合器U3的一个输出端经电阻Rll接VCC电源电压，另一个输出端连接到单片机U13的12脚。
[0039]如图2所示，第三可控硅执行单元:包括电阻R6、电阻R12、电阻R18、电容C4、电容C9和双向晶闸管Q3，双向晶闸管Q3的两端之间串联有电阻R6和电容C9，双向晶闸管Q3的两端分别经电阻R12和电容C4连接到光电晶闸管开关耦合器U4的两个输出端，电容C4与电阻R18并联，双向晶闸管Q3的触发端与电容C4连接光电晶闸管开关耦合器U4的一端连接，电阻R6与电容C4 一起连接到双向晶闸管Q3的一端，电阻R12与电容C9 一起连接到双向晶闸管Q3的另一端；光电晶闸管开关耦合器U4的一个输出端经电阻R14接VCC电源电压，另一个输出端连接到单片机U13的11脚。
[0040]如图2所示，第四可控硅执行单元:包括电阻R7、电阻R13、电阻R19、电容C5、电容ClO和双向晶闸管Q4，双向晶闸管Q4的两端之间串联有电阻R7和电容C10，双向晶闸管Q4的两端分别经电阻R13和电容C5连接到光电晶闸管开关耦合器U5的两个输出端，电容C5与电阻R19并联，双向晶闸管Q4的触发端与电容C5连接光电晶闸管开关親合器U5的一端连接，电阻R7与电容C5 —起连接到双向晶闸管Q4的一端，电阻R13与电容ClO —起连接到双向晶闸管Q4的另一端；光电晶闸管开关親合器U5的一个输出端经电阻R15接VCC电源电压，另一个输出端连接到单片机U13的10脚；
电容ClO经保险丝F2连接到可控硅输出接口 CONl的10脚，双向晶闸管Ql的两端分别连接到可控硅输出接口 CONl的2脚和4脚，双向晶闸管Q2的两端分别连接到可控硅输出接口 CONl的2脚和6脚，双向晶闸管Q3的两端分别连接到可控硅输出接口 CONl的2脚和8脚，双向晶闸管Q4的两端分别连接到可控硅输出接口 CONl的2脚和10脚。
[0041]如图2所示，可控硅输出接口 CONl的I脚和3脚之间连接有保险丝F1，可控硅输出接口 CONl的3、5、7、9脚串联，可控硅输出接口 CONl的I脚和2脚连接AC220V市电，可控硅输出接口 CONl的3脚~10脚以依次相邻的两个为一对分为四对引脚，其中任意一对引脚连接被测仪表，其余三对引脚连接