透明导电元件、信息输入装置以及显示装置的制作方法

专利名称：透明导电元件、信息输入装置以及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及透明导电元件、信息输入装置以及显示装置。具体地，本发明涉及具有防反射性的透明导电元件。
背景技术：
透明导电膜用于诸如电子纸的显示装置和诸如触摸板的输入装置。将具有约2. 0 的高折射率的材料(例如，铟锡氧化物(ITO))用作用于这些装置的透明导电膜的材料。因此，即使在透明导电膜形成在诸如玻璃或粘合剂的介质中的情况下，反射率也能根据透明导电膜的厚度增大，这有时使得显示装置和输入装置的质量劣化。已经使用了形成防反射膜的技术来改善导电元件的透明度。例如，日本未审查专利申请公开第2003-136625号披露了一种用于触摸板的透明导电元件，该透明导电元件包括形成在基体和透明导电膜之间的防反射膜。通过顺序堆积多个具有不同折射率的介电膜形成该防反射膜。近年来，显示装置和输入装置对于减小反射的要求不断增加，并且期望不用使用防反射膜来实现防反射性质。

发明内容
因此，期望提供具有防反射性质的透明导电元件、信息输入装置以及显示装置。根据本发明实施方式，提供了一种透明导电元件，包括具有第一表面和第二表面的导电层以及形成在第一表面和第二表面中的至少一个上的介质层，其中，第一表面和第二表面中的至少一个是具有小于等于可见光波长的平均波长λ的波面；波面的平均峰间振幅(mean peak-to-peak amplitude) A与平均波长λ的比率(Α/λ )为1· 8以下；并且导电层的平均厚度大于波面的平均峰间振幅A。这里，介质层是固体层、液体层或气体层。介质层可以含有诸如微粒的材料。气体层优选地主要由除空气之外的气体构成。介质层优选形成为与导电层紧密接触。在导电层的第一表面和第二表面上都形成介质层的情况下，可以选择相同种类或不同种类的介质层。在本发明中，第一表面和第二表面优选分别是均具有小于等于可见光波长的波长的第一波面和第二波面。第一波面的平均峰间振幅优选与第二波面的平均峰间振幅不同。第一波面的平均峰间振幅优选大于第二波面的平均峰间振幅。优选地，第一波面的平均峰间振幅Aml与平均波长λ ml的比率(Ami/λ ml)为1. 8以下，并且第二波面的平均峰间振幅Am2与平均波长λπι2的比率(Am2/Xm2)为1. 8以下。导电层的表面电阻优选地为 1000 Ω / □以下。在本发明中，导电层优选含有选自由导电高分子、金属纳米粒子以及碳纳米管组成的组中的至少一种。导电层优选含有透明氧化物半导体。透明导电元件优选还包括形成为与导电层相邻的金属层。第一波面和第二波面的位置关系可以彼此不同步。第一波面和第二波面的位置关系可以彼此同步。介质层优选具有20%以上的可见光透射率，可见光具有400nm以上且800nm以下的波长。在本发明中，优选地，介质层具有与波面形成界面的凹凸表面，凹凸表面由以小于或等于可见光波长的间距配置的大量结构形成，以及结构的平均纵横比为1.8以下。优选地，介质层包括形成在第一表面上的第一介质层和形成在第二表面上的第二介质层；第一介质层和第二介质层中的至少一个具有与波面形成界面的凹凸表面；凹凸表面由以小于等于可见光波长的间距配置的大量结构体形成，并且结构体的平均纵横比为1.8以下。在本发明中，导电层的第一表面和第二表面中的至少一个是具有小于等于可见光波长的波长λ的波面，并且波面的平均峰间振幅A与平均波长λ的比率(Α/λ)为1.8以下。因此，可以减小导电层的表面的光反射。根据本发明，如上所述，可以提供具有防反射性的透明导电元件。包括该导电元件的信息输入装置或显示装置可以具有良好的显示特性。


图IA是示出根据本发明第一实施方式的触摸板的结构实例的截面图；图IB是示出图IA所示的电极区域Rl的放大截面图；图IC是示出图IA所示的绝缘区域R2的放大截面图；图2Α是示出电极区域Rl中的光学层和第一透明导电膜之间的界面的第一实例的放大截面图；图2Β是示出电极区域Rl中的光学层和第一透明导电膜之间的界面的第二实例的放大截面图；图3Α是示出电极区域Rl中的光学层和第一透明导电膜之间的界面的第三实例的放大截面图；图:3Β是示出电极区域Rl中的光学层和第一透明导电膜之间的界面的第三实例的放大截面图；图4Α是示出绝缘区域R2中的第一光学层和第二光学层之间的界面的第一实例的放大截面图；图4Β是示出绝缘区域R2中的第一光学层和第二光学层之间的界面的第二实例的放大截面图；图5Α是示出大量的作为凸起的结构体形成在两个主面上的第一光学层的第一实例的示意性平面图；图5Β是图5Α所示的第一光学层的部分的放大平面图；图5C是沿图5Β的轨道Τ1、Τ3、…截取的截面图；图5D是沿图5Β的轨道Τ2、Τ4、…截取的截面图；图6Α是图5Β所示的第一光学层在轨道延伸方向上的截面图；图6Β是图5Β所示的第一光学层在θ方向上的截面图；图7Α是示出图5Β所示的结构体的第一形状实例的透视图；图7Β是示出图5Β所示的结构体的第二形状实例的透视图；图8Α是示出图5Β所示的结构体的第三形状实例的透视图；图8Β是示出图5Β所示的结构体的第四形状实例的透视图9A示出了具有圆锥形或圆锥台形的结构体的配置实例；图9B示出了具有椭圆锥形或椭圆锥台形的结构体的配置实例；图IOA是示出大量的作为凹陷的结构体形成在两个主面上的第一光学层的第二实例的示意性平面图；图IOB是图IOA所述的第一光学层的部分的放大平面图；图IOC是沿图IOB的轨道Tl、T3、…截取的截面图；图IOD是沿图IOB的轨道T2、T4、…截取的截面图；图11是图IOB所示的第一光学层的部分的放大透视图；图12Α是示出用于制造第一光学层的辊型原盘的实例的透视图；图12Β是图12Α所示的辊型原盘的部分的放大平面图；图13示意性示出了辊型原盘曝光装置的实例；图14Α至图14Ε是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的实例的处理图；图15Α至图15D是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的实例的处理图；图16Α至图16D是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的实例的处理图；图17Α是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的修改例的平面17Β是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的修改例的平面18Α是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的修改例的截面18Β是图18Α所示的导电元件的部分的放大截面图；图19Α至图19D是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的修改例的处理图；图20Α至图20C是用于描述根据本发明第改例的处理图；图2IA至图2ID是用于描述根据本发明第改例的处理图； 图22Α和图22Β是用于描述根据本发明第改例的处理图；图23Α是示出根据本发明第二实施方式的导电元件的第性平面图；图2 是图23A所示的第一光学层的部分的放大平面图；图23C是沿图23B的轨道T1、T3、…截取的截面图；图23D是沿图23Β的轨道Τ2、Τ4、…截取的截面图；图24Α是示出根据本发明第三实施方式的导电元件的第性平面图；图24Β是图24Α所示的第一光学层的部分的放大平面图；图25Α是示出根据本发明第四实施方式的导电元件的第性平面实施方式的导电元件的制造方法的修
实施方式的导电元件的制造方法的修
实施方式的导电元件的制造方法的修
-光学层的实例的示意
-光学层的实例的示意
-光学层的实例的示意
6
图25B是图25A所示的第一光学层的部分的放大平面图；图25C是沿图25B所示的线XXVC-XXVC截取的截面图；图2队是示出根据本发明第五实施方式的触摸板的结构实例的截面图；图^B是图2队所示的触摸板的部分的放大截面图；图27是示出根据本发明第六实施方式的触摸板的结构实例的截面图；图28k是示出根据本发明第七实施方式的触摸板的结构实例的截面图；图28B是示出根据本发明第七实施方式的第一导电元件的实例的截面图；图^C是示出根据本发明第七实施方式的第二导电元件的实例的截面图；图29A至图29D是用于描述根据本发明第七实施方式的第一导电元件的制造方法的实例的处理图；图30是示出根据本发明第八实施方式的显示装置的结构实例的截面图；图31是示出根据参考例1-1至1-3以及比较例1的导电元件的反射特性的图表；图32是示出根据参考例2-1至2-3以及比较例2的导电元件的反射特性的图表；图33是示出根据参考例3-1和3-2以及比较例3的导电元件的反射特性的图表；图34是示出根据参考例20-1至20_3的导电元件以及根据参考例20_4的光学元件的反射特性的图表；图35是示出根据参考例4-1和4-2以及比较例4_2的导电片以及根据比较例4_1 的光学片的反射特性的图表；图36A是示出根据参考例5-1至5_4的导电片以及根据比较例5的光学片的反射特性的图表；图36B是示出根据参考例6-1至6_4的导电片以及根据比较例6的到光学片的反射特性的图表；图37A是示出根据参考例7-1至7_4的导电片以及根据比较例7的光学片的反射特性的图表；图37B是示出根据参考例8-1至8_4的导电片以及根据比较例8的光学片的反射特性的图表；图38A是示出根据参考例9-1至9-4的导电片以及根据比较例9的光学片的反射特性的图表；图38B是示出根据参考例10-1至10_4的导电片以及根据比较例10的光学片的反射特性的图表；图39是示出根据参考例11-1至11-4的导电片以及根据比较例11的光学片的反射特性的图表；图40A是示出根据参考例12-1至12_6的导电片的表面电阻的图表；图40B是示出根据参考例13-1至18_4的导电片的表面电阻的图表；以及；图40C是示出根据参考例19-1至19_4的导电片的表面电阻的图表。
具体实施例方式将参照附图按如下顺序描述本发明的实施方式。1.第一实施方式(在光学层中形成两层透明导电膜的情况参照图IA至图1C)
