芯片筛选方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明实施例涉及通信技术，尤其涉及一种芯片筛选方法和装置。
【背景技术】
[0002]电信级产品的生产物料百万分之不良率(Factory Defective Parts PerMill1n，简称:FDPPM)要求通常较高，如何改善出货质量和降低芯片的FDPPM是厂商提高盈利空间和客户满意度的首要问题。FDPPM偏高的其中一个主要原因是芯片的早期失效率(Early Failure Rate,简称:EFR)较大,在芯片量产测试中筛除可能导致潜在失效风险的芯片，是降低EFR的一个方法。比如在晶圆测试中被判为不良品芯片(Fail Die)的芯片，其周边的良品芯片(Pass Die)虽然能够符合晶圆测试规格，但这些良品芯片出现早期失效的几率比其他位置的良品芯片大，即潜在风险较大，如果将这些芯片筛选出来，将可以降低EFR。
[0003]目前的芯片筛选方法包括:一种是采用老化测试方法，将芯片处在高温高压条件下工作，使得半导体管子产生逻辑状态翻转，把性能较弱的芯片提早失效，从而降低产品的EFR0但老化测试是将芯片失效，实施成本高，并且老化测试周期长，一般在24小时以上，而且每个老化炉测试的芯片数量有限，量产规模大的芯片需要购买大量的老化炉，成本较高。另一种是人工筛选方法，是在得到晶圆测试数据后，对晶圆上大片失效区域周边的良品芯片进行人工剔除，以降低芯片失效风险。但人工筛选不仅占用大量人力，同样存在成本高的问题，而且人工指定存在不同人员、不同批次间指定的标准不一致，主观性大，可能存在过杀或者漏杀的问题，可靠性较低。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种芯片筛选方法和装置，目的是以较低的成本实现高可靠性的芯片筛选。
[0005]第一方面，提供一种芯片筛选方法，用于从多个芯片中筛选出潜在失效率大的芯片，包括:
[0006]计算待判定芯片的周边范围内的每个芯片的第一影响因数，并将所述周边范围内的各芯片的第一影响因数求和得到影响因数和；所述待判定芯片是晶圆测试中的其中一个良品芯片;
[0007]根据所述影响因数和，将所述周边范围内的每个芯片的第一影响因数归一化，得到每个芯片的第二影响因数；
[0008]将所述周边范围内的多个有效芯片的所述第二影响因数求和，得到所述待判定芯片的周边芯片相关因数NDCF ;每个所述有效芯片为真实存在且与所述待判定芯片不同的不良品芯片；
[0009]若所述待判定芯片的所述NDCF满足预设的筛选条件，则确定所述待判定芯片为潜在失效率大的芯片。
[0010]根据第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述计算所述待判定芯片的周边范围内的每个芯片的第一影响因数，包括:利用所述周边范围内的每个芯片的影响参数乘以所述每个芯片与所述待判定芯片的距离相关值，得到所述每个芯片的第一影响因数。
[0011]根据第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述每个芯片与所述待判定芯片的距离相关值为:每个芯片与所述待判定芯片的距离，或根据所述距离得到的值。
[0012]根据第一方面至第一方面的第二种可能的实现方式中的任一种，在第三种可能的实现方式中，所述周边范围内的全部芯片的影响参数相同。
[0013]根据第一方面至第一方面的第三种可能的实现方式中的任一种，在第四种可能的实现方式中，所述待判定芯片的所述NDCF满足预设的筛选条件包括:所述待判定芯片的所述NDCF大于或等于预设阈值。
[0014]第二方面，提供一种芯片筛选装置，用于从多个芯片中筛选出潜在失效率大的芯片，包括:
[0015]求和单元，用于计算待判定芯片的周边范围内的每个芯片的第一影响因数，并将所述周边范围内的各芯片的第一影响因数求和得到影响因数和；所述待判定芯片是晶圆测试中的其中一个良品芯片；
[0016]归一单元，用于根据所述影响因数和，将所述周边范围内的每个芯片的第一影响因数归一化，得到每个芯片的第二影响因数；
[0017]相关单元，用于将所述周边范围内的多个有效芯片的所述第二影响因数求和，得到所述待判定芯片的周边芯片相关因数NDCF ;每个所述有效芯片为真实存在且与所述待判定芯片不同的不良品芯片；
