专利名称：柔性电子器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及柔性电子器件及其制造方法。具体地，本发明涉及柔性硅电子器件及柔性液晶显示器件的制造方法。
背景技术：
近些年来，对提供有内置存储电路和微处理器电路的IC卡的需求增长，是由于与磁卡相比它们具有较大的存储容量。通常这些IC卡经常携带在钱夹和类似物中，因此这些卡会经常受到由于携带者运动产生的弯曲力。然而，常规的IC卡，即由硅晶片形成的半导体芯片自身不是柔性的，而且较脆，因此当外力施加其上时，这些芯片将会损坏的可能性很大。为了防止这些IC芯片损伤，例如日本专利特许公开No.9-312349(图1到4，第4到10页)公开了一种方法，其中形成在硅芯片上的半导体IC芯片转移到柔性树脂薄片。此外，日本专利特许公开No.2002-111222(图1至3，第3和4页)和日本专利特许公开No.2002-111226(图1，第4页)公开了一种其中叠置有不同功能的IC芯片的多层组合物板及使用这些多层组合物板的组件。
如上所述，通过将使用硅晶片形成的集成电路(下文称做IC)转移到树脂基板上，开发的多种技术大大地促进了柔性硅器件及封装中高功能系统的现实化。
此外，近些年来，由于薄膜晶体管液晶显示器件重量轻并且不易破裂，现已开发了使用树脂基板的柔性液晶器件。对于使以上提到的器件现实化的方法，现已开发了一种技术，其中已形成在玻璃基板上的薄膜晶体管阵列转移到树脂基板上。例如，借助基于HF的溶液从玻璃基板的背面对其上形成有薄膜晶体管阵列的玻璃基板进行湿蚀刻以完全除去玻璃基板，此后树脂基板粘附到蚀刻的表面以形成柔性薄膜晶体管板(Akihiko Asano和Tomoatsu Kinoshita，Low-TemperaturePolycrystalline-silicon TFT Color LCD Panel Made of Plastic Substrates，Society for Information Display 2002 International Symposium Digest ofTechnical Papers，United States，May 2002，1196到1199页)。下面介绍在图1A到1D的基础上介绍该常规工艺。保护薄板24粘附到玻璃基板23的表面上，在玻璃基板23上形成有蚀刻终止层21和薄膜晶体管阵列22(图1A)。接着，基于HF的溶液以蚀刻终止于蚀刻终止层21的方式从玻璃基板的背面完全除去玻璃基板(图1B)。树脂基板25粘附到蚀刻表面(图1C)。最后，剥离保护薄板以完成转移(图1D)。此外，日本专利特许公开No.11-212116公开了一种方法，其中代替湿蚀刻，使用化学抛光法完全除去玻璃基板，此后薄膜晶体管阵列转移到树脂基板上。
此外，日本专利No.2722798公开了一种制造方法，其中形成有一对玻璃基板的液晶显示元件浸在蚀刻溶液中使玻璃基板变薄。
在以上介绍的常规技术中，在日本专利特许公开No.9-312349中，从硅晶片上剥离半导体IC芯片的步骤和转移到柔性树脂薄片的步骤的成品率很低，由此增加了制造成本。此外，IC芯片的厚度为几十μm数量级并且不透明，由此它的可应用区域很有限，并且由于高压元件和低压元件的混合加载变得困难，有源元件(例如，晶体管)的元件隔离很复杂。在日本专利特许公开No.2002-111222和日本专利特许公开No.2002-111226中公开的多层组合物板具有安装在树脂基板上由硅晶片形成的半导体IC芯片，由此升高了制造成本。此外，显然这些半导体IC芯片受到自加热引起的特性变差。
此外，在通过蚀刻或抛光其上形成有薄膜晶体管阵列的玻璃基板从它的背面完全除去玻璃部分之后转移到树脂基板上的技术中，为了形成柔性液晶显示器件，图1D中示出的剥离保护薄片的步骤需要相当长的时间周期，以便将薄膜晶体管阵列成功地转移到树脂基板上，因此相关的生产量显著降低。此外，要增加形成蚀刻终止层作为一层膜的步骤，增加了成本。日本专利No.2722798的目的是仅减小玻璃基板的厚度，但不包含减小厚度之后制造柔性器件的概念。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件，例如柔性IC器件、柔性显示器件等，并提供一种低成本和高再现性地制造这些器件的方法。