2.第二实施方式(结构体二维配置成四方点阵图样的情况参照图23A至图23D)3.第三实施方式(两种以上结构体二维配置的情况参照图24A和图MB)4.第四实施方式(结构体随机配置的情况参照图25A至图25C)5.第五实施方式(在光学层中形成单层透明导电膜的情况参照图26A和图^B)6.第六实施方式(电阻式触摸板的第一应用例参照图27)7.第七实施方式(电阻式触摸板的第二应用例参照图28A至图^C)8.第八实施方式(显示装置的应用例参照图30)<1.第一实施方式>[触摸板的结构]图IA是示出根据本发明第一实施方式的触摸板的结构实例的截面图。如图IA所示，用作信息输入装置的触摸板10设置在显示装置12的显示表面上。可应用触摸板10的显示装置12的实例包括但不特别限于诸如液晶显示器、阴极射线管(CRT)显示器、等离子显示面板(PDP)、电致发光(EL)显示器、以及表面传导电子发射显示器(SED)的各种显示装置。触摸板10是所谓的投影型静电电容触摸板并包括导电元件11。导电元件11包括光学层1，其包括形成为其间具有特定距离的第一透明导电膜5和第二透明导电膜6。例如，第一透明导电膜5是具有特定图样的X电极(第一电极)。例如，第二透明导电膜6是具有特定图样的Y电极(第二电极)。例如，X电极和Y电极布置为彼此垂直。例如，光学层1的折射率η为1. 2以上且1. 7以下。第一透明导电膜5的表面电阻优选为1000 Ω / □以下，并且更优选为500 Ω / □以下。当第一透明导电膜5具有上述范围内的表面电阻时，其可以用于静电电容触摸板。第二透明导电膜6的表面电阻优选地为1000 Ω /平方以下，并且更优选地为500Ω/平方以下。 当第二透明导电膜6具有上述范围内的表面电阻时，其可以用于静电电容触摸板。触摸板10包括形成了第一透明导电膜5或第二透明导电膜6的电极区域Rl以及没有形成第一透明导电膜5或第二透明导电膜6的绝缘区域R2，绝缘区域R2在相邻的透明导电膜之间提供电隔离。图IB是示出图IA所示的电极区域Rl的放大截面图。图IC是示出图IA所示的绝缘区域R2的放大截面图。光学层1包括第一光学层2、第二光学层3以及第三光学层4。 第一透明导电膜5设置在第一光学层2和第二光学层3之间。第二透明导电膜6设置在第一光学层2和第三光学层4之间。光学层1包括彼此面对的第一表面Sol和第二表面So2以及彼此面对的第三表面 So3和第四表面So4。具体地，光学层1包括具有第一表面Sol和第四表面So4的第二光学层2、具有第二表面So2的第二光学层3、以及具有第三表面So3的第三光学层4。光学层 1包括彼此面向的第一表面Sol和第二表面So2以及彼此面向的第三表面So3和第四表面 So4。特别地，光学层1包括具有第一表面Sol和第四表面So4的第二光学层2、具有第二表面So2的第二光学层3、以及具有第三表面So3的第三光学层4。第一透明导电膜5设置在第一表面Sol和第二表面So2之间，以与第一表面Sol和第二表面So2紧密接触。第二透明导电膜6设置在第三表面So3和第四表面So4之间，以与第三表面So3和第四表面So4 紧密接触。
(导电层形成区域Rl)电极区域Rl中的第一透明导电膜5具有第一表面Sl和第二表面S2。第一透明导电膜5的第一表面Sl是与第一光学层2形成界面的表面。第一透明导电膜5的第二表面S2是与第二光学层3形成界面的表面。第一表面Sl和第二表面S2中的至少一个是波长λ小于等于可见光的波长的波面。优选地，第一表面Sl和第二表面S2均为上述波面。 这是因为可以抑制界面反射。该波面的平均峰间振幅Am与平均波长λπι的比率(Am/Xm) 为1.8以下。如果该比率超过1.8，则转印会变得困难。第一透明导电膜5的平均厚度Dm 优选大于该波面的平均峰间振幅Am。这增加了导电材料的自由度，因此可以简化处理。电极区域Rl中的第二透明导电膜6具有第一表面Sl和第二表面S2。第二透明导电膜6的第一表面Sl是与第三光学层4形成界面的表面。第二透明导电膜6的第二表面S2是与第一光学层2形成界面的表面。第一表面Sl和第二表面S2中的至少一个是波长λ小于等于可见光的波长的波面。优选地，第一表面Sl和第二表面S2均为上述波面。 这是因为可以抑制界面反射。该波面的平均峰间振幅Am与平均波长λπι的比率(Am/λπι) 为1.8以下。如果该比率超过1.8，则转印会变得困难。第二透明导电膜6的平均厚度Dm 优选大于该波面的平均峰间振幅Am。这增加了导电材料的自由度，因此可以简化处理。可以独立地选择第一透明导电膜5和第二透明导电膜6各自的材料、厚度等。还可以独立地选择第一透明导电膜5和第二透明导电膜6各自的第一表面Sl和第二表面S2 的形状、波长、振幅等。电极区域Rl中的第一表面Sol和第二表面So2中的至少一个是以小于等于可见光波长的间距配置了大量结构体的凹凸表面。优选地，第一表面Sol和第二表面So2均为上述凹凸表面。这是因为可以进一步抑制界面反射。结构体的平均纵横比(Hm/Pm)优选为 1. 8以下。第一透明导电膜5的平均厚度Dm优选大于结构体的平均高度Hm。电极区域Rl中的第三表面So3和第四表面So4中的至少一个是以小于等于可见光波长的间距配置了大量结构体的凹凸表面。优选地，第三表面So3和第四表面So4均为上述凹凸表面。这是因为可以进一步抑制界面反射。结构体的平均纵横比(Hm/Pm)为1.8 以下。第二透明导电膜6的平均厚度Dm大于结构体的平均高度Hm。现在将参照图2A至图;3B描述电极区域Rl中的第一透明导电膜5的第一表面Sl 和第二表面S2以及光学层1的第一表面Sol和第二表面So2。电极区域Rl中的第二透明导电膜6的第一表面Sl和第二表面S2与电极区域Rl中的第一透明导电膜5的第一表面 Sl和第二表面S2相同，因此省略描述。类似地，电极区域Rl中的光学层1的第三表面So3 和第四表面So4与电极区域Rl中的光学层1的第一表面Sol和第二表面So2相同，因此省略描述。(第一实例)图2A是示出电极区域Rl中的第一透明导电膜的第一实例的放大截面图。第一透明导电膜5具有第一波面Swl和第二波面Sw2。例如，第一波面Swl和第二波面Sw2彼此同步或非同步。第一波面Swl是与第一光学层2形成界面的波面。第二波面Sw2是与第二光学层3形成界面的波面。第一波面Swl的波长λ 1和第二波面Sw2的波长λ 2小于等于可见光的波长。例如，第一波面Swl的平面峰间振幅Aml和第二波面Sw2的平均峰间振幅Am2可以彼此相同或不同。当单向切割第一波面Swl和第二波面Sw2使得截面包括峰间振幅最大化的位置时获得的截面形状，例如是三角波形、正弦波形、通过重复二次曲线或二次曲线的一部分获得的波形、或与上述类似的波形。二次曲线的实例包括圆、椭圆以及抛物线。第一波面Swl和第二波面Sw2不必具有相同波形，并可以根据需要的光学性质等具有不同波形。电极区域Rl中的第一波面Swl的平均峰间振幅Aml与平均波长λ ml的比率(Ami/ λ ml)优选为1.8以下。如果该比率小于0. 1，则反射率趋于增大。如果该比率大于1.8，则趋于不能满足表面电阻的期望值。第二波面Sw2的平均峰间振幅Am2与平均波长λπ 的比率(Am2/Xm2)优选为1.8以下。如果该比率小于0.1，则反射率趋于增大。如果该比率大于1.8，则趋于不能满足表面电阻的期望值。可以根据导电材料的类型选择第一透明导电膜5的平均厚度Dm。第一波面Swl和第二波面Sw2的诸如振幅和波长的物理性质不必彼此相同，而可以彼此不同。如下确定第一波面Swl的平均波长λ ml、平均峰间振幅Ami和比率(Ami/ λ ml)以及第二波面Sw2的平均波长λπι2、平均峰间振幅Am2和比率(Am2/λ m2)。首先，单向切割导电元件11，使得截面包括第一透明导电膜5的第一波面Swl或第二波面Sw2的峰间振幅最大化的位置。然后用透射电子显微镜(TEM)观察该截面。从获得的TEM显微照片确定第一波面Swl的波长λ 1和峰间振幅Al，或者第二波面Sw2的波长λ 2和峰间振幅A2。在从导电元件11随机选择的十个位置重复执行该测量。将测量值简单地平均(算术平均)，以确定第一波面Swl的平均波长λ ml和平均峰间振幅Ami，或者第二波面Sw2的平均波长λ m2 和平均峰间振幅Am2。随后，使用平均波长λ ml和平均峰间振幅Aml或者平均波长λ m2和平均峰间振幅Am2来确定比率(Ami/ λ ml)或比率(Am2/ λ m2)。平均厚度表示最大厚度的平均值，并具体地如下确定。首先，单向切割导电元件 11，使得截面包括第一透明导电膜5的第一波面Swl或第二波面Sw2的峰间振幅最大化的位置。然后用透射电子显微镜(TEM)观察该截面。从获得的TEM显微照片测量第一透明导电膜5在厚度最大化的位置的厚度。在从第一透明导电膜5随机选择的十个位置重复执行该测量。将测量值简单平均(算术平均)，以确定平均厚度。第一光学层2具有第一波面Sowl，并且第二光学层3具有第二波面Sow2。第一透明导电膜5设置在第一波面Sowl和第二波面Sow2之间。第一波面Sowl是与第一透明导电膜5的第一波面Swl形成界面的波面。第二波面Sow2是与第一透明导电膜5的第二波面Sw2形成界面的波面。通过二维配置多个第一结构体加形成第一波面Sowl。通过二维配置多个第二结构体3a形成第二波面Sow2。电极区域Rl中的第一结构体加的平均纵横比(平均高度Hml/平均配置间距Riil) 优选为1. 8以下。电极区域Rl中的第二结构体3a的平均纵横比(平均高度Hm2/平均配置间距Rii2)优选为1. 8以下。对应于第一结构体加的顶部的位置的第一透明导电膜5的平均厚度优选为120nm以下。如果平均厚度大于120nm，则反射率趋于增大。当假设对应于第一结构体加的顶部的位置的第一透明导电膜5的厚度为D1，假设对应于第一结构体加的斜面的位置的第一透明导电膜5的厚度为D2，以及假设与第一结构体加之间的位置对应的位置的第一透明导电膜5的厚度为D3时，优选地满足Dl > D3 > D2的关系。这里，如下确定平均纵横比(Hml/Riil)。首先，切割导电元件11，使得截面包括第一结构体加的顶部。然后用透射电子显微镜(TEM)观察该截面。从获得的TEM显微照片确定第一结构体加的配置间距Pl以及第一结构体加的高度或深度HI。在从导电元件11 随机选择的十个位置重复执行该测量。将测量值简单平均(算术平均)，以确定平均配置间距Riil和平均高度Hml。然后使用平均配置间距Riil和平均高度Hml确定平均纵横比(Hml/ Riil)。可以以与上述平均纵横比(Hml/Riil)相同的方式获得平均纵横比(Hm2/Rii2)。平均厚度表示最大厚度的平均值，并具体地如下来确定。首先，切割导电元件11， 使得截面包括第一结构体加的顶部。然后用透射电子显微镜(TEM)观察该截面。从获得的TEM显微照片测量对应于第一结构体加的位置的第一透明导电膜5的厚度。在从导电元件11随机选择的十个位置重复执行该测量。将测量值简单平均(算术平均)，以确定平均厚度。(第二实例)图2B是示出电极区域Rl中的第一透明导电膜的第二实例的放大截面图。第一透明导电膜5具有第一波面Swl和第二波面Sw2。第一波面Swl和第二波面Sw2具有不同波长λ和/或不同振幅Α。第一波面Swl和第二波面Sw2的波形可以彼此不同。(第三实例)图3A是示出电极区域Rl中的第一透明导电膜的第三实例的放大截面图。第一透明导电膜5具有波面Swl和平面表面Sp2。波面Swl是与第一光学层2形成界面的表面。 平面表面Sp2是与第二光学层3形成界面的表面。在该第三实例中，由于第一透明导电膜 5具有波面Swl，因此可以抑制第一透明导电膜5和第一光学层2之间的界面的光反射。(第四实例)图:3B是示出电极区域Rl中的第一透明导电膜的第四实例的放大截面图。第一透明导电膜5具有平面表面Spl和波面Sw2。平面表面Spl是与第一光学层2形成界面的表面。波面Sw2是与第二光学层3形成界面的表面。在该第四实例中，由于第一透明导电膜 5具有波面Sw2，因此可以抑制第二光学层3和第一透明导电膜5之间的界面的光反射。(绝缘区域R2)绝缘区域R2中的第一光学层2和第二光学层3之间的界面具有例如平面表面或波面，并优选具有波长λ小于等于可见光波长的波面。这是因为，当第一光学层2和第二光学层3具有不同折射率时，可以抑制其间的界面处的反射。具体地，界面具有与第一光学层的第一表面Sol或第二光学层的第二表面So2相同的形状。现在将参照图4A和图4B描述绝缘区域R2中的第一光学层2和第二光学层3之间的界面。绝缘区域R2中的第一光学层2和第三光学层4之间的界面与绝缘区域R2中的第一光学层2和第二光学层3之间的界面相同，因此省略描述。