阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法

文档序号:8380584阅读:150来源:国知局
阵列基板、显示面板及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控显示技术领域,更为具体的说,涉及一种阵列基板、既包括该阵列基板的显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]触控显示的发展初始阶段,触控显示面板是由触控面板与显示面板贴合而成,以实现触控显示。需要单独制备触控面板与显示面板,成本高,厚度较大,且生产效率低。
[0003]随着自容式触控显示一体化技术的发展,可以将显示面板中阵列基板的公共电极层兼做自容式触控检测的触控电极层,通过分时驱动,分时序的进行触控控制与显示控制,可以同时实现触控与显示功能。这样,将触控电极直接集成在显示面板内,大大降低了制作成本,提高了生产效率,并降低了面板厚度。
[0004]当复用公共电极作为触控电极时,需要将公共电极层分割为多个独立的公共电极。同时,为了实现触控与显示的分时控制,每个触控电极通过单独的触控引线提供信号,通过触控引线,在触控时段为对应触控电极提供触控感测信号,在显示时段为对应触控电极提供显示驱动电压。但是,现有的自容式触控显示装置,其显示效果不佳。

【发明内容】

[0005]有鉴于此,本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,通过增加与像素电极具有绝缘交叠区域的辅助电极,且辅助电极与公共电极电连接,以增大存储电容,进而提高显示装置的显示效果高。
[0006]为实现上述目的,本发明实施例提供的技术方案如下:
[0007]一种阵列基板,包括:
[0008]多条栅极线和多条数据线,所述栅极线和数据线绝缘交叉限定出多个像素单元;
[0009]像素电极层,所述像素电极层包括多个像素电极,所述像素电极设置于所述像素单元内;
[0010]公共电极层,所述公共电极层包括多个公共电极,所述公共电极复用为触控电极;
[0011]以及,多个辅助电极,所述辅助电极与所述触控电极电连接,其中,所述辅助电极与所述像素电极设置于不同导电层,且所述辅助电极与至少一个像素电极具有交叠区域。
[0012]此外,本发明还提供了一种显示面板,包括上述的阵列基板。
[0013]最后,本发明还提供了一种显示装置,包括上述的显示面板。
[0014]相较于现有技术,本发明提供的技术方案至少具体以下优点:
[0015]本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,包括:多条栅极线和多条数据线,所述栅极线和数据线绝缘交叉限定出多个像素单元;像素电极层,所述像素电极层包括多个像素电极,所述像素电极设置于所述像素单元内;公共电极层,所述公共电极层包括多个公共电极,所述公共电极复用为触控电极;以及,多个辅助电极,所述辅助电极与所述触控电极电连接,其中,所述辅助电极与所述像素电极设置于不同导电层,且所述辅助电极与至少一个像素电极具有交叠区域。
[0016]由上述内容可知,本发明提供的技术方案,通过增加与像素电极具有交叠区域的辅助电极,并将辅助电极与公共电极电性连接,使得存储电容为辅助电极与像素电极之间的电容和公共电极与像素电极之间的电容之和,相较于现有技术而增大了存储电容,进而提高了显示装置的显示效果。
【附图说明】
[0017]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
[0018]图1为现有的一种阵列基板的触控结构示意图;
[0019]图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
[0020]图3为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图;
[0021]图4为图2中阵列基板沿aa’方向的一种剖面结构图;
[0022]图5为图2中阵列基板沿aa’方向的另一种剖面结构图;
[0023]图6为图2中阵列基板沿aa’方向的又一种剖面结构图;
[0024]图7为图2中阵列基板沿aa’方向的又一种剖面结构图;
[0025]图8为图2中阵列基板沿aa’方向的再一种剖面结构图;
[0026]图9为图2中阵列基板沿bb’方向的一种剖面结构图;
[0027]图10为图2中阵列基板沿bb’方向的另一种剖面结构图;
[0028]图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0029]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0030]正如【背景技术】所述,现有的自容式触控显示装置,其显示效果不佳。发明人研宄发现,造成这种问题的主要原因有像素电极与其对应的公共电极之间的存储电容小,导致显示效果不佳。
[0031]其中,参考图1所示,为现有的一种阵列基板的触控结构示意图,阵列基板的公共电极层被分割为多个相互独立的公共电极101,公共电极即复用为触控电极,每个触控电极101均通过各自对应的触控引线102连接至驱动电路1C,驱动电路IC输出触控感测信号并通过触控引线102传输至与其对应的触控电极101上。
[0032]基于此,本申请实施例提供了一种阵列基板,通过增加与像素电极绝缘交叠的辅助电极,并将辅助电极与相应公共电极电连接,以增大像素电极和其对应公共电极之间的存储电容,具体结合图2至图11所示,对本申请实施例提供的阵列基板进行详细的说明。
[0033]参考图2所示,为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图,需要说明的是,图2中以一个公共电极对应的结构进行说明的,另外,本申请实施例对于每个公共电极的形状、大小和对应像素单元的数量等均不做作具体限制,其中,阵列基板包括:
[0034]多条栅极线I和多条数据线2,栅极线I和数据线2绝缘交叉限定出多个像素单元;
[0035]像素电极层,像素电极层包括多个像素电极3,像素电极3设置于像素单元内;
[0036]公共电极层,公共电极层包括多个公共电极4,公共电极4复用为触控电极;
[0037]以及,多个辅助电极5,辅助电极5与触控电极4电连接,其中,辅助电极5与像素电极3设置于不同导电层,且辅助电极5与至少一个像素电极3具有交叠区域。
[0038]另外,像素单元分为透光区域10和环绕透光区域的遮蔽区域20,其中,像素电极3设置于像素单元的透光区域10、且延伸至遮蔽区域20。进一步的,为了避免辅助电极对阵列基板的开口率造成影响,辅助电极5位于遮蔽区域20;对此,本申请实施例不作具体限制,需要根据实际应用进行具体设计。
[0039]由上述内容可知,本发明提供的技术方案,通过增加与像素电极具有交叠区域的辅助电极,并将辅助电极与公共电极电性连接,使得存储电容为辅助电极与像素电极之间的电容和公共电极与像素电极之间的电容之和,相较于现有技术而增大了存储电容,进而提高了显示装置的显示效果。
[0040]本申请实施例提供的辅助电极需要与触控电极电性连接,以提高触控电极与其对应的像素电极之间的存储电容,由于辅助电极与触控电极未在同一导电层,因此优选的辅助电极与触控电极采用过孔方式实现电性连接(参考图2中过孔Via);另外,在本申请其他实施例中,辅助电极和触控电极还可以分别单独引线至阵列基板的边框区域连
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