本发明的柔性电子器件为一种在柔性膜上设置与膜材料不同的基板的柔性电子器件，薄膜器件形成在基板上，其中基板的厚度大于0μm并且不大于200μm。对于本发明的柔性电子器件的柔性膜，可以使用如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的绝缘柔性膜、如铜膜和金膜等具有的导热率大于玻璃的导热率的高导热率膜、以及如偏振膜和相差膜的光功能膜。对于柔性膜，可以使用具有由绝缘柔性膜和高导热率膜组成的叠置结构的膜。使用高导热率膜，例如具有的导热率比玻璃大的铜膜和金膜作为本发明的柔性电子器件的柔性膜能够抑制由自加热引起的薄膜器件的特性变化。
以外，本发明的柔性电子器件的制造方法可以制造如下柔性电子器件对其上形成有如薄膜晶体管等的电子器件的基板进行背面(与用于形成电子器件的表面相对的基板表面)蚀刻，直到基板的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm，此后，柔性膜粘附到蚀刻的表面以制备柔性电子器件。本发明的柔性电子器件的制造方法可以将基板的剩余厚度高再现性地调节到大于0μm并且不大于200μm范围内的需要值。
本发明的柔性电子器件的制造方法提供了以下优点(1)可以容易地剥离粘附到器件表面的保护膜，由此与常规的技术相比生产量没有下降。
(2)不需要将蚀刻终止层形成为一层膜，然而常规技术中需要终止层。
(3)在柔性器件中没有发生由构成电子器件的薄膜中的内部应力造成的大的翘曲。
(4)将基板的蚀刻剩余厚度调节到大于0μm并且不大于200μm允许柔性地弯曲基板。
(5)对于基板，可以使用绝缘基板或导电基板。特别是，使用玻璃基板使得如柔性IC器件和柔性显示器件的柔性电子器件现实化，柔性电子器件包括由非晶硅薄膜和基于激光晶化的非晶或单晶硅薄膜形成的薄膜晶体管。
通过下面参考结合附图对本发明的详细说明，本发明以上提到的和其它的目的、特点及优点将变得更显而易见，其中图1A-1D示出了常规制造方法的一个例子的示意性剖面图；图2A-2D示出了在本发明的第一实施例中涉及的制造方法的示意性剖面图；图3A-3B示出了在本发明的第二实施例中涉及的制造方法的示意性剖面图；图4示出了由本发明的制造方法制造的柔性基板薄膜晶体管的电气特性图；图5A-5E示出了在本发明的第三实施例中涉及的制造方法的示意性剖面图；图6A-6C示出了在本发明的第四实施例中涉及的制造方法的示意性剖面图；图7A-7E示出了在本发明的第三和第四实施例中各例的示意性剖面图；图8A-8E示出了在本发明的第五实施例中涉及的制造方法的示意性剖面图；
图9A-9C示出了在本发明的第六实施例中涉及的制造方法的示意性剖面图；以及图10A-10C示出了在本发明的第七实施例中涉及的制造方法的示意性剖面图。
具体实施例方式
现在参考附图介绍本发明。
图2A-2D示出了在本发明的第一实施例中涉及的柔性电子器件的制造方法的示意性剖面图。如图2A所示，保护膜3粘附到其上形成有薄膜器件1的玻璃基板2的器件形成表面(正面)上。接下来，如图2B所示，将基板2浸泡在蚀刻溶液4中从背面蚀刻基板。在预定的蚀刻速率的基础上，当达到基板需要的剩余厚度时，蚀刻中止。由此，得到的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm。就此而言，应该注意如果基板2的剩余厚度为零，那么薄膜器件的特性变差，并且如果剩余厚度大于200μm，那么不能获得足够的柔韧性。此外，如图2C所示，柔性膜5粘附到基板2的蚀刻表面。最后，如图2D所示，剥离粘附到正面的保护膜3以完成转移。