(第一实例)图4A是示出绝缘区域R2中的第一光学层和第二光学层之间的界面的第一实例的放大截面图。第一光学层2和第二光学层3之间的界面具有与第一透明导电膜5的第一波面Swl或第二波面Sw2相同的形状。在图4A中，描述了第一光学层2和第二光学层3之间的界面具有与第一透明导电膜5的第一波面Swl相同形状的情况。(第二实例)图4B是示出绝缘区域R2中的第一光学层和第二光学层之间的界面的第一实例的放大截面图。第一光学层2和第二光学层3之间的界面具有与第一透明导电膜5的平面表面Spl或Sp2相同的形状。在图4B中，描述了第一光学层2和第二光学层3之间的界面具有与第一透明导电膜5的平面表面Spl相同的形状的情况。(第一光学层)(第一实例)图5A是示出第一光学层的第一实例的示意性平面图，在第一光学层中，大量的凸起的结构体形成在两个主面上。图5B是图5A所示的第一光学层的部分的放大平面图。图 5C是沿图5B的轨道T1、T3、…截取的截面图。图5D是沿图5Β的轨道Τ2、Τ4、…截取的截面图。图6Α是图5Β所示的第一光学层在轨道延伸方向(X方向(下文中，可以称为轨道方向))上的截面图。图6Β是图5Β所示的第一光学层在θ方向上的截面图。图7Α至图 8Β是示出图5Β所示的结构体的形状实例的透视图。第一光学层2包括具有第一主面和第二主面的基体2c、形成在第一主面上的大量第一结构体2a、以及形成在第二主面上的大量第二结构体2b。例如，第一结构体加和第二结构体2b是凸起。(基体)基体2c例如是透明基体。基体2c的材料例如是具有透明性的塑料材料或主要由玻璃制成的材料，但是不特别地限制于此。玻璃的实例包括钠钙玻璃、铅玻璃、硬玻璃、石英玻璃、以及液晶玻 ^ ( # M the Chemical Society of Japan ^mStJ “kagaku Binran (Chemical Handbook) "Kiso-hen(Basic)，p. 1-537)。就诸如透明度、折射率和色散的光学性质、耐冲击性、耐热性以及耐用性而言，塑料材料的优选实例包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯以及甲基丙烯酸甲酯和乙烯单体的共聚物(例如烷基(甲基)丙烯酸酯或苯乙烯)的(甲基)丙烯酸类树脂；诸如聚碳酸酯和二甘醇双(烯丙基碳酸酯)(CR-39)的聚碳酸酯类树脂；诸如 (溴化)双酚A 二(甲基)丙烯酸酯的均聚物或共聚物、以及(溴化)双酚A单(甲基)丙烯酸酯的尿烷改性单体的聚合物或共聚物的热固性(甲基)丙烯酸类树脂；诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯以及不饱和聚酯的聚酯；以及丙烯腈-苯乙烯共聚物、 聚氯乙烯、聚氨酯、环氧树脂、聚芳酯、聚醚砜、聚醚酮以及环烯烃聚合物(产品名ART0N和 ZE0N0R)。另外，还可以考虑到耐热性使用芳族聚酰胺类树脂。当基体2c由塑料材料构成时，可以通过设置底涂层执行表面处理，以进一步提高塑料表面的表面能、涂布容易性、滑动性以及光滑度。底涂层例如由有机烷氧基金属化合物、聚酯、丙烯酸改性聚酯以及聚氨酯构成。为了产生与通过沉积底涂层达到的相同效果， 可以在基体2c的表面执行电晕放电或紫外线照射处理。当基体2C是塑料膜时，例如，可以通过拉伸上述树脂或者将树脂在溶剂中稀释、 形成膜、然后将膜干燥来获得基体2c。优选地，根据导电元件11的用途来适当地选择基体 2c的厚度，例如，大约25μπι至500μπι。基体2c的形状例如是片状形、板状形或块状形，但是不限于此。这里，将片定义为包括膜。(结构体)通过在基体2c的第一主面上配置大量作为凸起的第一结构体加形成第一波面
12Sowl。通过在基体2c的第二主面上配置大量作为凸起的第二结构体沘形成第四波面Sow4。 这些第一结构体加和第二结构体ab以小于等于要减小反射的光的波长范围的平均配置间距(例如，以大致等于可见光波长的平均配置间距)以规则的间隔二维配置。要减小反射的光的波长范围包括紫外光、可见光以及红外光的波长范围。紫外光的波长范围是IOnm至 360nm，可见光的波长范围是360nm至830nm，而红外光的波长范围是830nm至1mm。具体地，第一结构体加的平均配置间距优选为180nm以上且350nm以下，更优选为IOOnm以上且320nm以下，进一步优选为IlOnm以上且^Onm以下。如果平均配置间距小于180nm，则趋于变得难以制造第一结构体加。如果平均配置间距大于350nm，则趋于引起可见光衍射。由于除了第一结构体加和第二结构体2b形成在基体2c的不同表面上，第一结构体加和第二结构体2b相同，因此下面只描述第一结构体加。具有包括多行轨道Tl、T2、T3、…(下文中统称为“轨道T”)的布置的第一光学层2的第一结构体加设置在基体2c的表面上。在本发明中，术语“轨道”表示第一结构体加线性地成行配置的部分。术语“列方向”表示在基体2c表面上与轨道延伸方向(X方向) 正交的方向。在相邻的两个轨道T中，一个轨道上配置的第一结构体加从另一轨道上配置的第一结构体加偏移半个间距。具体地，在相邻的两个轨道T中，在一个轨道(例如，Tl)上配置的第一结构体加之间的中间位置(在偏移了半个间距的位置)处，设置有另一轨道(例如，T2)上的第一结构体加。因此，如图5B所示，在相邻的三行轨道(Tl至T3)中，第一结构体加配置为使得形成第一结构体加的中心位于点al至a7的六方点阵图样或类六方点阵图样。在该实施方式中，术语“六方点阵图样”表示具有规则六边形形状的点阵图样。术语“类六方点阵图样”表示不同于具有规则六边形形状的点阵图样的、在轨道延伸方向(X 轴方向)上被拉伸并变形的六方点阵图样。除类六方点阵图样和六方点阵图样外，结构体可以具有诸如四方点阵图样和随机凹凸表面的其他图样。如图5B所示，当第一结构体加配置为使得形成类六方点阵图样时，同一轨道(例如，Tl)上的第一结构体加的配置间距Pl (al和a2之间的距离)优选长于两个相邻轨道 (例如，Tl和T2)之间的第一结构体加的配置间距，即，第一结构体加在相对于轨道延伸方向的士 θ方向的配置间距ρ2(例如，al和a7之间或a2和a7之间的距离)。通过以这样的方式配置第一结构体2a，可以进一步提高第一结构体加的充填密度。就成型容易性而言，第一结构体加优选具有圆锥形式或在轨道方向上拉伸或收缩的圆锥形式。第一结构体加优选具有轴对称圆锥形式或在轨道方向上拉伸或收缩的圆锥形式。当相邻的第一结构体加彼此接合时，除了彼此接合的相邻第一结构体加的下部， 第一结构体加优选地具有轴对称圆锥形式或在轨道方向上拉伸或收缩的圆锥形式。圆锥形式的实例包括圆锥形、圆锥台形、椭圆锥形以及椭圆锥台形。如上所述，除了圆锥形和圆锥台形，圆锥形式的概念还包括椭圆锥形以及椭圆锥台形。圆锥台形是通过从圆锥形去除圆锥形的顶部获得的形状。椭圆锥台形是通过从椭圆锥形去除椭圆锥形的顶部获得的形状。第一结构体加优选具有圆锥形式，该圆锥形式具有其中轨道延伸方向上的宽度大于与轨道延伸方向正交的列方向上的宽度的底面。具体地，如图7A和图7B所示，第一结构体加优选具有椭圆锥形，其中，底面为具有长轴和短轴的椭圆形、长圆形或卵形，并且顶部具有曲面。如图8A所示，第一结构体加优选具有椭圆锥台形，其中，底面是具有长轴和短轴的椭圆形、长圆形或卵形，并且顶部是平坦的。借助于这种形状，可以提高第一结构体加在列方向上的充填率。为了改善反射特性，在顶部具有平缓斜率并在中央至底部具有逐渐增大的斜率的圆锥形式(参照图7B)是优选的。为了改善反射和透射特性，中央的斜率比底部和顶部的斜率更陡的圆锥形式(参照图7A)或者顶部是平的圆锥形式(参照图8A)是优选的。当第一结构体加具有椭圆锥形或椭圆锥台形时，底面的长轴方向优选平行于轨道延伸方向。在图7A至图8B中，第一结构体加每个都具有相同结构，但是第一结构体加的形状不限于此。 可以在基体的表面上形成具有两种以上形状的第一结构体加。第一结构体加可以与基体 2c 一体形成。如图7A至图8B所示，优选在每个第一结构体加的外围的部分或整体中形成突出部加。即使在第一结构体加的充填率低时，这也能减小反射率。具体地，如图7A至图8B 所示，突出部加形成在相邻的第一结构体加之间。此外，如图8B所示，细长的突出部加可以形成在每个第一结构体加的外围的部分或整体中。细长的突出部2e例如在从第一结构体加的顶部到下部的方向延伸。当从截面看时，突出部2e的形状例如是三角形或四边形，但是不限于此。可以考虑成型的容易性来选择形状。通过使每个第一结构体加的周围表面的部分或整体粗糙，可以形成微小凸起和凹陷。具体地，通过使相邻第一结构体加之间的表面粗糙，可以形成微小凸起和凹陷。可以在每个第一结构体加的表面中(例如在其顶部)形成微孔。第一结构体加在轨道延伸方向上的高度Hl优选小于第一结构体加在列方向上的高度H2。即，第一结构体加的高度Hl和H2优选满足Hl <H2的关系。如果第一结构体加配置为使得满足Hl彡H2的关系，则轨道延伸方向上的配置间距Pl不得不增大。因此， 第一结构体加在轨道延伸方向上的充填率减小。充填率的这种减小使反射特性劣化。所有第一结构体加的纵横比不必都相同，并且第一结构体加可以配置为使得具有一定的高度分布。通过设置具有高度分布的第一结构体加为，可以抑制反射特性的波长依赖性。因此，可以获得具有良好防反射特性的导电元件11。术语“高度分布”表示在基体2c的表面上设置具有两种以上不同高度(深度)的第一结构体加。即，表示在基体2c的表面上设置了具有基准高度的第一结构体加和具有不同于基准高度的高度的第一结构体加。例如，具有不同于基准高度的高度的第一结构体加周期或非周期(随机)地设置在基体2c的表面上。例如，轨道延伸方向和列方向可以作为周期性的方向的例子。襟部(hem) 2d优选设置在第一结构体加的外围部分。这是因为，在导电元件的制造处理中，第一结构体加可以容易地从模具等剥离。这里，襟部2d是形成在第一结构体加的底部的外围部分中的突出部。就剥离特性而言，襟部2d优选具有高度在从第一结构体加的顶部到下部的方向上逐渐减小的曲面。襟部2d可以仅设置在第一结构体加的部分外围部分中，但是为了提高剥离特性，优选设置在第一结构体加的整个外围部分中。当第一结构体加是凹陷时，襟部具有形成在凹陷的开口的外围中的曲面。当第一结构体加配置为形成六方点阵图样或类六方点阵图样时，假设第一结构体加的高度H是第一结构体加在列方向上的高度。第一结构体加在轨道延伸方向(X方向)上的高度小于在列方向(Y方向)上的高度。另外，由于除第一结构体加在轨道延伸方向上的部分之外的部分的高度大致等于列方向上的高度，因此，用列方向上的高度表示亚波长结构体的高度。当假设同一轨道上的第一结构体加的配置间距为Pl并且假设两个相邻轨道之间的第一结构体加的配置间距为P2时，比率pl/p2优选地满足1. 00 ( pl/p2 < 1. 2或1. 00 <pl/p2彡1. 2的关系，并且更优选为1.00彡pl/p2彡1. 1或1. 00 < pl/p2彡1. 1。通过将比率P1/P2设置在该范围内，可以增大具有椭圆锥形或椭圆锥台形的第一结构体加的充填率，因此可以提高防反射特性。基体表面上的第一结构体加的充填率(最大100%)为65%以上，优选为73%以上，并且更优选为86%以上。通过将充填率设置在该范围内，可以提高防反射特性。为了提高充填率，相邻的第一结构体加优选在其下部彼此接合，或者优选通过调节结构体底面的椭圆率使第一结构体加变形。