37厚度等优点，且对于成形的金属导电层36及37无需进行后续的处理步骤，有利于工艺步骤的简化。于一些实施例中，金属导电层36及37的材料可为相同或不同，且可选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钥、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。于一些实施例中，金属导电层36及37的厚度可介于0.lμm至20μm之间，且以介于0.1 μ m至2 μ m之间为较佳，并以介于0.1 μ m至0.5 μ m之间为更佳。
[0063]然后，如图5E及图6所示，于步骤S64中，移除光致抗蚀剂层33及移除未为该金属导电层36及37接触与连接的该籽晶层32的部分(即光致抗蚀剂层33原覆盖的该籽晶层32的部分)，以分别形成第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39。于一些实施例中，移除光致抗蚀剂层33的方式可依据光致抗蚀剂层33为湿膜光致抗蚀剂或干膜光致抗蚀剂而分别采用蚀刻方式或剥离方式实现。此外，移除未与金属导电层36及37接触与连接的籽晶层32的该部分的方式可采用蚀刻方式实现，且不以此为限。于本实施例中，所制作完成的第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39其线宽对应于第一沟槽图案34及第二沟槽图案35的该第一特定沟槽宽度W1及该第二特定沟槽宽度W2，换言之，第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39的线宽也可介于1 μ m至20 μ m之间，其中第一金属线路微结构38的线宽范围以介于1 μ m至5 μ m之间为较佳，且以3 μ m以下为更佳。由于第一金属线路微结构38的线宽可以第一沟槽图案34的第一特定沟槽宽度W1而控制于1 μ m至5 μ m之间，特别是可控制于3 μ m以下，因此可应用于触控面板的可视触控区域的金属线路(或金属网格)，使其更细微化，且可提升金属线路的透光率及不可视率。此外，第二金属线路微结构39的线宽也可控制介于Ιμπι至20μπ?之间，且以介于5μπ?至20μ??之间为较佳，因此可应用于触控面板的非触控区域的金属线路，换言之，可作为触控面板边缘区域的金属引线线路。此外，第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39的高度也可对应于第一沟槽图案34及第二沟槽图案35的深度而可介于0.1 μ m至20 μ m之间，藉此可依据阻抗值的要求而调整第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39的高度以控制所形成的金属线路的稳定性。
[0064]图7为本案第三较佳实施例的制法应用于形成一触控面板的金属线路的示意图。如图7所示，形成的第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39分别位于触控面板1的可视触控区域及非触控区域，其中可视触控区域的第一金属线路微结构38可控制于1 μ m至5 μ m之间，特别是可控制于3 μ m以下，藉此可使其更细微化，且可提升金属线路的透光率及不可视率，而非触控区域的第二金属线路微结构39可控制在5 μ m至20 μ m之间，用以作为触控面板边缘区域的金属引线线路。此外，如图5A至图5E、图6及图7所示，本案的金属线路微结构的制法可利用同一工艺步骤同时于基板上形成第一金属线路微结构38及第二金属线路微结构39，以分别作为触控面板1的可视触控区域的金属线路及非触控区域的金属引线线路，藉此可简化触控面板1的工艺步骤并降低制作成本。
[0065]综上所述，本案提供一种金属线路微结构的制法，其可以较低成本制备更细微化的金属线路，且于应用于触控面板时可以提升金属线路的透光率及不可视率。此外，本案金属线路微结构的制法，其制作金属线路的精细度较易控制，可制备具5μπι以下线宽的金属线路，可以提升产品良率，并可防止金属线路氧化的发生。再则，本案金属线路微结构的制法，其可利用同一工艺步骤同时于基板上形成触控面板的可视触控区域及引线区域的金属线路。
[0066]本案得由本领域普通技术人员任施匠思而为诸般修饰，然皆不脱如附权利要求所欲保护者。
【主权项】
