批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法
【专利摘要】本发明批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，涉及半导体器件的测试，步骤是：第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标；第二步，建立二维参数显示空间；第三步，建立三维参数显示空间；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化。本发明方法采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件参数测试中重合数据点的数量，克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。
【专利说明】批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法
【技术领域】
[0001]本发明的技术方案涉及半导体器件的测试，具体地说是批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法。
【背景技术】
[0002]半导体器件在生产过程以及使用之前要求对半导体器件测试，以确定半导体器件参数。由于生产与制造半导体器件工艺仪器及设备精度提高、工艺过程的规范化及半导体器件批量化生产，在对一批制造的半导体器件参数测试中，存在批量的一个甚至几个参数测试结果相同的半导体器件，即存在批量半导体器件参数测试重合数据点。对这些参数测试结果相同的批量半导体器件的显示，即对批量半导体器件参数测试重合数据点的显示十分重要。计算机工程(29 (13)，2003 (8):79-81)报道了可视化大量空间数据方法，用显示屏中未被使用的像素点代替重叠的数据点，将重叠的数据点放置在最近的未被使用的像素点以及沿着屏幕填充曲线移动的解决方案，在基于曲线的算法中根据某条屏幕填充曲线计算得到数据点的新位置，并满足与数据点原始位置最为靠近。该采用显示屏最近的未被使用像素点的显示空间数据方法中，由于显示点占据围成紧密区域的面积与数量成正比，使用像素点多少表明重合数据点的数量，而造成显示区域点的密度不变，显示屏中每个方向近邻未被使用的像素点会相同几率均匀地被占用，重合数据点展开后在显示屏中各个方向相同几率的被使用，但是半导体器件中每个参数测试数据点的间距不同，同时采用不被使用像素会受到显示像素点限制，没有考虑到半导体器件参数测试三维重合数据点的显示。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是:提供批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件参数测试中重合数据点的数量，克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。
[0004]本发明解决该技术问题所采用的技术方案是:批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，步骤如下:
[0005]第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标:
[0006]以批量半导体器件的测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数大小为纵坐标，显示该批量半导体器件各个参数数据；
[0007]第二步，建立二维参数显示空间:
[0008]用任意两个参数组合二维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在该二维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭圆，椭圆两个轴的长度分别为这两个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭圆范围内加入均匀随机分布分开存在的半导体器件参数测试的重合数据点，利用该二维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；
[0009]第三步，建立三维参数显示空间:
[0010]用任意三个参数组合三维空间显示半导体器件参数测试数据点，在三维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为参数
1、参数II和参数III三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭球范围内加入均匀随机分布分开存在的重合数据点，该三维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；
[0011]第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化:
[0012]转动三维参数空间重合数据点的显示，实现三维参数空间不同方位的观察结果，当转动观察轴分别与参数1、参数II和参数III相同方向时实现三维参数空间向二维参数空间的投影，在计算机的显示屏上显示批量半导体器件参数测试中减少的参数测试重合数据点数量的变化；
[0013]上述步骤中的每个重合数据点随机展开及显示过程被作为程序保存在计算机存储设备中，并且由操作计算机来完成的。
[0014]上述批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，每个重合数据点随机展开及显示过程程序的流程如下:
[0015]相同工艺和测试条件下将批量半导体器件参数测试数据点存入数组A并显示一以半导体器件参数的测试数据点之间最小测试间距二分之一为椭圆轴和椭球轴的长度绘制二维椭圆以及三维椭球一B(I) = A(I),计数m = I — m = m+1 — A(m)与数组B中数
据点相同？ I分别在包含重合数据点二维椭圆以及三维椭球范围内产生随机数据点取代A(m)—返回A(m)与数组B中数据点相同吗？ ；^B(m) = A(m)—已经检测数组A中所有数据点？為返回m = m+1 ;為晟示数组B中数据点。
[0016]本发明的有益效果是:与现有技术相比，本发明方法的突出的实质性特点是:现有技术中使用显示屏中最近未被使用像素点的多少代表批量半导体器件参数测试的重合数据点的数量，受到像素点数量的限制。本发明方法采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件测试中重合数据点的数量，椭圆以及椭球每个轴的长度与该方向半导体器件参数的测试数据点之间的最小间距相关，保持椭圆中心之间以及椭球中心之间与原来数据点相同的距离，充分利用显示空间，显示批量半导体器件参数测试的重合数据点不受到显示屏的像素数量的限制，并且更为直观。