图9A示出了具有圆锥形或圆锥台形的第一结构体加的布置实例。图9B示出了具有椭圆锥形或椭圆锥台形的第一结构体加的布置实例。如图9A和图9B所示，第一结构体加优选地彼此接合，使得其下部彼此重叠。具体地，第一结构体加的下部优选接合到相邻的第一结构体加的下部的部分或整体。更具体地，第一结构体加的下部优选在轨道方向、在θ方向、或在上述两个方向上彼此接合。图9Α和图9Β示出了相邻的第一结构体加的整个下部彼此接合的情况。通过以这样的方式使第一结构体加彼此接合，可以提高第一结构体加的充填率。基于考虑折射率所采用的光路长度，第一结构体优选在每个的尺寸都小于等于使用环境中的光的1/4最大波长的部分处彼此接合。这可以提供良好的防反射特性。如图9Β所示，第一接合部a是通过使同一轨道上相邻的第一结构体加的下部彼此重叠而形成的，而同时，第二接合部b是通过使相邻轨道之间的相邻的第一结构体加的下部彼此重叠而形成的。交点部c形成在第一接合部a和第二接合部b之间的交叉点。交点部c的水平位置例如低于第一接合部a和第二接合部b。当具有椭圆锥形或椭圆锥台形的第一结构体加的下部彼此接合时，例如，接合部a、接合部b以及交点部c的高度以该顺序减小。尺寸2r与配置间距pi的比率((2r/pl) X 100)为85%以上，优选为90%以上，并且更优选为95%以上。通过将该比率设置在该访问内，可以提高第一结构体加的充填率， 并且可以改善防反射特性。如果比率((2r/pl)X100)增大因此使得第一结构体加过分地彼此重叠，则防反射特性趋于劣化。因此，比率((2r/pl)X100)的上限优选设置为使得结构体在每个的尺寸都小于等于基于考虑折射率所采用的光路长度的使用环境中的光的1/4 最大波长的部分处彼此接合。这里，配置间距Pl是第一结构体加在轨道方向上的配置间距，尺寸2r是每个第一结构体加的底面在轨道方向上的尺寸。在第一结构体的底面是圆形的情况下，尺寸zr是直径。在第一结构体的底面是椭圆形的情况下，尺寸2r是长轴。(第二实例)图IOA是示出大量的作为凹陷的结构体形成在两个主面上的第一光学层的第二实例的示意性平面图。图IOB是图IOA所示的第一光学层的部分的放大平面图。图IOC是沿图IOB的轨道Tl、T3、…截取的截面图。图IOD是沿图IOB的轨道T2、T4、…截取的截
15面图。图11是图IOB中所示的第一光学层的部分的放大透视图。第二实例与第一实例的不同在于第一结构体加和第二结构体2b是凹陷。当第一结构体加和第二结构体2b是凹陷时，作为凹陷的第一结构体加和第二结构体2b的开口 (凹陷的入口部)被定义为下部，并且基体2c在深度方向上的最下部(凹陷的最深部分) 被定义为顶部。换言之，使用非实体空间的第一结构体加和第二结构体2b定义顶部和下部。(透明导电膜)第一透明导电膜5和第二透明导电膜6是例如有机或无机透明导电膜。有机透明导电膜可以用作第一透明导电膜5和第二透明导电膜6中的一个，无机透明导电膜可以用作另一个。有机透明导电膜优选主要由导电高分子或碳纳米管构成。导电高分子的实例包括聚噻吩类、聚苯胺类以及聚吡咯类导电高分子，并且优选使用聚噻吩类导电高分子。优选通过用PSS掺杂的PEDOT获得的聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)/聚苯乙烯磺酸酯(PSQ类材料来用作聚噻吩类导电高分子。无机透明导电膜优选主要由透明氧化物半导体构成。透明氧化物半导体的实例包括诸如Sn02、InO2, ZnO和CdO的二元化合物；包括选自作为二元化合物的构成元素的Sn、 IruSi和Cd的至少一种元素的三元化合物；以及多元(复合)氧化物。透明氧化物半导体的具体实例包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、铝掺杂的氧化锌(AZO(Al2C)3，ZnO)), SZ0, 氟掺杂的氧化锌(FTO)、氧化锡(SnO2)、镓掺杂的氧化锌(GZO)以及氧化铟锌(ΙΖ0(Ιη203， ZnO))0就高可靠性和低阻抗而言，氧化铟锡(ITO)是特别优选的。为了改善导电性，构成无机透明导电膜的材料优选以混合方式具有非晶和多晶状态。就生产率而言，第一透明导电膜5和第二透明导电膜6优选主要由选自导电高分子、金属纳米颗粒和碳纳米管的组中的至少一种材料构成。通过使用这些材料作为主要成分，可以通过湿涂布容易地形成导电膜，而不用使用昂贵的真空设备等。第一透明导电膜5的平均厚度Dm优选是小于等于实现20%以上的透射率的厚度的厚度。第二透明导电膜6的平均厚度Dm优选是小于等于实现20%以上的透射率的厚度的厚度。在本说明书中，如上所述，第一透明导电膜5的平均厚度Dm是对应于第一结构体 2a的顶部的位置的第一透明导电膜5的平均厚度。第二透明导电膜6的平均厚度Dm是对应于第二结构体2b的顶部的位置的第二透明导电膜6的平均厚度。[辊型原盘的结构体]图12A示出了用于制造上述第一光学层的辊型原盘的实例。图12B是图12A示出的辊型原盘的部分的放大平面图。辊型原盘101包括以小于等于诸如可见光的光的波长的间距配置在辊的表面的大量的作为凹陷的结构体102。辊型原盘101具有圆柱或圆筒形。 辊型原盘101的材料例如是玻璃，但是不特别局限于此。借助于以下描述的辊型原盘曝光装置，极性反转格式器信号(polarity inversion formatter signal)被同步于记录装置的旋转控制器，以生成用于每个轨道的信号，使得二维图样空间地彼此连接，并且以适当进给间距以恒定角速度(CAV)执行图样化。因此，可以记录六方或类六方点阵图样。通过适当地设置极性反转格式器信号的频率和辊的转数，在期望的记录区域中形成了具有均勻空间频率的点阵图样。[曝光装置的构成]
图13示意性地示出了用于制造辊型原盘的辊型原盘曝光装置的构造实例。辊型原盘曝光装置基于光盘记录装置。例如，激光源21是用于将形成在用作记录介质的辊型原盘101的表面的抗蚀剂曝光的光源，并且例如振荡266nm的波长λ的用于进行记录的激光束104。从激光源21发射的激光束104作为平行光束直线传播，并进入电光调制器(EOM) 22。透过电光调制器22的激光束104被反射镜23反射，并被导向光学调制系统25。反射镜23包括偏光分束器并且具有反射一种偏光成分并透射另一种偏光成分的功能。透过反射镜23的偏光成分被光电二极管M接收，并且电光调制器22根据所接收的偏光成分的信号被控制为执行激光束104的相位调制。在光学调制系统25中，激光束104被由玻璃(SiO2)等构成的声光调制器(AOM) 27 上的聚光透镜沈所会聚。在激光束104由声光调制器27强度调制并发散后，激光束104 由透镜观准直(平行)。从光学调制系统25发射的激光束104被反射镜31反射，并以水平和平行方式被导向到移动光学台32上。移动光学台32包括扩束器33和物镜34。被导向移动光学台32的激光束104通过扩束器33而成形为期望的光束形式，然后通过物镜34施加到辊型原盘101上的抗蚀剂层。辊型原盘101置于连接至主轴马达35的转台36上。之后，通过在旋转辊型原盘101 并且激光束104在辊型原盘101的高度方向上移动的同时，用激光束104间歇地照射抗蚀剂层，来执行抗蚀剂层的曝光步骤。例如，所得的潜像为具有在圆周方向上的长轴的大致椭圆形。通过在箭头R表示的方向上移动移动光学台32来移动激光束104。曝光装置包括控制机构37，用于在抗蚀剂层上形成对应于图12Β所示的六方点阵或类六方点阵的二维图样的潜像。控制机构37包括格式器四和驱动器30。格式器四包括极性反转单元，并且极性反转单元控制用激光束104照射抗蚀剂层时的定时。驱动器30 响应于来自极性反转单元的输出控制声光调制器27。在辊型原盘曝光装置中，极性反转格式器信号被同步于记录装置的旋转控制器， 以生成用于每个轨道的信号，使得二维图样空间地彼此连接，并且由声光调制器27执行强度调制。通过以恒定角速度(CAV)并以适当转数、适当调制频率以及适当进给间距执行图样化，可以记录六方或类六方点阵图样。例如，将进给间距设置为251nm，以实现在圆周方向上的315nm的周期和与圆周方向成大约60度的方向(大约-60度方向)上的300nm的周期(毕达哥拉斯定律，Pythagoras' law)。利用辊的转数(例如，1800rpm、900rpm、450rpm 以及225rpm)来改变极性反转格式器信号的频率。例如，辊的转数1800rpm、900rpm、450rpm 以及225rpm分别对应于极性反转格式器信号的频率37. 70MHz、18. 85MHz、9. 34MHz以及 4.71MHz。通过利用移动光学台32上的扩束器(BEX) 33扩展远紫外激光束使得远紫外激光束变得具有原始光束直径五倍的光束直径，通过用激光束通过数值孔径(NA)为0. 9的物镜 34照射辊型原盘101上的抗蚀剂层，以及通过形成微细潜像，获得了类六方点阵图样，其具有均勻的空间频率(圆周方向上的周期315nm ；以及与圆周方向成大约60度的方向(大约-60度方向)上的周期300nm)并形成在期望的记录区域中。[用于制造导电元件的方法]现在将参照图14A至图16D描述上述导电元件11的制造方法。(抗蚀剂层形成步骤)
首先，如图14A所示，准备柱形辊型原盘101。辊型原盘101例如是玻璃原盘。如图14B所示，抗蚀剂层103形成在辊型原盘101的表面上。抗蚀剂层103可以由例如有机抗蚀剂或无机抗蚀剂构成。有机抗蚀剂的实例包括酯醛树脂抗蚀剂和化学增强的抗蚀剂。 无机抗蚀剂的实例包括含有一种或多种过渡金属的金属化合物。(曝光步骤)如图14C所示，使用上述辊型原盘曝光装置，在旋转辊型原盘101的同时用激光束(曝光束)104照射抗蚀剂层103。这里，通过在激光束104在辊型原盘101的高度方向 (平行于圆柱形或圆筒形辊型原盘101的中心轴的方向)移动的同时用激光束104间歇地照射抗蚀剂层103，使抗蚀剂层103的整个表面曝光。结果是，在抗蚀剂层103的整个表面上，以大致等于可见光波长的间距，形成跟随光束104的轨迹的潜像105。例如，潜像105配置为使得在原盘的表面上形成多行轨道，并形成六方点阵图样或类六方点阵图样。例如，每个潜像105都具有椭圆形，其长轴方向为轨道延伸方向。(显影步骤)在旋转辊型原盘101的同时将显影剂逐滴地施加到抗蚀剂层103上，从而抗蚀剂层103如图14D所示显影。在使用正抗蚀剂形成抗蚀剂层103的情况下，相比于未曝光的部分，曝光到光束104的部分具有对显影剂的增大的溶解率。结果是，如图所示，对应于潜像(曝光部分)105的图样形成在抗蚀剂层103上。(蚀刻步骤)如图14E所示，通过使用形成在辊型原盘101上的抗蚀剂层103(抗蚀剂图样)的图样作为掩模，使辊型原盘101的表面进行辊蚀刻处理。随后，如图15A所示，可以获得具有椭圆锥形或椭圆锥台形的凹陷，其长轴方向是轨道延伸方向，即，可以获得结构体102。通过干蚀刻等执行蚀刻。这里，通过交替执行蚀刻处理和灰化(抛光)处理，例如，可以形成圆锥结构体102的图样。另外，可以制造深度是抗蚀剂层103的厚度的3倍以上(选择比 3倍以上)的辊型原盘101，以实现结构体102的高纵横比。优选通过使用辊蚀刻装置的等离子体蚀刻执行干蚀刻。因此，可以获得具有包括每个都具有大约120nm至350nm深度的凹陷的六方点阵图样或类六方点阵图样的辊型原盘101。(第一光学层形成步骤)如图15B所示，例如，在基体2c的一个主面上涂覆转印材料106 ；通过按压辊型原盘101同时用紫外线等照射转印材料106将其固化；并且基体2c从辊型原盘101剥离。随后，如图15C所示，在基体2c的主面上形成大量的作为凸起的第一结构体加。随后，例如，在基体2c的另一主面(与形成多个结构体的面相反的面)上涂覆转印材料106 ；通过按压辊型原盘101同时用紫外线等照射转印材料106使其固化；并且基体 2c从辊型原盘101剥离。因此，如图15D所示，在基体2c的另一主面上形成大量的作为凸起的第二结构体2b。因此，获得了第一光学层2。第一结构体加和第二结构体2b的形成顺序不限于该实例，并且第一结构体加和第二结构体2b可以同时地形成在基体2c的两个表面上。转印材料106例如由紫外线可固化材料和引发剂构成，并且可选地含有填充剂和功能添加剂。