下面介绍第一实施例的一个例子。对于图2A中所示的薄膜器件1，薄膜晶体管形成在玻璃基板2上。通过使用激光退火法或固相生长法形成的硅薄膜作为有源层以及通过汽相生长法等形成的硅氧化膜作为绝缘膜，形成p沟道和n沟道场效应薄膜晶体管。玻璃基板2由含有痕量的氧化硼和痕量的氧化铝的非碱性硼硅玻璃制成。基板2的厚度为0.7mm。借助粘接剂(图中未示出)，聚乙烯膜作为保护膜3粘附到玻璃基板2的薄膜晶体管的形成表面上。为便于随后剥离，保护膜3的厚度制成200μm或更小。用做保护膜3的材料不限于聚乙烯，可以是耐氢氟酸性优异的任何材料，例如聚丙烯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)等。通过将玻璃基板2浸泡在氢氟酸和盐酸的混合溶液中，从背面蚀刻基板2。添加盐酸可以有效地蚀刻含在玻璃基板2中的氧化硼和氧化铝。根据以上介绍的混合溶液预先确定的玻璃基板2的蚀刻速率为5μm/min，因此蚀刻130分钟将基板的厚度从0.7mm降低到50μm。虽然升高混合溶液的温度进一步加速了玻璃基板2的蚀刻速率，但太快的蚀刻速率会导致调节基板的剩余厚度时较差的再现性，由此混合溶液的温度设置为70℃或更低。此后，150μm厚的PET膜粘附到玻璃基板2的蚀刻表面上作为柔性膜5。考虑到柔韧性，PET膜的厚度优选为10μm到2mm的数量级。最后，剥离保护膜3以完成柔性薄膜晶体管器件。机械地进行保护膜的剥离，剥离步骤的时间周期为几分钟。由于对于完全除去玻璃基板用于随后转移(图1D)的常规工艺保护膜剥离步骤需要几小时，因此本发明的转移工艺显著减少了处理时间。此外，如果使用根据环境呈现固相或液相的材料作为保护膜3的粘接剂，那么可以在更短的时间内容易地进行剥离。例如，如果使用在80℃或以下为固体并且在80℃或以上为液体的粘接剂，当保护膜剥离步骤中的环境温度为100℃时，粘接剂变成液体，由此可以在短时间内很容易地剥离保护膜。此外，保护膜不需要为一层膜，也可以是借助于溶剂涂覆并随后烘焙硬化形成膜的材料。
现在，介绍本发明的第二实施例。
图3A和3B示出了第二实施例。图3A示出了代替图2C中的柔性膜5，使用导热率高于0.01W/cm·deg的高导热膜6的情况，而图3B示出了代替图2C中的柔性膜5，使用绝缘柔性膜7和高导热膜6制成的叠置膜的情况。绝缘柔性膜7和高导热膜6的垂直叠置顺序可以颠倒。就此而言，0.01W/cm·deg的值是指玻璃的导热率，使用导热率高于该值的膜提高了柔性薄膜晶体管器件的散热特性。例如，使用铜膜(导热率＝4.0W/cm·deg)和金膜(导热率＝2.3W/cm·deg)作为高导热膜6。使用这种器件的例子包括用于液晶显示器和打印机的驱动电路和存储电路。特别是，对于超长电路，这种电路不能由常规的硅晶片形成，因此本发明很有效。
图4示出了借助以上例子中介绍的转移方法转移形成在柔性基板上的薄膜晶体管(p沟道和n沟道)之前和之后测量的栅极电压-漏电流特性。测量时，漏电压的绝对值为5V。从图中可以看出，转移之前和之后的特性差异很小；由此，使用本发明的转移工艺成功地形成了柔性基板薄膜晶体管，其特性等效于在玻璃基板上形成的薄膜晶体管的特性。
现在介绍本发明的第三实施例。
图5A-5E示出了第三实施例中涉及的柔性显示器件的制造方法。如图5A所示，首先，保护膜11粘附到显示器件的玻璃板9上，显示器件具有显示元件8夹在一对玻璃基板9和玻璃基板10之间的结构。接着，如图5B所示，如此处理的显示器件浸泡在氢氟酸基蚀刻溶液12中以蚀刻玻璃基板10。在对玻璃基板10预定的蚀刻速率的基础上，当玻璃基板10的剩余厚度达到需要值时，蚀刻终止。将玻璃基板10的剩余厚度调节到大于0μm并且不大于200μm。然后，如图5C所示，柔性膜13粘附到玻璃基板10的蚀刻表面上，从玻璃基板9上剥离保护膜11。之后，如图5D所示，如此处理的显示器件再次浸泡在氢氟酸基蚀刻溶液12中以蚀刻玻璃基板9。在对玻璃基板9预定的蚀刻速率的基础上，当玻璃基板9的剩余厚度达到需要值时，蚀刻终止。将玻璃基板9的剩余厚度调节到大于0μm并且不大于200μm。最后，如图5E所示，柔性膜14粘附到玻璃基板9的蚀刻表面上以完成柔性显示器件。
下面介绍第三实施例的一个例子。将液晶显示器件制备为图5A所示的显示器件。用于驱动像素等的薄膜晶体管阵列形成在玻璃基板9上，使用透明导电膜，计数电极形成在玻璃基板10上。玻璃基板9和10的厚度都是0.7mm。将液晶注入到粘接在一起的这些玻璃基板之间的间隙内。然后聚乙烯膜粘附到玻璃基板9上作为保护膜11。用做保护膜11的材料的例子不限于聚乙烯，但可以包括耐氢氟酸性优异的任何材料，例如聚丙烯、聚碳酸酯、PET、PES等。液晶显示器件浸泡在氢氟酸和盐酸的混合溶液中以蚀刻玻璃基板10。根据混合溶液预定的玻璃基板10的蚀刻速率为5μm/min，因此130分钟的蚀刻将玻璃基板10的厚度从0.7mm减小到50μm。