[0017]与现有技术相比，本发明方法的显著进步如下:
[0018](I)本发明方法克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。
[0019](2)弥补了现有技术中没有专门用于批量半导体器件参数测试重合数据点可视化显示的欠缺。
[0020](3)相比现有技术中计算机及半导体参数分析软件的半导体参数分析方法和半导体参数自动化测试方法，本 发明方法能够直观地显示出批量半导体器件参数测试重合数据点。
[0021]本发明的突出的实质性特点和显著进步在下面的实施例中得以进一步证实。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
[0023]图1为本发明方法步骤流程示意图。
[0024]图2为本发明方法中每个重合数据点随机展开及显示过程程序的流程示意图。
[0025]图3为本发明方法实施例中的批量半导体三极管的基极开路集电极-发射极反向电流测试的数据分布图。
[0026]图4为本发明方法实施例中的批量半导体三极管的共发射极直流电流增益i3d。测试的数据分布图。
[0027]图5为本发明方法实施例中的批量半导体三极管的基极开路集电极-发射极击穿电压Vratl测试的数据分布图。
[0028]图6为批量半导体三极管和β dc 二维参数空间中原始测试的数据点显示图。
[0029]图7为二维椭圆范围展开批量半导体三极管1_和i3d。重合数据点的分开显示图。
[0030]图8为批量半导体三极管和Vratl 二维参数空间中原始的数据点显示图。
[0031]图9为二维椭圆范围展开批量半导体I.和Vratl重合数据点的分开显示图。
[0032]图10为批量半导体三极管β dc和Vceci 二维参数空间中原始的数据点显示图。
[0033]图11为二维椭圆范围展开批量半导体三极β dc和Vratl重合数据点的分开显示图。
[0034]图12为二维椭圆范围展开批量半导体三极管和β dc重合数据点缩小显示范围增加显示比例完整702以及部分701和703的效果图。
[0035]图13为批量半导体三极管1_、β dc和Vceci三维参数空间中原始的数据点显示图。
[0036]图14为椭球范围内展开批量半导体三极管ICEQ、β dc和Vceq三维参数空间中重合数据点的分开显示图。
[0037]图15为椭球范围内展开批量半导体三极管I.、β dc和Vratl重合数据点的缩小显示范围增加显示比例对应1401和1404放大显示的效果图。
[0038]图16为半导体三极管I.、β dc和Vceci三维参数空间椭球范围展开批量的重合数据点显示转动后向和Pd。二维参数空间投影显示图。
[0039]图17为半导体三极管I.、β dc和Vceci三维参数空间椭球范围展开批量的重合数据点显示转动后向和Vratl 二维参数空间投影显示图。
[0040]图18为半导体三极管I.、β dc和Vceci三维参数空间椭球范围展开批量的重合数据点显示转动后向βdc和Vratl二维参数空间投影显示图。
[0041]图中，601.1咖和Pd。在二维参数空间显示的第一个重合数据点，602.1咖和Pdc二维参数空间显示第二个重合数据点，603.1.和Pd。二维参数空间显示第三个重合数据点，604.1.和i3d。二维参数空间显示第四个重合数据点，701.1ceci和Pd。二维参数空间下重合数据点601的分开显示，702.1ceo和β dc 二维参数空间下重合数据点602的分开显示，703.1ceo和β dc 二维参数空间下重合数据点603的分开显示，704.1ceo和β dc 二维参数空间下重合数据点604的分开显示，801.1.和Vratl 二维参数空间显示第一个重合数据点，802.1ratl和Vceo 二维参数空间显示第二个重合数据点，803.1ceo和Vceci 二维参数空间显示第三个重合数据点，804.1ceo和Vceci 二维参数空间显示第四个重合数据点，805.1ceo和Vceci 二维参数空间显示第五个重合数据点，901.1ceo和Vratl 二维参数空间下重合数据点801的分开显示，902.1ceo和Vceci 二维参数空间下重合数据点802的分开显示，903.1ceo和Vratl 二维参数空间下重合数据点803的分开显示，904.1ratl和Vratl 二维参数空间下重合数据点804的分开显示，905.1ceo和VCEO 二维参数空间下重合数据点805的分开显示，1001.β dc和Vratl 二维参数空间显示第一个重合数据点，1002.Pd。和Vratl 二维参数空间显示第二个重合数据点，1003.Pdc^PVratl二维参数空间显示第三个重合数据点，1004.β dc和Vceci 二维参数空间显示第四个重合数据点，1005.β d。和Vratl 二维参数空间显示第五个重合数据点，1006.β d。和Vratl 二维参数空间显示第六个重合数据点，1101.β d。和Vratl二维参数空间下重合数据点1001的分开显示，1102.β dc和V.二维参数空间下重合数据点1002的分开显示，1103.β dc和Vceci 二维参数空间下重合数据点1003的分开显示，1104.β dc和Vratl 二维参数空间下重合数据点1004的分开显示，1105.β dc和Vceci 二维参数空间下重合数据点1005的分开显示，1106.β dc和Vceci 二维参数空间下重合数据点1006的分开显示，1201.1ceo和β dc 二维参数空间701部分的放大显示，1202.1ceo和β dc 二维参数空间702的放大显示，1203.1ceo和β dc 二维参数空间703部分的放大显示，1301.1ceo, β dc和Vcw三维参数空间显示第一个重合数据点，1302.1ceo, β dc和Vceci三维参数空间显示第二个重合数据点，1303.1.、β dc和Vceci三维参数空间显示第三个重合数据点，1304.1ceo, β dc和Vceci三维参数空间显示第四个重合数据点，1305.1ceo, β dc和Vceci三维参数空间显示第五个重合数据点，1306.1.、β dc和Vceci三维参数空间显示第六个重合数据点，1307.1ceo, β dc和Vratl三维参数空间显示第七个重合数据点，1308.1ceo, β dc和Vceci三维参数空间显示第八个重合数据点，1401.三维参数空间下重合数据点1301的分开显示，1402.三维参数空间下重合数据点1302的分开显示，1403.三维参数空间下重合数据点1303的分开显示，1404.三维参数空间下重合数据点1304的分开显示，1405.