紫外线可固化材料的实例包括单官能团单体、双官能团单体以及多官能团单体。 特别地，以下材料可以单独或者作为两种以上材料的混合物来使用。单官能团单体的实例包括羧酸(丙烯酸)、羟基化合物(2-羟乙基丙烯酸酯、2-羟丙基丙烯酸酯、4-羟丁基丙烯酸酯)、烷基化合物、脂环族化合物(异丁基丙烯酸酯、叔丁基丙烯酸酯、异辛基丙烯酸酯、十二烷基丙烯酸酯、硬脂酰丙烯酸酯、异冰片基丙烯酸酯和环己基丙烯酸酯)、以及其他官能团单体O-甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯、 2-乙氧基丙烯酸、四氢化糠基丙烯酸酯、苄基丙烯酸酯、乙基卡必醇丙烯酸酯、苯氧乙基丙烯酸酯、N，N-二甲氨基乙基丙烯酸酯、N，N-二甲氨基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰吗啉、N-异丙基丙烯酰胺、N, N- 二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛基) 乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羟丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羟丙基丙烯酸酯、2-(全氟己基)乙基丙烯酸酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯)、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2- (2,4,6三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、以及2-乙基己基丙烯酸酯。双官能团单体的实例包括三(丙二醇)二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷己二烯醚以及尿烷丙烯酸酯。多官能团单体的实例包括三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、二季戊四醇五/六丙烯酸酯、以及二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯。引发剂的实例包括2，2- 二甲氧基-1，2- 二苯乙烷-1-酮、1-羟基-环己基苯基酮以及2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮。作为填充剂，例如，可以使用无机微粒或有机微粒。无机微粒的实例包括诸如 SiO2, TiO2, ZrO2, SnO2或Al2O3的金属氧化物的微粒。功能添加剂的实例包括勻染剂、表面控制剂以及防发泡剂。基体2c的材料包括甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯-苯乙烯共聚物、纤维素二醋酸酯、纤维素三醋酸酯、纤维素醋酸丁酸酯、聚酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚醚酮、聚氨酯以及玻璃。用于形成基体2c的方法没有特别限制。基体2c可以是注射成型体、拉伸体或铸造体。在基体的表面上可以可选地执行诸如电晕处理的表面处理。例如，旋涂玻璃材料也可以用作转印材料106。(涂布步骤)如图16A所示，例如，在第一光学层2的第一波面Sowl上涂覆导电涂料5m。例如， 导电涂料5m含有选自导电高分子、金属纳米粒子以及碳纳米管的组中的至少一种导电材料。导电涂料5m可以可选地含有有机聚合物、交联剂以及溶剂。只要导电涂料5m可以基本上均勻地涂覆于波面Sowl上，则对于涂覆导电涂料5m的方法没有特别限制。方法的实例包括旋涂、辊涂、逆向涂、刮涂、喷涂、浸涂以及层流涂布。使用诸如丝网印刷或喷墨印刷的印刷技术涂覆导电涂料5m，以形成预定图样。(固化步骤)如图16B所示，例如，将第二光学层3置于导电涂料5m上，并且将导电涂料5m固化。(涂布步骤)
如图16C所示，例如，在第一光学层2的第四波面Sow4上涂覆导电涂料6m。可以将与导电涂料5m相同的导电涂料用作导电涂料6m。(固化步骤)如图16D所示，例如，将第三光学层4置于导电涂料6m上，并且将导电涂料6m固化。通过上述步骤，获得了期望的导电元件11。在第一透明导电膜5和第二透明导电膜6是无机透明导电膜的情况下，可以通过诸如热CVD、等离子体CVD或光CVD的化学气相沉积(CVD 利用化学反应从气相沉积薄膜的技术)方法或者诸如真空沉积、等离子体辅助沉积、溅射或离子镀的物理气相沉积(PVD 通过将真空中物理蒸发的材料聚集到衬底上形成薄膜的技术)方法形成这种透明导电膜。在第一透明导电膜5和第二透明导电膜6是无机透明导电膜的情况下，在形成膜之后，可以可选地对无机透明导电膜执行退火处理。因此，无机透明导电膜可以具有混合方式的非晶和多晶状态。根据第一实施方式，导电元件11在光学层中包括具有第一表面Sl和第二表面S2 的第一透明导电膜5以及具有第一表面Sl和第二表面S2的第二透明导电膜6。透明导电膜的第一表面Sl和第二表面S2中的至少一个是波长小于等于可见光波长的波面。这可以减少光学层1和第一透明导电膜5之间的界面以及光学层1和第二透明导电膜6之间的界面处的反射。在第一透明导电膜5和第二透明导电膜6形成为具有特定电极图样的情况下，可以减小具有第一透明导电膜5和第二透明导电膜6的配线图样的部分和没有配线图样的部分之间的反射率差异。因此，可以抑制配线图样的可见性。此外，采用纳米压印技术和具有高产量的膜结构而不用使用多层光学膜，从而可以实现大规律生产以及低成本。在通过将光盘的原盘的制作处理和蚀刻处理彼此组合的方法制造导电元件11的情况下，可以提高导电元件11的生产率，同时可以增大导电元件11的尺寸。[修改例](修改例1)在上述第一实施方式中，已经描述了轨道线性配置的情况，但是轨道的形状不限于该情况。在下文中，将仅描述光学层1的第一表面Sol上形成的第一结构体加的轨道的形状，但是光学层1的第一表面Sol之外的表面上形成的结构体也可以具有相同的轨道形状。图17A是示出根据第一实施方式的导电元件的轨道的修改例的平面图。该修改例与第一实施方式的不同在于，大量第一结构体加配置成圆弧形。在相邻的三行轨道中(Tl 至T3)，第一结构体加配置为使得形成第一结构体加的中心位于点al至a7的六方点阵图样或类六方点阵图样。图17B是示出根据第一实施方式的导电元件的轨道的修改例的平面图。该修改例与第一实施方式的不同在于，大量第一结构体加配置在迂曲的轨道上(下文中，称为“摆动轨道”)。通过以这样的方式将第一结构体加配置在摆动轨道上，可以抑制外部凹凸的发生。 基体2c上的轨道的摆动优选地彼此同步。即，摆动优选是同步的摆动。通过以这样的方式使摆动同步，可以保持六方点阵或类六方点阵的单位点阵形状，并且可以保持高充填率。摆动轨道的波形实例包括正弦波和三角波。摆动轨道的波形不限于周期性波形，并且可以是非周期性波形。摆动轨道的摆动幅度设置为例如大约士 ΙΟμπι。(修改例2)图18Α是示出根据本发明第一实施方式的导电元件的修改例的截面图。图18Β是图18Α中所示的导电元件的部分的放大截面图。该修改例与第一实施方式的不同在于，导电元件11包括布置为与第一透明导电膜5相邻的第一金属层fe和/或布置为与第二透明导电膜6相邻的第二金属膜6a。通过形成第一金属膜fe和/或第二金属膜6a，可以减小电阻率，因此可以减小第一透明导电膜5和/或第二透明导电膜6的厚度。此外，在仅有第一透明导电膜5或第二透明导电膜6而没有实现足够电导率的情况下，形成第一金属膜fe和/或第二金属膜6a 可以补偿不足的电导率。第一金属膜fe例如形成在第一光学层2和第一透明导电膜5之间的界面、形成在第一透明导电膜5和第二光学层3之间的界面、或者形成在这两个界面。层叠结构不限于两层结构，并且可以采用通过将第一透明导电膜5和第一金属膜如彼此组合而堆叠三个以上的层的层叠结构。例如，可以采用堆叠两个第一透明导电膜5并且其间夹有第一金属膜 5a的层叠结构。第二金属膜6a例如形成在第一光学层2和第二透明导电膜6之间的界面、形成在第二透明导电膜6和第三光学层4之间的界面、或者形成在这两个界面。层叠结构不限于两层结构，并且可以采用通过将第二透明导电膜6和第二金属膜6a彼此组合而堆叠三个以上的层的层叠结构。例如，可以采用堆叠两个第二透明导电膜6并且其间夹有第二金属膜 6a的层叠结构。对于第一金属膜fe和第二金属膜6a的厚度没有特别限制，并且例如，为大约为几纳米。由于第一金属膜如和第二金属膜6a具有高电导率，因此可以以几纳米的厚度实现足够的表面电阻。这样的几纳米的厚度几乎不会产生诸如由第一金属膜fe和第二金属膜 6a引起的吸收和反射的光学效果。第一金属膜fe和第二金属膜6a优选由具有高电导率的金属材料构成。这样的材料是选自Ag、Al、Cu、Ti、Au、Pt和Nb的组中的至少一种材料。 在这些材料中，就高电导率和使用结果而言^g是优选的。可以仅使用第一金属膜如和第二金属膜6a实现足够的表面电阻。然而，如果第一金属膜fe和第二金属膜6a过薄，则它们具有岛状结构，这使得其难以确保连续性。在该情况下，岛状的第一金属膜如优选通过第一透明导电膜5彼此电连接，并且岛状的第二金属膜6a优选通过第二透明导电膜6彼此电连接。(修改例3)图19A至图19D是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的修改例的处理图。图20A至图20C是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的修改例的处理图。(原盘制作步骤)如图19A所示，以与第一实施方式相同的方式制作辊型原盘101。(第三光学层形成步骤)如图19B所示，例如，在基体4b的一个主面上涂覆转印材料106 ；通过按压辊型原盘101同时用紫外线等照射转印材料106使其固化；并且将基体4b从辊型原盘101剥离。 因此，如图19C所示，在基体4b的主面上形成大量的作为凸起的第一结构体如。(涂布步骤)如图19D所示，例如，在第三光学层4的第三波面Sow3上涂覆导电涂料6m。(固化步骤)如图20A所示，例如，将第一光学层2置于导电涂料6m上，然后将导电涂料6m固化。(涂布步骤)如图20B所示，例如，在第一光学层2的第一波面Sowl上涂覆导电涂料5m。(固化步骤) 如图20C所示，例如，将第二光学层3置于导电涂料5m上，然后将导电涂料5m固化。通过上述步骤，获得了期望的导电元件11。