[0018]筛选单元，用于若所述待判定芯片的所述NDCF满足预设的筛选条件，则确定所述待判定芯片为潜在失效率大的芯片。
[0019]根据第二方面，在第一种可能的实现方式中，所述求和单元，在计算所述待判定芯片的周边范围内的每个芯片的第一影响因数时，具体用于:利用所述周边范围内的每个芯片的影响参数乘以所述每个芯片与所述待判定芯片的距离相关值，得到所述每个芯片的第一影响因数。
[0020]根据第二方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述求和单元使用的所述距离相关值为:每个芯片与所述待判定芯片的距离，或根据所述距离得到的值。
[0021]根据第二方面至第二方面的第二种可能的实现方式中的任一种，在第三种可能的实现方式中，所述周边范围内的全部芯片的影响参数相同。
[0022]根据第二方面至第二方面的第三种可能的实现方式中的任一种，在第四种可能的实现方式中，所述筛选单元使用的所述NDCF满足预设的筛选条件包括:所述待判定芯片的所述NDCF大于或等于预设阈值。
[0023]第三方面，提供一种芯片筛选装置，包括:
[0024]存储器，用于存储指令；
[0025]处理器，执行所述存储器中存储的指令，用于:
[0026]计算待判定芯片的周边范围内的每个芯片的第一影响因数，并将所述周边范围内的各芯片的第一影响因数求和得到影响因数和；所述待判定芯片是晶圆测试中的其中一个良品芯片;
[0027]根据所述影响因数和，将所述周边范围内的每个芯片的第一影响因数归一化，得到每个芯片的第二影响因数；
[0028]将所述周边范围内的多个有效芯片的所述第二影响因数求和，得到所述待判定芯片的周边芯片相关因数NDCF ;每个所述有效芯片为真实存在且与所述待判定芯片不同的不良品芯片；
[0029]若所述待判定芯片的所述NDCF满足预设的筛选条件，则确定所述待判定芯片为潜在失效率大的芯片。
[0030]本发明实施例提供的芯片筛选方法和装置，是以统计方法得到待判定芯片的NDCF,并根据该NDCF设定芯片筛选条件，满足预设的筛选条件的芯片即为要筛选出的潜在失效率大的芯片，这种方式相对于现有技术，仅通过概率统计方法就可以将潜在失效率大的芯片筛选出，不再需要老化测试或者人工筛选，降低了筛选成本；并且，各不同批次的芯片都可以按照该标准进行筛选，标准统一并且筛选标准也方便改动，可靠性较高。
【附图说明】
[0031]图1为本发明实施例的一种芯片筛选方法的流程示意图；
[0032]图2为本发明实施例的一种芯片筛选方法所应用的部分晶圆结构；
[0033]图3为本发明实施例的一种芯片筛选方法的周边芯片相关因数(Neighbor DieCorrelat1n Factor,简称:NDCF)计算流程图；
[0034]图4为本发明实施例的一种芯片筛选方法的测试结果图；
[0035]图5为本发明实施例的芯片筛选装置的结构示意图；
[0036]图6为本发明实施例的芯片筛选装置的实体结构示意图。
【具体实施方式】
[0037]本发明实施例所描述的芯片筛选方法，是一种数据统计和概率统计的方法，是根据晶圆测试(Wafer CP测试)得到的反映良品芯片情况的Wafer Map (晶圆映射)数据，对晶圆测试中得到的良品芯片(Pass Die)的周边范围芯片进行统计，以评估该良品芯片存在潜在失效的可能性。需要说明的是，在以下的实例描述中提及的“芯片”一词，如果是应用于晶圆(Wafer)的描述，实际上应该称为晶片“Die”，为了统一，全文都写为“芯片”。因此，所述芯片可以是晶圆或晶片等各类通过半导体加工工艺制作的半导体设备。在晶圆测试中，多个芯片被放置于一个平面或平台上，互相间隔一定的距离，各个芯片间距可以相等或不等。通过现有技术可以测定出其中的良品芯片和不良品芯片，进一步采用本实施例推荐的方法可以有效从多个良品芯片中筛选出潜在失效率大的芯片。
[0038]图1为本发明实施例的一种芯片筛选方法的流程示意图，如图1所示，该方法可以包括:
[0039]101、计算待判定芯片的周边范围内的每个芯片的第一影响因数，并将所述周边范围内的各芯片的第一影响因数求和得到影响因数和；
[0040]其中，待判定芯片是晶圆测试中的其中一个良品芯片。具体的，晶圆测试将判定晶圆上的每个芯片是良品芯片(Pass Die)还是不良品芯片(Fail