一种内嵌式触控面板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种触控面板，尤其涉及一种内嵌式(in-cell)触控面板的制造方法。
【背景技术】
[0002]在现有技术中，薄膜晶体管液晶显不器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)包括下基板、形成于下基板上的薄膜晶体管、与下基板相对设置的上基板、形成于上基板上的彩色滤光层(诸如红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片)、以及密封于上下两基板间的空隙的液晶层。薄膜晶体管的作用相当于一个开关管。一般来说，首先在玻璃基板上制作半导体层，该半导体层的两端有与之相连接的源极(Source)和漏极(Drain)，然后通过栅极绝缘层和半导体层相对设置有栅极(Gate)，从而利用施加于栅极的电压来控制源极和漏极之间的电流大小。
[0003]另一方面，当今市场上的触控面板可分为外挂式(on-cell)和内嵌式(in-cell)两种:外挂式是将触控感测器制作于彩色滤光片的表面，将触控感应器加上玻璃做成触控面板模组，然后再与薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)面板模组贴合。内嵌式是将触控感测器制作于面板结构中，直接把触控感应器置于薄膜晶体管液晶显示器面板模组中，触控功能整合于显示器内，不必再外挂触控面板，因此其厚度也较外挂式触控面板轻而薄。
[0004]现有的内嵌式触控面板的一种设计结构是顶层为共通电极层(common electrodelayer)，其采用10道光蚀刻工艺予以实现，S卩，依次形成第一金属层、栅极绝缘层、非晶硅层、第二金属层、第一绝缘层、平坦层、像素电极层、第二绝缘层、第三金属层、第三绝缘层和共通电极层。该结构利用新增设的第三金属层作为面板内部的触控感测器。另一种设计结构是顶层为像素电极层(pixel electrode layer)，其也采用10道光蚀刻工艺予以实现，即，依次形成第一金属层、栅极绝缘层、非晶硅层、第二金属层、第一绝缘层、平坦层、共通电极层、第二绝缘层、第三金属层、第三绝缘层和共通电极层。由于上述两种结构所使用的光蚀刻工艺的数量较多，导致制程成本较高，产出下降。此外，上述两种设计在形成绝缘层上的过孔时，均需要采用分开的曝光/蚀刻制程，其制程也较为复杂。
[0005]有鉴于此，如何构思一种新的内嵌式触控面板的制程与设计，或对现有的解决方案予以改进，从而降低光蚀刻工艺的数量，节省成本并增加产能，是业内相关技术人员亟待解决的一项课题。
【发明内容】
[0006]针对现有技术中的内嵌式触控面板所存在的上述缺陷，本发明提供了一种新颖的、用于内嵌式触控面板的制造方法。
[0007 ]依据本发明的一个方面，提供了一种内嵌式触控面板的制造方法，包括以下步骤:
[0008]形成一第一金属层于一基板上，该第一金属层经蚀刻用以定义薄膜晶体管的栅极；
[0009]形成非晶硅层于所述第一金属层的上方且与栅极正对设置；
[0010]形成一第二金属层于所述非晶硅层的上方，该第二金属层经蚀刻用以定义该薄膜晶体管的源极和漏极；
[0011 ]形成一第一绝缘层以覆盖该源极和该漏极；
[0012]形成一平坦层于所述第一绝缘层的上方；
[0013]形成一第三金属层于该平坦层的上方；
[0014]形成一第二绝缘层于所述第三金属层的上方；
[0015]形成一第一导电层于所述第二绝缘层的上方；
[0016]形成一第三绝缘层于所述第一导电层的上方；以及
[0017]形成一第二导电层于所述第三绝缘层的上方，
[0018]其中，所述内嵌式触控面板还包括一第一过孔和一第二过孔，所述第一过孔由依次蚀刻所述第三绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层所形成，所述第二过孔由依次蚀刻所述第三绝缘层和所述第二绝缘层所形成，所述第一过孔与所述第二过孔形成于同一蚀刻制程。
[0019]在其中的一实施例，所述第一导电层为像素电极，所述第二导电层为共通电极。