(修改例4)图21A至图21D是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的修改例的处理图。图22A和图22B是用于描述根据本发明第一实施方式的导电元件的制造方法的修改例的处理图。首先，例如，通过将辊型原盘等的凹凸形状转印到转印材料上，形成了具有波面 Sow3的第三光学层4。然后在第三光学层4的波面Sow3上形成第二透明导电膜6。接着，例如，通过将辊型原盘等的凹凸形状转印到转印材料上，形成了具有波面 Sow2的第二光学层3。然后在第二光学层3的波面Sow2上形成第一透明导电膜5。如图22A所示，例如，在第二透明导电膜6的平面表面Sp2上形成由紫外线固化树脂或粘合剂构成的层压层107。如图22B所示，第二光学层3上形成的第一透明导电膜5和第三光学层4上形成的第二透明导电膜6彼此结合，并且其间夹有层压层107。通过上述步骤，获得了期望的导电元件11。<2.第二实施方式>[导电元件的结构体]图23A是示出根据本发明第二实施方式的导电元件的第一光学层的实例的示意性平面图。图2 是图23A所示的导电元件的部分的放大平面图。图23C是沿图23B的轨道T1、T3、…截取的截面图。图23D是沿图23Β的轨道Τ2、Τ4、…截取的截面图。根据第二实施方式的导电元件11与第一实施方式的导电元件的不同在于，在相邻的三行轨道中，第一结构体加配置成四方点阵或类四方点阵图样。在该实施方式中，术语“类四方点阵图样”表示不同于规则的四方点阵图样的、在轨道延伸方向(X方向)上拉伸或变形的四方点阵图样。第一结构体加的高度或深度没有特别限制，并且为例如大约IOOnm至^Onm。在与轨道方向成(大约)45度的方向上的配置间距p2为例如大约200nm至300nm。第一结构体加的纵横比(高度/配置间距)为例如大约0. 54至1. 13。所有第一结构体加的纵横比不必都相同，并且第一结构体加可以配置为使得具有一定的高度分布。当假设同一轨道上的第一结构体加的配置间距为Pl并且假设相邻的两个轨道之间的第一结构体加的配置间距为p2时，配置间距pi优选大于配置间距p2。比率pl/p2优选满足1. 4 < pl/p2 ( 1. 5的关系。通过将比率pl/p2设置在该范围内，可以增大椭圆锥形或椭圆台形的第一结构体加的充填率，因此可以提高防反射特性。与轨道方向成45度或大约45度的方向上的第一结构体加的高度或深度优选小于轨道延伸方向的第一结构体加的高度或深度。 与轨道延伸方向对角的配置方向(Θ方向)上第一结构体加的高度H2优选小于轨道延伸方向上第一结构体加的高度HI。即，第一结构体加的高度Hl和H2优选满足Hl >H2的关系。当第一结构体加配置为使得形成四方点阵图样或类四方点阵图样时，第一结构体加的高度H限定为轨道延伸方向(轨道方向)上的第一结构体加的高度。基体表面上的第一结构体加的充填率(最大100%)为65%以上，优选为73%以上，并且更优选为86%以上。通过将充填率设置在该范围内，可以提高防反射特性。尺寸2r与配置间距pi的比率((2r/pl) X 100)为64%以上，优选为69%以上，并且更优选为73%以上。通过将比率设置在该范围内，增大了第一结构体加的充填率并且可以提高防反射特性。这里，配置间距Pl是轨道方向上第一结构体加的配置间距，尺寸2r 是轨道方向上每个结构体的底面的尺寸。在每个结构体的底面都是圆形的情况下，尺寸2r 是直径。在每个结构体的底面都是椭圆形的情况下，尺寸2r是长轴。<3.第三实施方式>图24A是示出根据第三实施方式的导电元件的第一光学层的实例的示意性平面图。图24B是图24A所示的第一光学层的部分的放大平面图。在第三实施方式中，与第一实施方式中的部分相对应的部分用相同的参考标号表示。根据第三实施方式的导电元件与第一实施方式的导电元件的不同在于，在基体表面上形成了具有两种以上尺寸和/或形状的大量结构体2a。具有两种以上尺寸和/或形状的第一结构体加例如配置为使得具有相同尺寸和/或形状的第一结构体加以重复的方式周期性地在轨道方向等上配置。具有相同尺寸和/或形状的结构体加可以配置为随机地出现在基体的表面上。这里，已经描述了第一结构体加具有两种以上尺寸和/或形状的情况。然而，还可以形成每个都具有两种以上尺寸和/或形状的第二结构体3a、第三结构体 4a以及第四结构体2b。不是所有第一结构体2a、第二结构体3a、第三结构体如以及第四结构体2b都必须具有两种以上尺寸和/或形状。根据所期望的光学性质，其中的至少之一可以具有两种以上尺寸和/或形状。<4.第四实施方式〉图25A是示出了根据本发明第四实施方式的导电元件的第一光学层的实例的示意性平面图。图25B是图25A示出的第一光学层的部分的放大平面图。图25C是沿图25B 所示的线XXVC-XXVC截取的截面图。在第四实施方式中，与第一实施方式的部分相对应的部分用相同的参考标号表示。根据第四实施方式的导电元件与第一实施方式的导电元件的不同在于，大量第一结构体加随机地配置。配置在基体表面上的第一结构体加不必具有相同尺寸和/或形状， 并且可以具有两种以上不同尺寸和/或形状。优选地，第一结构体加是随机地二维或三维形成的。术语“第一结构体加随机地二维形成”表示它们随机地在导电元件11或第一光学层2的面内方向上形成。术语“第一结构体加随机地三维形成”表示它们随机地在导电
23元件11或第一光学层2的面内方向上形成并且还在导电元件11或第一光学层2的厚度方向上形成。这里，已经描述了第一结构体加随机形成的情况。然而，第二结构体3a、第三结构体如以及第四结构体2b也可以随机地形成。并不是所有第一结构体2a、第二结构体 3a、第三结构体如以及第四结构体2b都必须随机形成。其中的至少之一可以根据期望的光学性质而随机地形成。<5.第五实施方式>图26A是示出根据本发明第五实施方式的触摸板的结构实例的截面图。图26B是图26A所示的触摸板的部分的放大截面图。在第五实施方式中，与第一实施方式中的部分相对应的部分用相同的参考标号表示。根据第五实施方式的触摸板(信息输入装置)200 是所谓的表面电容型触摸板并且包括导电元件201。触摸板200例如结合至显示装置12的显示表面，其间夹有由粘合剂等构成的层压层206。包括光学层202和透明导电膜203的导电元件201形成在光学层202中。透明导电膜203优选具有第一波面Swl和第二波面Sw2。即，光学层202优选包括具有第一波面Sowl的第一光学层204和具有第二波面Sow2的第二光学层205。这是因为可以抑制光学层202中的界面反射。第二光学层205是主要由诸如SiO2的电介质构成的介电层。透明导电膜203例如形成在第一光学层204的大致整个第一波面Sowl上。透明导电膜203可以由与第一实施方式中的第一透明导电膜5相同的材料构成。<6.第六实施方式>图27是示出根据本发明第六实施方式的触摸板的结构实例的截面图。在第六实施方式中，与第五实施方式中的部分相对应的部分用相同的参考标号表示。触摸板(信息输入装置)300是所谓的数字电阻式触摸板，并且包括第一导电元件301和面向第一导电元件301的第二导电元件302。第一导电元件301和第二导电元件302设置为在其间具有一定厚度的空气层(介质层)303。第一导电元件301和第二导电元件302彼此结合，并在其外围之间设置有层压件304。粘合浆、粘合带等可以用作层压件304。为了改善耐划性，触摸板300优选在要触摸的第一导电元件301的表面上还包括硬涂层305。优选赋予硬涂层 305的表面防污性质。为了改善显示特性，触摸板300优选在硬涂层305上还包括防反射层307。防反射层307的实例包括防反射(AR)层、低反射(LR)层以及防眩光(AG)层。赋予触摸板的表面防反射性质的结构不限于此。例如，可以赋予硬涂层305本身防反射性质。 触摸板300例如结合到显示装置12的显示表面，其间夹有层压层306。层压层306可以由丙烯酸酯类、橡胶类或硅类粘合剂构成。就透明性而言，丙烯酸酯类粘合剂是优选的。第一导电元件301包括具有面向第二导电元件302的第一相对面S5的第一基体 (第一光学层)311和形成在第一基体311的相对面S5上的第一透明导电膜312。第二导电元件302包括具有面向第一导电元件301的相对面S6的第二基体(第二光学层)321和形成在第二基体321的相对面S6上的第二透明导电膜322。第一透明导电膜312是例如具有诸如条纹图样的特定图样的X电极(第一电极)。 第二透明导电膜322是例如具有诸如条纹图样的特定图样的Y电极(第二电极)。X电极和Y电极例如设置为彼此垂直。第一透明导电膜312具有第一表面Sl和第二表面S2。第一表面Sl和第二表面S2优选是波长小于等于可见光波长的波面。第二透明导电膜322具有第一表面Sl和第二表面S2。第一表面Sl和第二表面S2优选是波长小于等于可见光波长的波面。由于第一透明导电膜312或第二透明导电膜322的波面与第一实施方式中的波面相同，因此省略描述。<7.第七实施方式〉图28A是示出根据本发明第七实施方式的触摸板的结构实例的截面图。图28B是示出根据本发明第七实施方式的第一导电元件的实例的截面图。图28C是示出根据本发明第七实施方式的第二导电元件的实例的截面图。在第七实施方式中，与第六实施方式中的部分相对应的部分用相同的参考标号表示。触摸板(信息输入装置)350是所谓的模拟电阻型触摸板，并且包括第一导电元件 331和面向第一导电元件331的第二导电元件341。第一导电元件331和第二导电元件341 设置为其间具有一定厚度的空气层(介质层)303。可以在导电元件341上设置点间隔件 (dot spacer) 0第一导电元件331和第二导电元件341彼此结合，它们的外围之间设置有层压件304。第一导电元件331和第二导电元件341含有例如选自导电高分子、金属纳米粒子以及碳纳米管的组中的至少一种导电材料。第一导电元件331具有第一表面Sl和第二表面S2，优选其中至少一个是波面。第二导电元件341具有第一表面Sl和第二表面S2，优选其中至少一个是波面。第一导电元件331或第二导电元件341的波面是例如波长小于等于可见光波长的波面。特别地，波面与第一实施方式的波面相同。图28B示出了在第一导电元件331中，面向第二导电元件341的第一表面Sl是波面Swl的情况。图28C示出了在第二导电元件341中，面向第一导电元件331的第二表面 S2是波面Sw2的情况。现在将参照图29A至图29D描述第一导电元件331的制造方法的实例。这里，第二导电元件341可以以与第一导电元件331相同的方式制造，因此省略描述。如图29A所示，例如，以与第一实施方式相同的方式制作原盘360。如图29B所示， 优选在原盘360的处理面上形成诸如金属膜或氧化膜的薄膜361，以改善脱模性能。如图 29C所示，将导电涂料362涂覆于原盘360的处理面，然后进行固化。随后，将固化的导电涂料362从原盘360剥离。因此，如图29D所示，获得了具有波面Swl的第一导电元件331。<8.第八实施方式>图30是示出根据本发明第八实施方式的显示装置的结构实例的截面图。在第八实施方式中，与第六实施方式中的部分相对应的部分用相同的参考标号表示。显示装置400 是所谓的电泳式电子纸，并且包括第一导电元件401、设置为面向第一导电元件401的第二导电元件402、以及设置在导电元件401和402之间的微胶囊层(介质层)403。这里，将描述将本发明应用于电泳式电子纸的实例，但是电子纸不限于该实例。只要介质层设置在彼此面对的导电元件之间，就可以应用本发明。