三维参数空间下重合数据点1305的分开显示，1406.三维参数空间下重合数据点1306的分开显示，1407.三维参数空间下重合数据点1307的分开显示，1408.三维参数空间下重合数据点1308的分开显示，1501.三维参数空间显示点1401放大显示，1502.三维参数空间显示点1404放大显示，1601.三维参数空间显示点1401和1402向I和Pd。二维参数空间投影点，1602.三维参数空间显示点1403、1404和1405向I咖和β d。二维参数空间投影点，1603.三维参数空间显示点1406向Ira(!和β d。二维参数空间投影点，1604.三维参数空间显示点1407和1408向Iceq和β d。二维参数空间投影点，1701.三维参数空间显示点1403向Iceq和Vceq 二维参数空间投影点，1702.三维参数空间显示点1401、1404和1406向I咖和Vratl 二维参数空间投影点，1703.三维参数空间显示点1402和1405向Iceci和Vceci 二维参数空间投影点，1704.三维参数空间显示点1407向Iratl和Vceci 二维参数空间投影点，1705.三维参数空间显示点1408向Iceq和Vceq 二维参数空间投影点，1801.三维参数空间显示点1406向β dc和Vceci 二维参数空间投影点，1802.三维参数空间显示点1403向β d。和Vceci 二维参数空间投影点，1803.三维参数空间显示点1404和1407向β d。和Vceci 二维参数空间投影点，1804.三维参数空间显示点1405和1408.向Pd。和Vceci 二维参数空间投影点，1805.三维参数空间显示点1401向Pd。和Vceq 二维参数空间投影点，1806.三维参数空间显示点1402向β dc和Vceci 二维参数空间投影点。
[0042]图中坐标单位的中文含义是，A为相同工艺和测试条件下将批量半导体器件参数测试数据存入的数组，A(Hi)为数组A的第m个数据点，在二维参数显示空间第m个数据点A(m)包含两个参数的测试数据，在三维参数显示空间第m个数据点A(m)包含三个参数的测试数据，A(I)为数组A的第一个数据点，B为相同工艺和测试条件下将批量半导体器件参数测试数据加入均匀随机分布分开存在的重合数据点的数组，B(m)为数组B的第m个数据点，在二维参数显示空间每个数据点B(m)包含两个参数的测试数据,在三维参数显示空间每个数据点B(m)包含三个参数的测试数据，B(I)为数组B的第一个数据点，Iceo为批量半导体三极管参数测试中的基极开路集电极-发射极反向电流，μΑ是电流单位，Pd。为批量半导体三极管参数测试中的共发射极直流电流增益，β dc是一个比值无量纲单位，Vceo为批量半导体三极管参数测试中的基极开路集电极-发射极击穿电压，V为电压单位。
【具体实施方式】
[0043]图1所示实施例表明，批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法的步骤如下:
[0044]第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标:
[0045]以批量半导体器件的测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数大小为纵坐标，显示该批量半导体器件各个参数数据。
[0046]由于制造半导体工艺设备的精度提高，在同一个芯片中可以制造出成千上万个半导体器件，制造这些半导体器件整个工艺相同，因此会出现同批次的半导体器件一个参数、两个参数甚至三个参数测试结果相同。同批次的半导体器件测试数据中，少量的测试半导体器件重合数据点较少，随着测试同批次半导体器件的数量增加，相同测试结果的半导体器件数量也在增加，在分析同批次半导体器件重合数据点中首先按照测试器件标号显示每一个测试参数结果，可以观察同批次半导体器件各个参数的测试结果分布区域，为下一步显示两个参数构成的二维参数空间以及三个参数构成的三维参数空间准备数据。
[0047]第二步，建立二维参数显示空间:
[0048]用任意两个参数组合二维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在该二维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭圆，椭圆两个轴的长度分别为参数1、参数II和参数III中任意两个参数组合构成二维参数显示空间中测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭圆范围内加入均匀随机分布分开存在的半导体器件参数测试的重合数据点，利用该二维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度。参数1、参数II和参数III中任意两个参数组合构成二维参数显示空间有参数I和参数II构成的二维参数显示空间、参数I和参数III构成的二维参数显示空间以及参数II和参数III构成的二维参数显示空间。
[0049]以测试半导体器件标号为横坐标选择任意一个测试参数为纵坐标能够表示出单一参数的测试分布情况，但是不能反映出两个参数批量半导体器件数据之间的关系，在使用半导体器件中会涉及到选择两个参数相同半导体器件以满足电路的需要，这里选择半导体器件的任意两个参数组成二维显示空间，在已经显示原始测试结果基础上，首先选择两个参数显示批量测试半导体器件的原始重合数据点，然后在二维参数空间中以半导体器件原始测试参数数据点为中心绘制椭圆，椭圆两个轴的长度分别为两个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在各个椭圆范围之内，原来重合数据点加均匀随机分开，其中保持重合数据点中第一个数据点不变，对于二维参数显示空间中没有重合数据点，只绘制出椭圆和原始的数据点，均匀随机分布分开重合数据点过程被省略。
[0050]由于二维参数空间中可以显示不重合及重合半导体器件的数据点，每一个测试数据点为中心，并限定了相同大小椭圆区域内显示，即显示的面积相同，对于重合数量多的数据点，需要显示的数据点数量多，因此在显示椭圆范围中显示点的密度大，符合参数相同而重合数据点多相应的密度大的要求，二维参数显示空间中半导体器件测试重合数据点在各自椭圆内展开，实现各个重合数据点分开，如果由于显示屏像素点数量的限制一些数据点显示仍然重合或者接连在一起，缩小显示范围增加显示比例，在需要显示局部区域内使用的像素点数量变多，解决数据点已经分开而由于显示像素点数量限制造成重合显示，可以克服直接采用不被使用像素受到显示像素点数量限制的缺陷。
[0051]第三步，建立三维参数显示空间:
[0052]用任意三个参数组合三维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在三维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为参数1、参数II和参数III三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭球范围内加入均匀随机分布分开存在的重合数据点，该三维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度。
[0053]在显示二维参数空间后，采用三维参数空间显示半导体器件测试参数重合数据点，首先选择三个参数显示批量测试半导体器件的原始重合数据点，然后在三维参数空间中以每一个原始重合数据点为中心绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，并在此椭球范围内对半导体器件测试重合数据点加均匀随机分布，实现相同椭球空间体积内重合数据点转化成多点显示，对于三维空间中没有重合数据点，只绘制出椭球和原始的测试数据点，不使用均匀随机分布展开重合数据点，最终通过密度大小反映出数据点的重合程度。三维空间下半导体器件测试重合数据点在各自椭球内展开，实现各个重合数据点的分开，如果由于显示中一些数据点显示仍然重合或者接连在一起，可以缩小显示范围增加显示比例，显示局部区域使用的像素点数量变多，解决数据点已经分开而由于显示像素点数量限制造成重合显示。
[0054]第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化:
[0055]转动三维参数空间重合数据点的显示，实现三维参数空间不同方位的观察结果，当转动观察轴分别与参数1、参数II和参数III相同方向时实现三维参数空间向二维参数空间的投影，在计算机的显示屏上显示批量半导体器件参数测试中减少的参数测试重合数据点数量的变化。
[0056]上述步骤中的每个重合数据点随机展开及显示过程被作为程序保存在计算机存储设备中，并且由操作计算机来完成的；上述步骤中的每个重合数据点随机展开的显示是采用显示器来完成的。
[0057]图2所示实施例表明，本发明方法中的每个重合数据点随机展开及显示过程程序的流程如下:
[0058]相同工艺和测试条件下将批量半导体器件参数测试数据点存入数组A并显示一以半导体器件参数的测试数据点之间最小测试间距二分之一为椭圆轴和椭球轴的长度绘制二维椭圆以及三维椭球一B(I) = A(I),计数m = I — m = m+1 — A(m)与数组B中数据点相同？ ^分别在包含重合数据点二维椭圆以及三维椭球范围内产生随机数据点取代A(m)—返回A(m)与数组B中数据点相同吗？ ； ^B(m) = A(m)—已经检测数组A中所有数据点？ ^返回m = m+1 ;显示数组B中数据点。
[0059]下面的所有实施例中，参数I为批量半导体三极管参数测试中的基极开路集电极-发射极反向电流参数，参数II为批量半导体三极管参数测试中的共发射极直流电流增益β dc参数，参数III为批量半导体三极管参数测试中的基极开路集电极-发射极击穿电压Vcki参数。
[0060]图3所示实施例表明，以批量半导体三极管的50个测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数I的大小为纵坐标，显示该批量半导体三极管各个参数I的数据。
[0061]批量半导体三极管需要显示参数I的数据分布，该批量半导体三极管参数I的典型值为0.1 μ Α，采用数据中，大部分半导体三极管的参数I比较集中，但是也存在4个参数I为0.12 μ A的半导体三极管。
[0062]图4所示实施例表明，以批量半导体三极管的50个测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数II的大小为纵坐标，显示该批量半导体三极管各个参数II的数据。
[0063]批量半导体三极管需要显示参数II的数据分布，该批量半导体三极管参数II的典型值为308，但也存在参数II为309和307数值的半导体三极管。
[0064]图5所示实施例表明，以批量半导体三极管的50个测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数III的大小为纵坐标，显示该批量半导体三极管各个参数III的数据。
[0065]批量半导体三极管需要显示参数III的数据分布，该批量半导体三极管参数III的典型值为70V，同样也有参数III为69V和71V的半导体三极管，但其数量相比参数III为典型值70V的半导体三极管少。
[0066]图6实施例表明，以I.为横坐标，以β d。为纵坐标，显示批量半导体三极管测试的原始的数据点。
[0067]采用了半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间中批量半导体三极管重合数据点，显示四个重合数据点，表明参数I和参数II显示空间中只有四种半导体三极管，在二维参数空间下大量半导体三极管测试重合数据点混合在一起。图中，Iceci和Pd。在二维参数空间显示的第一个重合数据点601为批量半导体三极管参数I和参数II二维参数空间显示的第一个重合数据点，和Pd。二维参数空间显示第二个重合数据点602为批量半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间显示的第二个重合数据点，和i3d。二维参数空间显示第三个重合数据点603为批量半导体三极管参数I和参数II二维参数空间显示的第三个重合数据点，Iceci和Pd。二维参数空间显示第四个重合数据点604为批量半导体三极管参数I和参数II二维参数空间显示的第四个重合数据点。
[0068]图7实施例表明，以Icki为横坐标，以β d。为纵坐标，二维椭圆范围展开批量半导体三极管重合数据点的分开显示。
[0069]二维椭圆范围展开批量半导体三极管参数I和参数II重合数据点的显示，出现4个显示区域，表明了图6中每个重合数据点中包含批量半导体三极管参数I和参数II重合数据点的数量，采用二维椭圆范围展开批量半导体三极管参数I和参数II能够把重合数据点分开显示，并且显示出重合数据点密集程度。图中，I.和Pd。二维参数空间下重合数据点601的分开显示701为批量半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间下第一个重合数据点601的分开显示，I.和β dc 二维参数空间下重合数据点602的分开显示702为批量半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间下第二个重合数据点602的分开显示，I.和β dc 二维参数空间下重合数据点603的分开显示703为批量半导体三极管参数I和参数II二维参数空间下第三个重合数据点603的分开显示，Iceci和i3d。二维参数空间下重合数据点604的分开显示704为批量半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间下第四个重合数据点604的分开显不。