然后，将具有偏振功能的膜作为柔性膜13粘附到玻璃基板10的蚀刻表面上，剥离作为保护膜的聚乙烯膜。如此处理的液晶显示器件再次浸泡在氢氟酸和盐酸的混合溶液中以蚀刻玻璃基板9。根据混合溶液预定的玻璃基板9的蚀刻速率为5μm/min，因此130分钟的蚀刻将玻璃基板9的基板厚度从0.7mm减小到50μm。最后，将具有偏振功能的膜作为柔性膜粘附到玻璃基板9的蚀刻表面上以完成柔性液晶器件。在以上介绍的例子中，介绍了使用具有偏振功能的膜作为柔性膜的例子，备选地，如PET基板的透明树脂基板可以粘附到基板的蚀刻表面上以完成图5E所示的柔性液晶器件，然后偏振膜粘附到各表面上。虽然在以上的例子中介绍了透射型液晶显示器件，备选地可以下面的方式获得反射型柔性液晶显示器件要粘附到玻璃基板9的膜限制为如PET基板的透明树脂基板，要粘附到玻璃基板10上的膜制成具有相差功能和偏振功能的膜。
现在介绍本发明的第四实施例。
图6A到6C示出了第四实施例中涉及的柔性显示器件的制造方法。虽然图5示出了对玻璃基板对分别进行蚀刻的情况，但也可以如图6A所示同时蚀刻两个基板。将图6A所示由玻璃基板9和10的两个薄片构成的显示器件浸泡在氢氟酸基溶液中以同时蚀刻玻璃基板的两个薄片。在该蚀刻中，优选每个玻璃基板的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm。接着，如图6B所示，柔性膜14粘附到玻璃基板9的蚀刻表面上。此外，如图6C所示，柔性膜13粘附到玻璃基板10的蚀刻表面。如以上例子所示，同样在本例中，可以使用都具有光学功能的偏振膜和相差膜作为柔性膜13，14。
使用液晶器件进行实际显示时，需要从外部输入驱动像素的信号。为了该目的，显示器件需要安装有驱动像素和柔性电路板等的驱动器。如图5和6所示，制备了柔性显示器件之后可以安装这些部件。备选地，可以在处理玻璃基板之前，在玻璃基板上预先安装这些部件，然后进行图5和6所示的处理。
图7A-7D示出了安装之后进行处理的一个例子。如图7A所示，用于驱动像素15和柔性电路板16的驱动器安装在器件中暴露到玻璃基板9的玻璃基板10的表面上，在器件中具有显示元件8夹在一对玻璃基板9和10之间的结构。此后，如图7B所示，粘结保护膜11，仅露出玻璃基板10表面上要被蚀刻的那部分并进行蚀刻，之后剥离保护膜11。然后，如图7C所示，柔性膜13粘附到玻璃基板10的蚀刻表面。此外，如图7D所示，保护膜11再次粘附到除玻璃基板9要被蚀刻的部分之外的部分上，然后对玻璃基板9进行蚀刻。最后，如图7E所示，柔性膜14粘附到玻璃基板9的蚀刻表面上，完成了器件。这里，对于柔性膜，可以使用具有光学功能膜的偏振膜和相差膜。同样在图6所示的例子中，可以同时蚀刻玻璃基板9和10。在以上介绍的方法中，与图5和6所示的例子相反，蚀刻处理之后不需要进行安装，因此可以防止安装时发生如玻璃基板破裂等损伤。
下面介绍本发明的第五实施例。
图8A-8E示出了第五实施例中涉及的柔性电子器件的制造方法。虽然图5示出了柔性显示器件的例子，但第五实施例是通过将玻璃基板上形成的薄膜器件粘结在一起形成一个系统制造集成器件的方法。首先，如图8A所示，其上形成有薄膜器件17的玻璃基板9和其上形成有薄膜器件18的玻璃基板10粘结在一起形成一个器件，保护膜11粘结到器件的玻璃基板9上。接着，如图8B所示，器件浸泡在氢氟酸基溶液中以蚀刻玻璃基板10。在预定的玻璃基板10的蚀刻速率的基础上，当达到需要的剩余厚度时蚀刻终止，得到的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm。此外，如图8C所示，柔性膜13粘附到玻璃基板10的蚀刻表面上，然后剥离保护膜11。之后，如图8D所示，器件再次浸泡在氢氟酸基蚀刻溶液12中以蚀刻玻璃基板9。在预定的玻璃基板9的蚀刻速率的基础上，当达到需要的剩余厚度时蚀刻终止，得到的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm。最后，如图8E所示，柔性膜14粘附到玻璃基板9的蚀刻表面上以完成柔性叠置的集成器件。同样在该柔性的集成器件中，如图3所示，对于柔性膜，可以使用高导热率膜或由绝缘膜和高导热率膜组成的叠置结构膜。