除了液体和固体，介质还包括诸如空气的气体。介质还包含胶囊、染料、粒子等。除了电泳式电子纸，可以应用本发明的电子纸的实例还包括捻球型电子纸、热敏可擦写电子纸、色粉显示型电子纸、平面电泳式电子纸、以及电子粉末和颗粒型电子纸。胶囊层403包含大量微胶囊431。在微胶囊中，封装了例如分布有黑粒子和白粒子的透明液体(分散介质)。第一导电元件401包括具有面向第二导电元件402的第一相对面S5的第一基体(第一光学层)311和形成在第一基体311的相对面S5上的第一透明导电膜411。第一基体311可以可选地结合至由玻璃等构成的支撑件413，并且其间夹有由粘合剂等构成的层压层412。第二导电元件402包括具有面向第一导电元件401的相对面S6的第二基体(第二光学层)321以及形成在第二基体321的相对面S6上的第二透明导电膜421。第一透明导电膜411具有第一表面Sl和第二表面S2。第二透明导电膜421具有第一表面Sl和第二表面S2。第一表面Sl和第二表面S2优选是波长小于等于可见光波长的波面。由于第一透明导电膜411或第二透明导电膜421的波面与第一实施方式的波面相同，因此省略描述。第一透明导电膜411和第二透明导电膜421根据电子纸400的驱动方法形成为预定电极图样。驱动方法的实例包括简单矩阵驱动方法、有源矩阵驱动方法、以及分段驱动方法。实施例现在将基于实施例具体地描述本发明，但是不限于此。(平均高度H、平均配置间距P以及平均纵横比)在下文中，如下确定导电片的结构体的平均高度H、平均配置间距P以及平均纵横比(H/P)。首先，切割导电片，使得截面包括结构体的顶部。然后用透射电子显微镜(TEM)观察该截面。从获得的TEM显微照片，确定结构体的配置间距P和高度H。在从导电片随机选择的十个位置重复执行该测量。将测量值简单地平均(算术平均)以确定平均配置间距P 和平均高度H。然后使用平均配置间距P和平均高度H确定平均纵横比(H/P)。(ΙΤ0膜的平均厚度)在下文中，如下确定ITO膜的厚度。首先，切割导电片，使得截面包括结构体的顶部。然后用透射电子显微镜(TEM)观察该截面。从获得的TEM显微照片，测量对应于结构体的顶部的位置处的ITO膜的厚度。在从导电片随机选择的十个位置重复执行该测量。将测量值简单地平均(算术平均)以确定平均厚度。(平均波长λ、平均峰间振幅A以及平均比率(Α/λ))在下文中，如下确定第一波面和第二波面的平均波长λ、第一波面的平均峰间振幅Α、第二波面的平均峰间振幅B、以及平均比率(Α/λ)和平均比率(Β/λ)。首先，单向切割导电片，使得截面包括ITO膜的第一波面或第二波面的峰间振幅最大化的位置。然后用透射电子显微镜(TEM)观察该截面。从获得的TEM显微照片，确定第一波面或第二波面的波长λ、第一波面的峰间振幅A以及第二波面的峰间振幅B。在从ITO膜随机选择的十个位置重复执行该测量。随后，将测量的第一波面和第二波面的波长λ、测量的第一波面的峰间振幅A以及测量的第二波面的峰间振幅B简单地平均(算术平均)，以分别确定第一波面和第二波面的平均波长λ、第一波面的平均峰间振幅A以及第二波面的平均峰间振幅B。 使用平均波长λ、平均峰间振幅Α、平均峰间振幅B确定平均比率(Α/λ)和平均比率(B/ λ)0(实施例1)制备具有126mm的外径的玻璃辊型原盘，并且如下在玻璃辊型原盘的表面上形成抗蚀剂层。即，用稀释剂将光致抗蚀剂稀释十倍，并且通过使用浸涂将稀释的光致抗蚀剂涂覆到玻璃辊型原盘的圆柱表面上，形成厚度大约为70nm的抗蚀剂层。随后，将用作记录介质的玻璃辊型原盘传送到图13所示的辊型原盘曝光装置。通过使抗蚀剂层曝光，在抗蚀剂层中图样化了螺旋延伸并在三行相邻轨道中具有六方点阵图样的潜像。具体地，用功率为0. 50mff/m的可以执行对玻璃辊型原盘表面的曝光的激光束照射将形成六方点阵曝光图样的区域，以形成凹状六方点阵曝光图样。列方向上的抗蚀剂层的厚度大约为60nm，并且轨道延伸方向上的抗蚀剂层的厚度大约为50nm。然后，形成在玻璃辊型原盘上的抗蚀剂层进行显影处理，以溶解在曝光区域中形成的抗蚀剂层。具体地，将未显影的玻璃辊型原盘放置在显影机的转台(未示出)上，并且在玻璃辊型原盘与转台一起转动的同时将显影剂滴到玻璃辊型原盘的表面上，以使表面上形成的抗蚀剂层显影。因此，获得了抗蚀剂层以六方点阵图样开口的抗蚀剂玻璃原盘。然后，使用辊蚀刻机在CHF3气氛中执行等离子体蚀刻。因此，在玻璃辊型原盘的表面上，只有具有从抗蚀剂层露出的六方点阵图样的区域被蚀刻，而其他区域因为抗蚀剂层用作掩模而未被蚀刻。因此，在玻璃辊型原盘中形成了具有椭圆锥形的凹陷。这里，通过蚀刻时间调节蚀刻的量(深度)。最后，通过O2灰化完全去除抗蚀剂层，获得具有凹状六方点阵图样的蛾眼玻璃辊型原盘。列方向上的凹陷深度大于轨道延伸方向上的凹陷深度。上述蛾眼玻璃辊型原盘和涂覆紫外线固化树脂的三醋酸纤维素(TAC)片彼此紧密接触。然后将TAC片在用紫外线照射并固化时从蛾眼玻璃辊型原盘剥离。因此，获得了具有配置在其一个主面上的多个下述结构体的光学片。结构体的形状椭圆锥台形平均高度 H:170nm平均配置间距P :270nm平均纵横比0.63通过在光学片上涂覆PED0T/PSS分散水溶液并干燥光学片，获得了在结构体上形成有平均厚度为IOym的PED0T/PSS层的光学片。随后，制备两个光学片并且将UV固化树脂夹于光学片的导电层之间。用紫外线照射光学片以固化UV固化树脂。因此，光学片彼此
纟口口。通过上述步骤，获得了期望的导电片。评价如上所述制造的导电片的光学性质。从而，确认通过目视检查没有观察到波纹，并且实现了满意的透明度。
此外，使用导电片的端部评价导电性。从而，确认实现了低电阻率。(实施例2)除了通过调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件使得以下结构体形成在TAC片上之外， 通过与实施例1相同的方法制造导电片。结构体的形状椭圆锥形平均高度 H:150nm平均配置间距P :250nm平均纵横比(H/P)0. 63通过在光学片上涂覆分散有Ag纳米粒子的乙醇溶液并干燥光学片，获得了在结构体上形成有平均厚度为3 μ m的細层的光学片。随后，制备两个光学片并且将UV固化树脂夹于光学片的导电层之间。用紫外线照射光学片以固化UV固化树脂。因此，光学片彼此结合。通过上述步骤，获得了期望的导电片。评价如上所述制造的导电片的光学性质。从而，确认通过目视检查没有观察到波纹，并且实现了满意的透明度。此外，使用导电片的端部评价导电性。从而，确认实现了低电阻率。(实施例3)除了通过调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件使得以下结构体形成在TAC片上之外， 通过与实施例1相同的方法制造导电片。结构体的形状椭圆锥台形平均高度H:120nm平均配置间距P :250nm平均纵横比(H/P)0. 48通过在光学片上涂覆分散有ITO纳米粒子的乙醇溶液并干燥光学片，获得了在结构体上形成有3μπι厚度的ITO层(导电层)的光学片。随后，制备两个光学片并且将UV 固化树脂夹在光学片的导电层之间。用紫外线照射光学片以固化UV固化树脂。因此，光学片彼此结合。通过上述步骤，获得了期望的导电片。评价如上所述制造的导电片的光学性质。从而，确认通过目视检查没有观察到波纹，并且实现了满意的透明度。此外，使用导电片的端部评价导电性。从而，确认实现了低电阻率。(实施例4)除了通过调整曝光步骤和蚀刻步骤的条件使得以下结构体形成在TAC片上之外， 通过与实施例1相同的方法制造导电片。结构体的形状椭圆锥形平均高度 H:360nm平均配置间距P :300nm平均纵横比(H/P) :1.2通过在光学片上涂覆PED0T/PSS分散水溶液并干燥光学片，获得了在结构体上形成有平均厚度为IOym的PED0T/PSS层的光学片。随后，制备两个光学片并且将UV固化树脂夹于光学片的导电层之间。用紫外线照射光学片以固化UV固化树脂。因此，光学片彼此结合。通过上述步骤，获得了期望的导电片。评价如上所述制造的导电片的光学性质。从而，确认使用红外相机没有观察到干扰图样等，并且在使用的波长范围内实现了满意的透明度。此外，使用导电片的端部评价导电性。从而，确认实现了低电阻率。将按以下顺序描述本发明的参考例和比较例。1.通过模拟检查反射特性2.通过样本制造检查反射特性
3.通过样本制造检查电阻特性<1.通过模拟检查反射特性〉(参考例1-1)通过严格耦合波分析(RCWA)模拟确定导电元件的反射率的波长依赖性。图31示出了结果。以下示出了模拟的条件。(导电元件的层叠结构)(出射表面侧)树脂层/蛾眼结构体/ITO膜/树脂层(入射表面侧)(树脂层)折射率η :1. 52(ΙΤ0 膜)厚度 d :20nm折射率η :2.0第一波面的截面形状通过周期性地重复抛物线获得的形状第一波面的波长λ :400nm第一波面的峰间振幅A :20nm第一波面的峰间振幅A与波长λ的比率(Α/ λ ) :0. 05第二波面的截面形状通过周期性地重复抛物线获得的形状第二波面的波长λ :400nm第二波面的峰间振幅B :20nm第二波面的峰间振幅B与波长λ的比率(B/ λ ) :0. 05在参考例1-1中，第一波面的截面形状是当单向切割导电元件使得截面包括ITO 膜的第一波面的峰间振幅最大化的位置时获得的截面形状。第二波面的截面形状是当单向切割导电元件使得截面包括ITO膜的第二波面的峰间振幅最大化的位置时获得的截面形状。(蛾眼结构体)结构体的形状抛物面形配置图样六方点阵图样结构体之间的配置间距P :400nm结构体的高度H :20nm纵横比(H/P):0. 05折射率η :1. 52(树脂层)折射率η :1. 52(参考例1-2)除了将模拟条件变为以下模拟条件之外，通过执行与参考例1-1相同的模拟来确定反射率的波长依赖性。图31示出了结果。(蛾眼结构体)结构体的高度H :40nm
纵横比(H/P)0. 1(ΙΤ0 膜)第一和第二波面的峰间振幅40nm比率(Α/λ )和比率(B/ λ) :0. 1(参考例1-3)除了将模拟条件变为以下模拟条件之外，通过执行与参考例1-1相同的模拟来确定反射率的波长依赖性。图31示出了结果。(蛾眼结构体)结构体的高度H :70nm纵横比(H/P)0. 175(ΙΤ0 膜)第一和第二波面的峰间振幅70nm比率(Α/λ )和比率(B/ λ ) :0. 175(比较例1)除了不在树脂层上形成结构体从而提供平面表面并且在平面表面上形成ITO膜之外，通过在与参考例1-1相同的条件下执行模拟来确定反射率的波长依赖性。图31示出了结果。从图31可以获知以下内容。当在表面中形成高度为40nm(纵横比为0. 1)以下的结构体时，可以获得与不在表面中形成结构体的情况基本上相同的光谱。当结构体的高度为40nm(纵横比为0. 1)以上时，在可见区域050歷至650nm)中反射率的变化量AR可以减小到AR< 1%。换言之，在可见区域中反射率基本上不变。(参考例2-1)通过RCWA模拟确定导电元件的反射率的波长依赖性。图32示出了结果。以下示出了模拟的条件。(导电元件的层叠结构体)(出射表面侧)树脂层/蛾眼结构体/ITO膜/树脂层(入射表面侧)(树脂层)折射率η :1. 52(ΙΤ0 膜)厚度 d: IOnm折射率η :2.0第一波面的截面结构体通过周期性地重复抛物线获得的形状第一波面的波长λ :250nm第一波面的峰间振幅A :150nm第一波面的峰间振幅A与波长λ的比率(Α/ λ) 0.6第二波面的截面形状通过周期性地重复抛物线获得的形状第二波面的波长λ :250nm第二波面的峰间振幅B :150nm