[0070]图8实施例表明，以I.为横坐标，以Vceci为纵坐标,显示批量半导体三极管测试原始的数据点。
[0071]采用了半导体三极管参数I和参数III二维参数空间中批量半导体三极管重合数据点，显示五个数据点，表明半导体三极管参数I和参数III显示空间中只有五种半导体三极管，在二维参数空间下大量半导体三极管测试重合数据点混合在一起。图中，I?和Vceq二维参数空间显示第一个重合数据点801为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间显示第一个重合数据点，I?和Vceci 二维参数空间显示第二个重合数据点802为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间显示第二个重合数据点，Icec^PVceci二维参数空间显示第三个重合数据点803为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间显示第三个重合数据点，I?和Vceci 二维参数空间显示第四个重合数据点804为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间显示第四个重合数据点，Icec^PVceci二维参数空间显示第五个重合数据点805为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间显示第五个重合数据点。
[0072]图9实施例表明，以Iratl为横坐标，以Vratl为纵坐标，二维椭圆范围展开批量半导体三极管重合数据点的分开显示。
[0073]二维椭圆范围展开批量半导体三极管参数I和参数III重合数据点的显示，出现五个显示区域，表明了图8中每个重合数据点中包含批量半导体三极管参数I和参数III基极开路集电极-发射极击穿电压Vratl重合数据点的数量，采用二维椭圆范围展开批量半导体三极管参数I和参数III基极开路集电极-发射极击穿电压Vratl能够把重合数据点分开显示，并且显示出重合数据点密集程度。图中，Iceci和Vceci 二维参数空间下重合数据点801的分开显示901为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间下第一个重合数据点801的分开显示，Iceo和Vratl 二维参数空间下重合数据点802的分开显示902为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间下第二个重合数据点802的分开显示，Iceo和Vratl 二维参数空间下重合数据点803的分开显示903为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间下第三个重合数据点803的分开显示，Iceo和Vratl 二维参数空间下重合数据点804的分开显示904为批量半导体三极管参数I和参数III二维参数空间下第四个重合数据点804的分开显示，Iceo和Vratl 二维参数空间下重合数据点805的分开显示905为批量半导体三极管参数
I和参数III二维参数空间下第五个重合数据点805的分开显示。
[0074]图10实施例表明，以i3d。为横坐标，以Vceci为纵坐标，显示批量半导体三极管测试原始的数据点。
[0075]采用了半导体三极管参数II和参数III 二维参数空间中批量半导体三极管重合数据点，显示六个数据点，表明半导体三极管参数II和参数III显示空间中只有六种半导体三极管，在二维参数空间下大量半导体三极管测试重合数据点混合在一起。图中，Pd。和Vceq二维参数空间显示第一个重合数据点1001为批量半导体三极管参数II和参数III 二维参数空间显示第一个重合数据点，β dc和Vceci 二维参数空间显示第二个重合数据点1002为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间显示第二个重合数据点，β dc和Vratl 二维参数空间显示第三个重合数据点1003为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间显示第三个重合数据点，β dc和V.二维参数空间显示第四个重合数据点1004为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间显示第四个重合数据点，β dc和Vceci 二维参数空间显示第五个重合数据点1005为参数II和参数III二维参数空间显示第五个重合数据点，i3d。和Vceq 二维参数空间显示第六个重合数据点1006为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间显示第六个重合数据点。
[0076]图11实例表明，以β d。为横坐标，以Vratl为纵坐标，二维椭圆范围展开批量半导体三极管重合数据点的分开显示。
[0077]二维椭圆范围展开批量半导体三极管参数II和参数III重合数据点的显示，出现六个显示区域，表明了图8中每个重合数据点中包含批量半导体三极管参数II和参数III重合数据点的数量，采用二维椭圆范围展开批量半导体三极管参数II和参数III能够把重合数据点分开显示，并且显示出重合数据点密集程度。图中，Pd。和Vratl 二维参数空间下重合数据点1001的分开显示1101为批量半导体三极管参数II和参数III 二维参数空间下第一个重合数据点1001的分开显示，β dc和Vratl 二维参数空间下重合数据点1002的分开显示1102为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间下第二个重合数据点1002的分开显示，β dc和Vratl 二维参数空间下重合数据点1003的分开显示1103为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间下第三个重合数据点1003的分开显示，β dc和Vceci 二维参数空间下重合数据点1004的分开显示1104为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间下第四个重合数据点1004的分开显示，β dc和Vceci 二维参数空间下重合数据点1005的分开显示1105为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间下第五个重合数据点1005的分开显示，β dc和Vratl 二维参数空间下重合数据点1006的分开显示1106为批量半导体三极管参数II和参数III二维参数空间下第六个重合数据点1006的分开显示。