作为第五实施例的例子，可以引入用于液晶显示器和打印机的驱动电路作为薄膜器件17以及存储电路等作为薄膜器件18。对于在这些电路中使用的驱动电路，需要形成超长驱动电路，但不能由常规的硅晶片形成；由此，形成在玻璃基板上的多晶硅薄膜晶体管和类似物可以用于该目的。在这种情况下，存储电路的叠置可以缩小整个电路区域的尺寸。更具体地，通过使用第五实施例介绍的这种制造方法在玻璃基板上形成叠置电路并随后蚀刻玻璃基板和粘结柔性膜可以实现大面积和超长柔性集成电路，而这是具有小面积电路的硅晶片不能实现的。
现在介绍本发明的第六实施例。
图9A到9C示出了第六实施例中涉及的柔性电子器件的制造方法。本实施例可以提供以相当高精度蚀刻玻璃基板直到达到需要的剩余厚度的方式制备柔性电子器件的制造方法。首先，在开始蚀刻之前，如图9A所示，重量测量装置19测量器件板100的重量，其中薄膜器件1形成在玻璃基板2上，而且保护膜3形成在薄膜器件1的表面上。此后，如图9B所示，器件板100浸泡在蚀刻溶液4中，并进行适当时间周期的蚀刻。适当时间周期的蚀刻之后，如图9C所示，从蚀刻溶液4中取出板，再次测量板的重量。采用图9A到9C的步骤顺序并监控蚀刻速率可以在满意的控制下制备出板，玻璃基板的需要厚度大于0μm并且不大于200μm。当玻璃基板的材料和初始厚度相互不同时，本制造方法特别有效。此外，在图9A所示的操作中，当首先器件板100浸泡在蚀刻溶液4中几秒钟然后取出，并且在蚀刻溶液粘附在其表面上的条件下测量器件板100的初始重量时，可以更精确地控制玻璃基板的厚度。
现在介绍本发明的第七实施例。
图10A到10C示出了在第七实施例中涉及的柔性电子器件的制造方法，具体地，在制造方法中可以高精度地将玻璃基板蚀刻到需要的剩余厚度。首先，如图10A所示，开始蚀刻之前，长度测量装置20测量器件板100的初始厚度，在器件板100中薄膜器件1形成在玻璃基板2上而且保护膜3形成在薄膜器件1的表面上。此后，如图10B所示，器件板100浸泡在蚀刻溶液4中，并进行适当时间周期的蚀刻。适当时间周期的蚀刻之后，如图10C所示，从蚀刻溶液4中取出板，再次测量板的厚度。采用图10A到10C的步骤顺序并监控蚀刻速率可以在满意的控制下制备出板，玻璃基板的需要厚度大于0μm并且不大于200μm。当玻璃基板的材料和初始厚度相互不同时，本制造方法特别有效。此外，在图10A所示的操作中，当首先器件板100浸泡在蚀刻溶液中几秒钟然后取出，并且在蚀刻溶液粘附在其表面上的条件下测量器件板的初始厚度时，可以更精确地控制玻璃基板的厚度。
如上所述，根据本发明，使用转移法在满意的控制下低成本地由形成有一个或一对基板的器件板制备柔性电子器件。此外，通过将形成在玻璃基板上的薄膜晶体管阵列等转移到如铜膜等的高导热率膜上，可以实现柔性并且散热特性优良的柔性电子器件。以上介绍的柔性电子器件板可以制得比基于常规的玻璃基板的器件薄，能够实现系统位于封装中的器件，在该器件中叠置柔性电子器件形成系统化的多层封装的结构，以现实高性能。
权利要求
1.一种柔性电子器件，包括柔性膜；形成在柔性膜上的基板，基板与所述柔性膜的材料不同，并且所述基板的厚度大于0μm并且不大于200μm；以及形成在基板上的薄膜器件。
2.根据权利要求1的柔性电子器件，其中通过叠置至少两个或更多部件来形成所述柔性电子器件。
3.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述薄膜器件为由硅薄膜形成的薄膜晶体管。
4.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述基板为绝缘基板。
5.根据权利要求4的柔性电子器件，其中所述基板为玻璃基板。
6.根据权利要求4的柔性电子器件，其中所述柔性膜为绝缘膜。
7.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述柔性膜具有高于0.01W/cm·deg的导热率。
8.根据权利要求1的柔性电子器件，其中所述柔性膜为至少包括导热率高于0.01W/cm·deg的膜和绝缘膜的叠层结构。
