技术特征：
技术总结
本发明公开了一种忆阻器的Simulink模型建立方法，根据忆阻器的氧空位预设初始浓度，以及掺杂区的氧空位实时浓度与施加电压的关系，建立掺杂区的氧空位实时浓度模型；基于P型半导体电阻率定义，根据氧空位实时浓度模型，计算出掺杂区的实时电阻率；根据实时电阻率、非掺杂区电阻率以及忆阻器的参数，分别计算出掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻；根据掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻，建立忆阻器的亿阻值模型；基于亿阻值模型，建立simulink模型。本申请通过建立掺杂区实时氧空位浓度模型，计算掺杂区实时电阻率，再基于掺杂区实时电阻率建立更贴合实际的忆阻器模型，使得建立的忆阻器Simulink模型的准确率较高。
技术研发人员：卢智伟;董华锋;吴福根
受保护的技术使用者：广东工业大学
技术研发日：2017.06.14
技术公布日：2017.10.20