[0078]图12实例表明，以Iceci为横坐标，以β d。为纵坐标，缩小显示范围增加显示比例完整702以及部分701和703的效果。
[0079]二维椭圆范围展开批量半导体三极管参数I和参数II重合数据点缩小显示范围增加显示比例显示完整702以及部分701和703的效果，说明通过放大能够将图7显示重合以及较近的数据点进一步分开。图中，Iceq和β dc 二维参数空间701部分的放大显示1201为批量半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间701部分的放大显示，和Pd。二维参数空间702的放大显示1202为批量半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间702的放大显示，Iceo和β dc 二维参数空间703部分的放大显示1203为批量半导体三极管参数I和参数II 二维参数空间703部分的放大显示。
[0080]图13实例表明，分别以1_、Pd。和Vratl为坐标轴三维参数空间中显示原始的数据点。
[0081]批量半导体三极管参数1、参数II和参数III数据的三维参数空间显示重合数据点，图中只能显示出7个数据点，在三维参数空间下大量半导体三极管测试重合数据点混合在一起。图中，ICE0> β dc和V?三维参数空间显示第一个重合数据点1301为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第一个重合数据点，I.、Pd。和Vratl三维参数空间显示第二个重合数据点1302为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第二个重合数据点，1_、Pd。和Vratl三维参数空间显示第三个重合数据点1303为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第三个重合数据点，ICEo> β dc和Vratl三维参数空间显示第四个重合数据点1304为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第四个重合数据点，1_、Pd。和Vratl三维参数空间显示第五个重合数据点1305为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第五个重合数据点，ICE0> β dc和V.三维参数空间显示第六个重合数据点1306为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第六个重合数据点，ICE0> β dc和Vratl三维参数空间显示第七个重合数据点1307为参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第七个重合数据点，Ick)、β d。和Vratl三维参数空间显示第八个重合数据点1308为参数1、参数II和参数III三维参数空间显示第八个重合数据点。
[0082]图14实例表明，分别以1_、Pd。和Vceci为坐标轴三维参数空间重合数据点的分开显不O
[0083]三维椭圆范围展开批量半导体三极管参数1、参数II和参数III重合数据点的显示，出现七个显示区域，表明采用三维椭圆范围展开批量半导体三极管参数1、参数II和参数III能够把重合数据点分开显示，并且显示出密集分布程度。图中，三维参数空间下重合数据点1301的分开显示1401为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间下第一个重合数据点1301的分开显示，三维参数空间下重合数据点1302的分开显示1402为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间下第二个重合数据点1302的分开显示，三维参数空间下重合数据点1303的分开显示1403为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间下第三个重合数据点1303的分开显示，三维参数空间下重合数据点1304的分开显示1404为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间下第四个重合数据点1304的分开显示，三维参数空间下重合数据点1305的分开显示1405为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间下第五个重合数据点1305的分开显示，三维参数空间下重合数据点1306的分开显示1406为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III二维参数空间下第六个重合数据点1306的分开显示，三维参数空间下重合数据点1307的分开显示1407为参数1、参数II和参数III二维参数空间下第七个重合数据点1307的分开显示,三维参数空间下重合数据点1308的分开显示1408为参数1、参数II和参数III二维参数空间下第八个重合数据点1308的分开显示。
[0084]图15实例表明，分别以ICE(1、Pd。和Vceci为坐标轴三维参数空间显示局部区域像素点对应1401和1404放大显示。
[0085]三维椭圆范围展开批量半导体三极管参数1、参数II和参数III重合数据点缩小显示范围增加显示比例1401和1404的显示效果，说明能够将图14显示重合以及较近的数据点进一步分开。图中，三维参数空间显示点1401放大显示1501为三维参数空间显示点1401放大显示,三维参数空间显示点1404放大显示1502为三维参数空间显示点1404放大显不O
[0086]图16实例表明，分别以1_、βdc和Vceci为坐标轴三维参数显示空间转动后向Iceq和i3d。二维参数空间投影显示。