9.一种柔性电子器件的制造方法，包括以下步骤在基板上形成薄膜器件；将保护膜粘附到所述薄膜器件；从背面蚀刻所述基板以使所述基板的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm；将柔性膜粘结到所述基板的蚀刻表面；以及粘结所述柔性膜的所述步骤之后，从所述薄膜器件上剥离所述保护膜。
10.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述薄膜器件为硅薄膜形成的薄膜晶体管。
11.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述基板为绝缘基板。
12.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述基板为玻璃基板。
13.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜为绝缘膜。
14.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜具有高于0.01W/cm·deg的导热率。
15.根据权利要求9的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜为至少包括导热率高于0.01W/cm·deg的膜和绝缘膜的叠层结构。
16.一种柔性电子器件的制造方法，包括以下步骤叠置第一玻璃基板和第二玻璃基板，每个具有形成在它的一个表面上的薄膜器件，从而将所述薄膜器件形成的表面相互粘结；在除所述薄膜器件形成的表面之外的所述第一玻璃基板的表面上粘结保护薄片；蚀刻除所述薄膜器件形成的表面之外的所述第二玻璃基板的表面，直到所述第二玻璃基板的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm；将柔性薄片粘附到所述第一玻璃基板的蚀刻表面上；剥离所述保护薄片；蚀刻除所述薄膜器件形成的表面之外的所述第一玻璃基板的表面，直到所述第一玻璃基板的剩余厚度大于0μm并且不大于200μm；以及将柔性膜粘附到所述第一玻璃基板的蚀刻表面，其中这些步骤连续地进行。
17.一种柔性电子器件的制造方法，包括以下步骤叠置一对第一玻璃基板和第二玻璃基板，每个具有形成在它的一个表面上的薄膜器件，从而将所述薄膜器件形成的表面相互粘结；分别蚀刻除所述薄膜器件形成的表面之外的所述第一玻璃基板和第二玻璃基板的表面，直到所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板的各剩余厚度大于0μm并且不大于200μm；以及将柔性膜粘附到所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板的蚀刻表面，其中这些步骤连续地进行。
18.根据权利要求16的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性器件为液晶显示器件。
19.根据权利要求17的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性器件为液晶显示器件。
20.根据权利要求16的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜具有偏振功能和相差功能。
21.根据权利要求17的柔性电子器件的制造方法，其中所述柔性膜具有偏振功能和相差功能。
22.根据权利要求9、16和17的任何一项的柔性电子器件的制造方法，其中在所述蚀刻步骤或在每个所述蚀刻步骤中，在蚀刻步骤过程中，进行几次测量被蚀刻的基板的重量或厚度的确认步骤。
全文摘要
提供一种散热性和刚性优良的柔性电子器件以及低成本和满意再现性地制造这些器件的方法。保护膜粘附到在表面上形成有薄膜器件的衬底表面上。接着，基板浸在蚀刻溶液中以从它的背面蚀刻，从而使基板的剩余厚度落在大于0μm并且不大于20μm的范围内。然后，柔性膜粘附到基板的蚀刻表面上，此后剥离保护膜以制备柔性电子器件。
文档编号G06K19/077GK1517749SQ20041000165
公开日2004年8月4日 申请日期2004年1月9日 优先权日2003年1月10日
发明者竹知和重 申请人:日本电气株式会社