1.一种金属线路微结构的制法，包括步骤: (a)提供一基板； (b)形成一籽晶层于该基板的一表面上； (c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光及光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一沟槽图案，其中该沟槽图案具有一特定沟槽宽度； (d)以电镀方式将一金属导电层填入该沟槽图案；以及 (e)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成该金属线路微结构。2.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该基板为一透明基板、一柔性基板或一柔性透明基板。3.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该籽晶层的厚度介于5nm至lOOnm之间，且该籽晶层为金属或金属合金，其中该金属或金属合金选自铬/金金属膜、钛/金金属膜、钛/铜金属膜、铜/铜金属膜或钛钨/金金属膜。4.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该沟槽图案具有一特定沟槽深度，该特定沟槽宽度介于1 μ m至20 μ m之间，该特定沟槽深度介于0.1 μ m至20 μ m之间。5.根据权利要求4的金属线路微结构的制法，其中该特定沟槽宽度介于1μ m至5 μ m之间，该特定沟槽深度介于0.1 μ m至2 μ m之间。6.根据权利要求4的金属线路微结构的制法，其中该特定沟槽宽度为3μπι以下。7.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中于该步骤(c)中，还暴露部分的该籽晶层，且于该步骤(d)中，该金属导电层与暴露的该籽晶层的部分接触与连接。8.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该金属导电层的材料选自铜、金、银、铝、钨、铁、镍、铬、钛、钥、铟、锡或其至少任二者以上所组成的复合材料。9.根据权利要求1的金属线路微结构的制法，其中该金属导电层的宽度对应于该特定沟槽宽度，且该金属导电层的厚度介于0.1 μ m至2 μ m。10.一种金属线路微结构的制法，包括步骤: (a)提供一基板； (b)形成一籽晶层于该基板的一表面上； (c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光与光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一沟槽图案，其中该沟槽图案具有一特定沟槽宽度； (d)以电镀方式将一金属导电层填入该沟槽图案； (e)将一抗氧化层填入该沟槽图案，且该抗氧化层形成于该金属导电层上；以及 (f)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成该金属线路微结构。11.根据权利要求10的金属线路微结构的制法，其中该抗氧化层为一抗氧化金属层，且该抗氧化层包含酚醛树脂、感光化合物、有机有色高分子染料、无机有色染料以及溶剂。12.一种金属线路微结构的制法，包括步骤: (a)提供一基板； (b)形成一籽晶层于该基板的一表面上； (c)形成一光致抗蚀剂层于该籽晶层的该表面上，且进行一曝光与光刻工艺以于该光致抗蚀剂层中形成一第一沟槽图案及一第二沟槽图案，其中该第一沟槽图案具有一第一特定沟槽宽度，该第二沟槽图案具有一第二特定沟槽宽度，该第二特定沟槽宽度大于该第一特定沟槽宽度； (d)将一金属导电层分别填入该第一沟槽图案及该第二沟槽图案；以及 (e)移除该光致抗蚀剂层及移除未为该金属导电层接触与连接的该籽晶层的部分，以形成一第一金属线路微结构及一第二金属线路微结构。13.根据权利要求12的金属线路微结构的制法，其中该第一特定沟槽宽度介于1 μ m至5 μ m之间，该第二特定沟槽宽度介于5 μ m至20 μ m之间，且该第一金属线路微结构及该第二金属线路微结构的线宽分别对应于该第一特定沟槽宽度及该第二特定沟槽宽度。
【专利摘要】本案涉及一种金属线路微结构的制法，包括步骤：(a)提供基板；(b)形成籽晶层于基板的表面上；(c)形成光致抗蚀剂层于籽晶层的表面上，且进行曝光及光刻工艺以于光致抗蚀剂层中形成沟槽图案，其中沟槽图案具有特定沟槽宽度；(d)以电镀方式将金属导电层填入沟槽图案；以及(e)移除光致抗蚀剂层及移除未为金属导电层接触与连接的籽晶层的部分，以形成金属线路微结构。
【IPC分类】G06F3/041
【公开号】CN105278709
【申请号】CN201410230913
【发明人】叶裕洲, 胡志明, 崔久震
【申请人】介面光电股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2014年5月28日