[0087]椭球范围展开批量半导体三极管参数1、参数II和参数III重合数据点的三维参数空间显示转动后向参数I和参数II二维参数空间投影，即在参数III的方向观察，表明半导体三极管中重合数据点的变化。图中，三维参数空间显示点1401和1402向Iceci和β dc 二维参数空间投影点1601为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1401和1402向参数I和参数II二维参数空间投影点与701对应，三维参数空间显示点1403、1404和1405向I.和β d。二维参数空间投影点1602为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1403、1404和1405向参数I和参数II 二维参数空间投影点与702对应，三维参数空间显示点1406向Iceci和β dc 二维参数空间投影点1603为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1406向参数I和参数II二维参数空间投影点与703对应，三维参数空间显示点1407和1408向I.和β dc 二维参数空间投影点1604为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1407和1408向参数I和参数II 二维参数空间投影点与704对应。
[0088]图17实例表明，分别以1_、βdc和Vceci为坐标轴三维参数空间显示转动后向Iceq和Vceci 二维参数空间投影显示。
[0089]椭球范围展开批量半导体三极管参数1、参数II和参数III重合数据点的三维参数空间显示转动后向参数I和参数III二维参数空间投影，即在参数II方向观察，表明半导体三极管中重合数据点的变化。图中，三维参数空间显示点1403向Iceci和Vceci 二维参数空间投影点1701为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1403向参数I和参数III二维参数空间投影点与901对应，三维参数空间显示点1401、1404和1406向Iceo和Vratl 二维参数空间投影点1702为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1401、1404和1406向参数I和参数III二维参数空间投影点与902对应，三维参数空间显示点1402和1405向Iceci和Vratl 二维参数空间投影点1703为参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1402和1405向参数I和参数III二维参数空间投影点与903对应，三维参数空间显示点1407向I.和Vceci 二维参数空间投影点1704为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1407向参数I和参数III二维参数空间投影点与904对应，三维参数空间显示点1408向I.和Vceci 二维参数空间投影点1705为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1408向参数I和参数III二维参数空间投影点与905对应。
[0090]图18实例表明，分别以I.、βdc和Vratl为坐标轴三维参数显示转动后向β dc和Vceo 二维参数空间投影显示图。
[0091]椭球范围展开批量半导体三极管参数1、参数II和参数III重合数据点的三维参数空间显示转动后向参数II和参数III二维参数空间投影，即在参数I方向观察，表明半导体三极管中重合数据点的变化。图中，三维参数空间显示点1406向Pd。和Vceci 二维参数空间投影点1801为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1406向参数II和参数III二维参数空间投影点与1101对应，三维参数空间显示点1403向Pd。和V.二维参数空间投影点1802为批量半导体三极管批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1403向参数II和参数III二维参数空间投影点与1102对应,三维参数空间显示点1404和1407向β d。和Vceci 二维参数空间投影点1803为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1404和1407向参数II和参数III二维参数空间投影点与1103对应，三维参数空间显示点1405和1408.向β d。和Vceci 二维参数空间投影点1804为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1405和1408向参数II和参数III二维参数空间投影点与1104对应,三维参数空间显示点1401向β d。和Vceq二维参数空间投影点1805为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1401向参数II和参数III二维参数空间投影点与1105对应,三维参数空间显示点1402向。和Vceci 二维参数空间投影点1806为批量半导体三极管参数1、参数II和参数III三维参数空间显示点1402向参数II和参数III二维参数空间投影点与1106对应。
[0092]实施例
[0093]本实施例采用半导体三极管为典型的半导体器件，选择批量半导体器件参数测试中的三个参数:基极开路集电极-发射极反向电流为批量半导体三极管参数I (以下简称参数I )，共发射极直流电流增益Pd。为批量半导体三极管参数II (以下简称参数
II)，基极开路集电极-发射极击穿电压Vratl为批量半导体三极管参数III (以下简称参数III)，该批量测试中选择50个半导体三极管为相同批次。该批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，步骤如下:
[0094]第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标:
[0095]以批量半导体器件的测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数大小为纵坐标，显示该批量半导体器件各个参数数据。
[0096]由于半导体三极管是采用相同的工艺过程，同批次的半导体三极管中的三个参数相近，有些参数的数值相同，考虑到制造半导体三极管过程中会存在一定工艺条件和芯片的偏差，因此同批次的半导体三极管的参数的数值也会有一定差异。图3为批量半导体三极管需要显示参数I的数据分布，图4为批量半导体三极管需要显示参数II的数据分布，图5为批量半导体三极管需要显示参数III的数据分布。在图3、图4和图5可以看出半导体三极管作为典型半导体器件，具有很好的一致性，表现出一些半导体三极管中一个、两个甚至三个参数的数值重合，该批量半导体三极管参数I典型值为0.1 μ A，批量半导体三极管参数II典型值为308，批量半导体三极管参数III典型值为70V，同批次半导体三极管中三个参数也存在一定偏离的数据，下面分别在二维参数空间和三维参数空间显示重合数据点。
[0097]第二步，建立二维参数显示空间:
[0098]用任意两个参数组合二维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在该二维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭圆两个轴的长度分别为两个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭圆范围内加入均匀随机分布分开存在的半导体器件参数测试的重合数据点，在该二维参数空间中展开数据点密度，显示原始数据点的重合程度。
[0099]在选择批量半导体三极管中任意两个参数组成二维参数空间显示批量半导体三极管重合数据点，下面分别给出批量半导体三极管中参数I和参数II组成二维参数空间原始数据点显示和分开重合数据点显示(见上述图6所示实施例和图7所示实施例)、参数I和参数III组成二维参数空间原始数据点显示和分开重合数据点显示(见上述图8所示实施例和图9所示实施例)以及参数II和参数III组成二维参数空间原始数据点显示和分开重合数据点显示(见上述图10所示实施例和图11所示实施例)。
[0100]第三步，建立三维参数显示空间:
[0101]用任意三个参数组合三维空间显示半导体器件参数测试数据点，在三维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭球范围内加入均匀随机分布分开存在的重合数据点，在该三维参数空间中展开数据点密度，显示原始数据点的重合程度。详细的结果见上述图13所示实施例、图14所示实施例和图15所示实施例的描述。
[0102]第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化:
[0103]转动三维参数空间重合数据点的显示，实现三维参数空间不同方位的观察结果，当转动观察轴分别与参数1、参数II和参数III相同方向时实现三维参数空间向二维参数空间的投影，在计算机的显示屏上显示批量半导体器件参数测试中减少的参数测试重合数据点数量的变化。详细的结果见上述图16所示实施例、图17所示实施例和图18所示实施例的描述。
[0104]上述步骤中的每个重合数据点随机展开及显示过程被作为程序保存在计算机存储设备中，并且由操作计算机来完成的，该每个重合数据点随机展开及显示过程程序的流程见图2所示实施例。
[0105]上述步骤中的每个重合数据点随机展开的显示是采用显示器来完成的。
[0106]本实施例选择批量半导体三极管中基极开路集电极-发射极反向电流I.为批量半导体三极管参数1、共发射极直流电流增益。为批量半导体三极管参数II和为基极开路集电极-发射极击穿电压Vceci为批量半导体三极管参数III，这三个参数是半导体三极管中典型的参数，用这三个参数中二维参数空间及三维参数空间显示参数测试重合数据点，同样可以选用半导体三极管其它参数作为参数空间显示批量半导体三极管参数测试重合数据点的显示。
[0107]本实施例选择了 50个半导体三极管，同样可以选择其它数量的半导体三极管显示批量半导体器件参数测试重合数据点。
[0108]本实施例选择半导体三极管为相同批次验证显示重合数据点显示效果，同样也可以适用于选择其它批量半导体器件实现二维参数空间以及三维参数空间显示批量参数测试重合数据点的显示。
[0109]上述实施例中所涉及的计算机存储设备及显示器设备均为本【技术领域】所公知的，并通过商购获得。
【权利要求】
1.批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，其特征在于步骤如下: 第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标: 以批量半导体器件的测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数大小为纵坐标，显示该批量半导体器件各个参数数据； 第二步，建立二维参数显示空间: 用任意两个参数组合二维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在该二维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭圆，椭圆两个轴的长度分别为这两个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭圆范围内加入均匀随机分布分开存在的半导体器件参数测试的重合数据点，利用该二维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度； 第三步，建立三维参数显示空间: 用任意三个参数组合三维空间显示半导体器件参数测试数据点，在三维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为参数1、参数II和参数III三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭球范围内加入均匀随机分布分开存在的重合数据点，该三维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度； 第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化: 转动三维参数空间重合数据点的显示，实现三维参数空间不同方位的观察结果，当转动观察轴分别与参数1、参数II和参数III相同方向时实现三维参数空间向二维参数空间的投影，在计算机的显示屏上显示批量半导体器件参数测试中减少的参数测试重合数据点数量的变化； 上述步骤中的每个重合数据点随机展开及显示过程被作为程序保存在计算机存储设备中，并且由操作计算机来完成的。
2.根据权利要求1所述批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，其特征在于:每个重合数据点随机展开及显示过程程序的流程如下: 相同工艺和测试条件下将批量半导体器件参数测试数据点存入数组A并显示一以半导体器件参数的测试数据点之间最小测试间距二分之一为椭圆轴和椭球轴的长度绘制二维椭圆以及三维椭球一B(I) = A(I),计数m= I — m = m+1 — A(m)与数组B中数据点相同？^分别在包含重合数据点二维椭圆以及三维椭球范围内产生随机数据点取代A(m)—返回A(m)与数组B中数据点相同吗？=A(m)—已经检测数组A中所有数据点？ 返回m = m+1 ; 示数组B中数据点。
【文档编号】G06F17/50GK104008232SQ201410195474
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日
【发明者】赵红东, 张魁, 孙梅, 杨磊, 李志勇, 王洛欣 申请人:河北工业大学