第二波面的峰间振幅B与波长λ的比率(B/ λ) 0.6(蛾眼结构体)结构体的形状抛物面形配置图样六方点阵图样配置间距P:250nm结构体的高度H :150nm纵横比(Η/Ρ):0.6折射率η :1. 52(树脂层)折射率η :1.52(参考例2-2)除了将ITO膜的厚度d变为30nm之外，通过在与参考例2-1相同的条件下执行模拟确定反射率的波长依赖性。图32示出了结果。(参考例2-3)除了将ITO膜的厚度d变为50nm之外，通过在与参考例2-1相同的条件下执行模拟确定反射率的波长依赖性。图32示出了结果。(比较例2)除了不在树脂层上形成结构体从而提供平面表面并且在平面表面上形成ITO膜之外，通过在与参考例2-1相同的条件下执行模拟来确定反射率的波长依赖性。图32示出
了结果。从图32可以获知以下内容。当ITO膜的厚度在IOnm至50nm的范围内时，在可见区域中实现了足够的防反射特性。具体地，在可见区域G50nm至750nm)中反射率可以减小到1.5%以下。相比于ITO膜夹在树脂层的平面表面之间的情况，通过将ITO膜夹在树脂层的凹凸表面之间，可以显著减小反射率。特别地，可以减小可见区域的较短波长侧的反射率。(参考例3-1)
通过RCWA模拟确定导电元件的反射率的波长依赖性。图33示出了结果。
以下示出了模拟的条件。
(导电元件的层叠结构)
树脂层/蛾眼结构体/ITO膜/空气
(树脂层)
折射率η :1.52
(蛾眼结构体)
结构体的形状抛物面形
配置图样六方点阵图样
配置间距P :250nm
结构体的高度H:120nm
纵横比(H/P) 0. 48
折射率η :1.52
(ΙΤ0 膜)厚度 d :20nm折射率η :2.0第一波面的截面形状通过周期性的重复抛物线获得的形状第一波面的波长λ :250nm第一波面的峰间振幅A :120nm第一波面的峰间振幅A与波长λ的比率(Α/ λ ) :0. 48第二波面的截面形状通过周期性的重复抛物线获得的形状第二波面的波长λ :250nm第二波面的峰间振幅B :120nm第二波面的峰间振幅B与波长λ的比率(B/ λ ) :0. 48(参考例3-2)除了将ITO膜的厚度d变为30nm之外，通过在与参考例3-1相同的条件下执行模拟确定反射率的波长依赖性。图33示出了结果。(比较例3)除了将ITO膜的厚度d变为Onm之外，通过在与参考例3-1相同的条件下执行模拟确定反射率的波长依赖性。图33示出了结果。从图33可以获知以下内容。当在树脂层的表面中形成大量结构体时，在大约450nm至700nm的波长，ITO膜形成在结构体上的情况和ITO膜不形成在结构体上的情况之间的反射率的差异趋于变小。 因此，可以抑制具有ITO膜的电极图样的区域和不具有电极图样的区域之间的反射率的差异。换言之，可以抑制数字电阻型触摸板等的配线图样的可见性。(参考例20-1)通过模拟来确定导电元件的反射率的波长依赖性。图34示出了结果。以下示出了模拟的条件。(导电元件的层叠结构)基体/ITO膜/介质(基体)基体玻璃基体形成的表面平面表面折射率η :1.5(ΙΤ0 膜)厚度 d :20nm折射率η :2.0(介质)介质的类型空气(参考例20-2)除了将ITO膜的厚度变为40nm之外，通过在与参考例20-1相同的条件下执行模拟确定反射率的波长依赖性。图34示出了结果。
(参考例20-3)除了将ITO膜的厚度变为60nm之外，通过在与参考例20_1相同的条件下执行模拟确定反射率的波长依赖性。图34示出了结果。(参考例 20-4)除了将ITO膜的厚度变为Onm之外，通过在与参考例20_1相同的条件下执行模拟确定反射率的波长依赖性。图34示出了结果。从图34可以获知以下内容。当不在基体的表面中形成蛾眼结构体并且在基体的平面表面上形成ITO膜时，相比于不在基体的平面表面上形成ITO膜的情况，反射率趋于增大。反射率增大的程度趋于与ITO膜的厚度成比率。<2.通过样本制造检查反射特性>(参考例4-1)制备外径为U6nm的玻璃辊型原盘，并且如下在玻璃辊型原盘的表面上形成抗蚀剂层。即，用稀释剂将光致抗蚀剂稀释十倍，并且通过使用浸涂将稀释的光致抗蚀剂涂覆到玻璃辊型原盘的圆柱表面上，形成厚度大约为70nm的抗蚀剂层。随后，将用作记录介质的玻璃辊型原盘传送到图13示出的辊型原盘曝光装置。通过使抗蚀剂层曝光，在抗蚀剂层中图样化了螺旋延伸并在三行相邻轨道中具有六方点阵图样的潜像。具体地，用功率为0. 50mff/m的可以执行对玻璃辊型原盘表面的曝光的激光束照射将形成六方点阵曝光图样的区域，以形成凹状六方点阵曝光图样。在列方向上的抗蚀剂层的厚度大约为60nm，而在轨道延伸方向上的抗蚀剂层的厚度大约为50nm。然后，形成在玻璃辊型原盘上的抗蚀剂层进行显影处理，以溶解曝光区域中形成的抗蚀剂层。具体地，将未显影的玻璃辊型原盘放置在显影机的转台(未示出)上，并且在玻璃辊型原盘与转台一起转动的同时将显影剂滴到玻璃辊型原盘的表面上，以使表面上形成的抗蚀剂层显影。因此，获得了抗蚀剂层以六方点阵图样开口的抗蚀剂玻璃原盘。然后，使用辊蚀刻机在CHF3气氛中执行等离子体蚀刻。因此，在玻璃辊型原盘的表面上，只有具有从抗蚀剂层露出的六方点阵图样的区域被蚀刻，而其他区域因为抗蚀剂层用作掩模而未被蚀刻。因此，在玻璃辊型原盘中形成了具有椭圆锥形的凹陷。这里，通过蚀刻时间调节蚀刻的量(深度)。最后，通过O2灰化完全去除抗蚀剂层，获得了具有凹状六方点阵图样的蛾眼玻璃辊型原盘。列方向上的凹陷深度大于轨道延伸方向上的凹陷深度。上述蛾眼玻璃辊型原盘和涂覆紫外线固化树脂的三醋酸纤维素(TAC)片彼此紧密接触。然后在TAC片用紫外线照射并固化时将其从蛾眼玻璃辊型原盘剥离。因此，获得了在一个主面上配置有多个结构体的光学片。随后，通过在已经形成了大量结构体的TAC片的整个表面上溅射，形成了平均厚度为30nm的ITO膜。然后将另一 TAC片附着到ITO膜，并且将粘合剂夹在其间。关于如上所述获得的光学片的结构体，平均配置间距P为270nm，平均高度H为 170nm，并且平均纵横比为0.63。关于ITO膜，波长λ为270nm，第一波面的峰间振幅A为 170nm，第二波面的峰间振幅B为170nm至180nm，比率(Α/λ )为0. 63，并且比率(B/λ )为 0. 63 至 0. 67。通过上述处理，制造了期望的导电片。
(参考例4-2)除了将ITO膜的厚度变为20nm之外，通过与参考例4_1相同的方法制造导电片。(比较例4-1)除了没有形成ITO膜之外，通过与参考例4-1相同的方法制造光学片。(比较例4-2)除了省略了通过涂覆紫外线固化树脂形成结构体的步骤、以及在TAC片的平面表面上直接形成ITO膜之外，通过与参考例4-1相同的方法制造导电片。(表面电阻的评价)通过四端子方法测量如上所述制造的导电片和光学片的表面电阻。表1示出了结(光谱反射特性的评价)通过如下方法测量如上所述制造的导电片和光学片的光谱反射特性。将黑胶带 (black tape)附着到已经形成有大量结构体或ITO膜的TAC片的背面。随后，使用JASCO 公司的评价装置(V-550)来确定当光入射到与黑胶带所附着的表面相反侧的表面时，所获得的导电片的光谱反射特性。图35示出了结果。
权利要求
1. 一种透明导电元件，包括导电层，具有第一表面和第二表面；以及介质层，形成在所述第一表面和所述第二表面中的至少一个上，其中，所述第一表面和所述第二表面中的至少一个是波长小于等于可见光波长的波所述波面的平均峰间振幅Am与平均波长λ m的比率Am/ λ m为1. 8以下，以及所述导电层的平均厚度Dm大于所述波面的平均峰间振幅Am。
2.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述第一表面和所述第二表面分别是均具有小于等于可见光波长的波长的第一波面和第二波面。
3.根据权利要求2所述的透明导电元件，其中，所述第一波面的平均峰间振幅与所述第二波面的平均峰间振幅不同。
4.根据权利要求2所述的透明导电元件，其中，所述第一波面的平均峰间振幅大于所述第二波面的平均峰间振幅。
5.根据权利要求2所述的透明导电元件，其中，所述第一波面的平均峰间振幅Aml与平均波长Aml的比率Aml/λ ml为1. 8以下，以及所述第二波面的平均峰间振幅Am2与平均波长λ m2的比率Am2/ λ m2为1. 8以下。
6.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述导电层的表面电阻为1000Ω / □以下。
7.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述导电层含有选自由导电高分子、金属纳米粒子以及碳纳米管组成的组中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述导电层含有透明氧化物半导体。
9.根据权利要求1所述的透明导电元件，还包括形成为与所述导电层相邻的金属层。
10.根据权利要求2所述的透明导电元件，其中，所述第一波面和所述第二波面的位置关系彼此不同步。
11.根据权利要求2所述的透明导电元件，其中，所述第一波面和所述第二波面的位置关系彼此同步。
12.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述介质层对于具有400nm以上 SOOnm以下的波长的可见光的透射率为20%以上。
13.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述介质层具有与所述波面形成界面的凹凸表面，所述凹凸表面由以小于等于所述可见光波长的间距配置的大量结构体形成，以及所述结构体的平均纵横比为1. 8以下。
14.根据权利要求1所述的透明导电元件， 其中，所述介质层包括第一介质层，形成在所述第一表面上；以及第二介质层，形成在所述第二表面上，所述第一介质层和所述第二介质层中的至少一个具有与所述波面形成界面的凹凸表所述凹凸表面由以小于等于所述可见光波长的间距配置的大量结构体形成，以及所述结构体的平均纵横比为1. 8以下。
15.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述导电层是铟锡氧化物膜。
16.根据权利要求1所述的透明导电元件，其中，所述介质层是空气层。
17.一种信息输入装置，包括根据权利要求1至16中任一项所述的透明导电元件。
18.—种显示装置，包括根据权利要求1至16中任一项所述的透明导电元件。
全文摘要
本发明提供了透明导电元件、信息输入装置以及显示装置，该透明导电元件包括具有第一表面和第二表面的导电层以及形成在第一表面和第二表面中的至少一个上的介质层。在透明导电元件中，第一表面和第二表面中的至少一个是具有小于等于可见光波长的波长的波面；波面的平均峰间振幅Am与平均波长λm的比率(Am/λm)为1.8以下；并且导电层的平均厚度Dm大于波面的平均峰间振幅Am。
文档编号G06F3/041GK102236462SQ20111010129
公开日2011年11月9日 申请日期2011年4月21日 优先权日2010年4月28日
发明者林部和弥, 梶谷俊一, 田泽洋志, 远藤惣铭 申请人:索尼公司