一种ogs触摸屏的制作工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种OGS触摸屏的制作工艺，属触摸屏领域，解决了边框层不耐高温致使ITO导电膜质量较低的问题。一种OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面沉积TiCN或TiN并蚀刻形成金属边框层；在金属边框层上沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340℃-360℃的温度退火处理形成ITO导电膜并蚀刻电路；在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层并蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖一层保护层；进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；贴合显示屏。使用金属边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230℃的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。
【专利说明】一种OGS触摸屏的制作工艺
【技术领域】
[0001]本发明涉及触摸屏领域，特别是一种OGS触摸屏的制作工艺。
【背景技术】
[0002]目前OGS电容式触摸屏普遍采用的边框工艺为丝网印刷或BM光阻剂(与ITO层在同一面)，可以基本满足OGS触摸屏的使用要求，但无论是丝网印刷还是BM光阻剂都无法耐受高温，即温度不能高于230°C，即ITO膜层沉积时不能采用超过230°C的温度造成ITO膜层沉积质量较低，从产品的良品率不高。
【发明内容】
[0003]本发明所要达到的目的是提供一种OGS触摸屏的制作工艺，可使用超过230°C的温度沉积ITO导电膜层。
[0004]为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案:一种OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层，金属化合物为TiCN或TiN ;在金属边框层上沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340°C _360°C的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖一层保护层；进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。
[0005]进一步的，在玻璃基板的一面反应溅射沉积金属化合物时温度在280°C -320°C。
[0006]进一步的，所述消影膜的沉积镀膜温度为210°C _230°C。
[0007]进一步的，在OC绝缘层上沉积金属膜层的温度为215°C _225°C。
[0008]进一步的，所述保护层的材料为二氧化硅。
[0009]采用上述技术方案后，本发明具有如下优点:
[0010]使用金属边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230°C的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。
【具体实施方式】
[0011]一种OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板的一面使用300°C的温度(也可以是280°C、320°C或280°C -320°C中的其他取值)沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层，金属化合物为TiCN或TiN ;在金属边框层上使用220°C的温度(也可以是210°C、230°C或210°C _230°C中的其他取值)沉积一层五氧化二铌；在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用350°C的温度(也可以是340°C、360°C或340°C-360°C中的其他取值)的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路；在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘；在OC绝缘膜层上使用220°C的温度(也可以是215°C、225°C或215°C _225°C中的其他取值)沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路；在金属膜层上覆盖一层二氧化硅材质的保护层；进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。
[0012]使用金属边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230°C的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。
[0013]除上述优选实施例外，本发明还有其他的实施方式，本领域技术人员可以根据本发明作出各种改变和变形，只要不脱离本发明的精神，均应属于本发明所附权利要求所定义的范围。
【权利要求】
1.一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于:包括下述步骤， (A)在玻璃基板的一面沉积金属化合物，使用蚀刻工艺制作形成金属边框层，金属化合物为TiCN或TiN ； (B)在金属边框层上沉积一层五氧化二铌； (C)在五氧化二铌上覆盖一层二氧化硅与五氧化二铌共同构成消影膜； (D)在消影膜上溅射氧化铟锡并使用340°C_360°C的温度退火处理形成ITO导电膜，在ITO导电膜上蚀刻电路； (E)在ITO导电膜上覆盖OC绝缘层绝缘； (F)在OC绝缘膜层上沉积一层金属膜层，在金属膜层上蚀刻过桥和电路； (G)在金属膜层上覆盖一层保护层； (H)进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器； (I)使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层的一面制成OGS触摸屏。
2.根据权利要求1所述的一种OGS触摸屏的制作工艺,其特征在于:在玻璃基板的一面反应溅射沉积金属化合物时温度在280°C -320°C。
3.根据权利要求1任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于:所述消影膜的沉积镀膜温度为210°C -230°C。
4.根据权利要求1-3任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于:在OC绝缘层上沉积金属膜层的温度为215°C -225°C。
5.根据权利要求1-3任一所述的一种OGS触摸屏的制作工艺，其特征在于:所述保护层的材料为二氧化硅。
【文档编号】G06F3/044GK104035637SQ201410197204
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2014年5月9日 优先权日:2014年5月9日
【发明者】张吉 申请人:浙江金指科技有限公司