[0020]在其中的一实施例，所述第一导电层涂布于所述第一过孔的侧壁以及所述第二过孔的侧壁。
[0021]在其中的一实施例，所述第一导电层设置于所述第二过孔的中心位置，且藉由所述第二导电层电性桥接至所述第三金属层。
[0022]在其中的一实施例，所述第一导电层为共通电极，所述第二导电层为像素电极。
[0023]在其中的一实施例，所述第一导电层涂布于所述第一过孔的侧壁以及所述第二过孔的侧壁。
[0024]在其中的一实施例，所述第一导电层设置于所述第一过孔的中心位置，且藉由所述第二导电层电性桥接至所述第二金属层。
[0025]在其中的一实施例，所述像素电极电性耦接至所述薄膜晶体管的漏极。
[0026]在其中的一实施例，所述第一导电层和所述第二导电层均为氧化铟锡材质。
[0027]采用本发明的内嵌式触控面板的制造方法，其第一金属层形成于基板的上方且定义薄膜晶体管的栅极，栅极绝缘层形成于第一金属层的上方，非晶硅层位于该栅极绝缘层的上方且与栅极正对设置，第二金属层位于非晶硅层的上方且用以定义该薄膜晶体管的源极和漏极，第一绝缘层位于该栅极绝缘层的上方并覆盖该源极和该漏极，平坦层位于第一绝缘层的上方，第三金属层位于平坦层的上方，第二绝缘层设置在第三金属层的上方，第一导电层位于第二绝缘层的上方，第三绝缘层位于第一导电层的上方，以及第二导电层设置在第三绝缘层的上方。相比于现有技术，本发明的内嵌式触控面板中的第一过孔由依次蚀刻第三绝缘层、第二绝缘层以及第一绝缘层所形成，第二过孔由依次蚀刻第三绝缘层和第二绝缘层所形成，且第一过孔与第二过孔形成于同一蚀刻制程，这样将减少光蚀刻工艺的数量，进而降低制程成本和增加产能。
【附图说明】
[0028]读者在参照附图阅读了本发明的【具体实施方式】以后，将会更清楚地了解本发明的各个方面。其中，
[0029]图1示出现有技术中的一种内嵌式触控面板的结构示意图；
[0030]图2示出现有技术的另一种内嵌式触控面板的结构示意图；
[0031]图3示出依据本发明的一实施方式，可降低光蚀刻工艺的数量的内嵌式触控面板的制造方法的流程框图；
[0032]图4示出采用图3的制造方法所形成的内嵌式触控面板的一具体实施例；以及
[0033]图5示出采用图3的制造方法所形成的内嵌式触控面板的另一具体实施例。
【具体实施方式】
[0034]为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可参照附图以及本发明的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本发明所涵盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。
[0035]下面参照附图，对本发明各个方面的【具体实施方式】作进一步的详细描述。
[0036]图1示出现有技术中的一种内嵌式触控面板的结构示意图。
[0037]参照图1，现有的内嵌式触控面板(in-cell touch panel)包括基板(substrate)100、第一金属层(first metal layer，Ml)102、棚.极绝缘层(gate insulat1n layer)104、非晶娃层(a-Si layer)、第二金属层(second metal layer，M2)、第一绝缘层(f irstinsulat1n layer，BPl)110、平坦层(planarizat1n layer，PL)112、第三金属层(thirdmetal layer，M3) 114、第二绝缘层(second insulat1n layer，BP2) 116、第一导电层(first conductive layer) 118、第三绝缘层(third insulat1n layer，BP3)120和第二导电层(second conductive layer) 122o
[0038]具体来说，第一金属层102形成于基板100上，经蚀刻之后用来定义薄膜晶体管的栅极。栅极绝缘层104位于第一金属层102的上方，用以覆盖薄膜晶体管的栅极。非晶硅层形成于第一金属层102的上方且与栅极正对设置。第二金属层形成于非晶硅层的上方，经蚀刻用以定义该薄膜晶体管的源极106和漏极108。第一绝缘层110形成于第二金属层的上