一种防止回焊过程中资料遗失的方法及装置的制作方法

文档序号:6755460阅读:172来源:国知局
专利名称:一种防止回焊过程中资料遗失的方法及装置的制作方法
技术领域
本发明涉及一种快闪记忆体的资料存储方法及装置,特别涉及一 种多位准单元快闪记忆体在回焊过程中避免资料遗失的方法及装置。
背景技术
非挥发性记忆体中,反及闸型快闪记忆体因为具备编程时间短、 晶圆面积小及低耗电量的优点,广泛地作为各种多媒体资料的储存媒 体,例如安全数位卡或小型快闪卡。一般而言,反及闸型快闪记忆 体可分为单位准单元快闪记忆体及多位准单元快闪记忆体。每一个单 位准单元可储存"0"或"1"两个值,而每一个多位准单元至少可储
存"(xr、 "oi"、 "io"或"u"四个以上的值,具有较高的储存密度。 然而,受限于多位准单元快闪记忆体的架构,相较于单位准单元快闪 记忆体,多位准单元快闪记忆体较容易产生资料遗失的情况。
快闪记忆体,是一种配备管理系统的存储器,主题结构中包括有 存储单元和控制器,控制器控制存储单元读、写的操作。控制器中的 管理系统所配套的文件资料是提前在芯片生产时工艺中预先录入的。 在将记忆体作为产品的结构部件焊接在印刷电路板的过程中,多位准 单元快闪记忆体的芯片中所预存的管理快闪记忆体程序的资料,往往 会因为回焊过程中髙温加热,而使资讯遗失,导致记忆体无法正常操 作或需重新写入预存资料,严重地降低量产效能并增加成本。
4因此,霈要一种方法,用以解决多位准单元快闪记忆体在回焊过 程中,因高温而产生资料遗失的问题,进而有效提升量产的效能。

发明内容
本发明提供一种防止回焊过程中资料遗失的方法及装置,采用的 技术方案是 一种防止回焊过程中资料遗失的方法,适用于具有复数 记忆区块的快闪记忆体在配套的CPU和管理软件的支持下实现的, 本方法包括-
(I) 接收预录资料;
(II) 将本预录资料储存至快闪记忆体的某一记忆区块的强页面
中i
(HI)加热快闪记忆体,用以进行回焊流程;
(IV) 根据触发信号重组预录资料;
(V) 将重组后的预录资料连续写入至快闪记忆体的某一新记忆区 块的页面中;
(VI) 对于步骤(II)中的强页面写入状态的管理单元迸行资料抹除 操作,并回复记忆区块的存储容量。
一种与防止回焊过程中资料遗失的方法配套的记忆体装置,本装 置包括具有复数记忆区块的快闪记忆体,控制快闪记忆的体的控制 器。
本发明的效果是,*使用本发明的方法和装置,可以直接避免回辉 过程中资料的遗失,大幅提高量产效能,克服了霈牺牲记忆容量的被动举措,确保了预录资料在回焊过程中的完整及正确性。 附衝说明


图1本发明实施例的记忆体装置示意图。
图2本发明实施例的快闪记忆体示意图。 图3本发明实施例的记忆区块示意图。 图4本发明实施例的预录资料重组示意图。 图5本发明方法流程图。
其中,IO表示记忆体装置,i02表示控制器,104表示快闪记忆 体,30、 402 、 404、 406表示记忆区块,MUO、 MUK MU2、 MU3 表示管理单元。
具体实施例方式
本发明所提供的技术方案中包括一种防止回焊过程中资料遗失 的方法及与该方法配套的装置。采用的技术方案是, 一种防止回焊过 程中资料遗失的方法,适用于具有复数记忆区块的快闪记忆体在配套 的CPU和管理软件的支持下实现的,本方法包括以下具体步骤
(I)接收预录资料;
(n)将本预录资料储存至快闪记忆体的某一记忆区块的强页面
中$
(IH)加热快闪记忆体,用以进行回焊流程; (IV)根据触发信号重组预录资料;
(V滩重组后的预录资料连续写入至快闪记忆体的某一新记忆区块的页面中;
(VI)对于歩骤(H)中的强页面写入状态的管理单元进行资料抹除 操作,并回复记忆区块的存储容量。
本发明实施例的技术方案中,本方法根据回复命令产生触发信号。
本发明实施例的技术方案中,根据快闪记忆体的定脚位的某一状 态,产生触发信号。
本发明实施例的技术方案中,首先选择的记忆区块的储存容量为 新记忆区块的储存容量一半。
本发明实施例的技术方案中,抹除后的记^:区块与新记忆区块具 有相同的储存容量。
本发明实施例的技术方案中,判断储存于新记忆区块的预录资料 是否正确后,对首先选择的记忆区块的强页面进行资料抹除操作。
本发明实施例的技术方案中,储存资料时,强页面的编程忙碌时 间小于弱页面的编程忙碌时间。
一种与防止回焊过程中资料遗失的方法配套的记忆体装置,本装
置包括具有复数记忆区块的快闪记忆体,控制快闪记忆的体的控制 器。
本发明实施例的技术方案中,记忆区块包括复数的强页面和复数 的弱页面。
本发明实施例的技术方案中,根据主机所传送的回复命令产生触发信号。
本发明实施例的技术方案中,根据快闪记忆体的定脚位的状态,
产生触发信号。
本发明实施例的技术方案中,每个记忆区块中,强页面与弱页面 为交错排列。
本发明实施例的技术方案中,选择的记忆区块的储存容量为新记 忆区块的储存容量的一半。
本发明实施例的技术方案中,新记忆区块将重组后的预录资料储 存后,控制器抹除首先选择的记忆区块中的预录资料,使抹除后记忆 区块与新记忆区块具有相同的储存容量。
本发明实施例的技术方案中,控制器判断储存于新记忆区块的预 录资料是否正确后,对首先选择的记忆区块进行抹除操作。
本发明实施例的技术方案中,储存资料时,强页面的编程忙碌时 间小于弱页面的编程忙碌时间。
本发明实施例的技术方案中,快闪记忆体为反及闸型快闪记忆 体。记忆区块为多位准单元记忆区块。
为了能更进一步的阐述本发明, 一下通过具体的实施例来说明。
参看图1,本记忆体装置10包括快闪记忆体104及控制器102。 记忆体装置10为记忆卡或固态硬碟,快闪记忆体104为反及闸型快 闪记忆体。记忆体装置10可借助不同介面,例如通用串列汇流排 介面、个人电脑记忆卡国际协会介面或串列式先进附加技术介面,与外部主机,传送接收资料,如数位相机或手机。操作上,控制器 102耦接于快闪记忆体104及外部主机间。控制器102接收来自外部 主机的控制信号、逻辑位址及资料,用以根据控制信号及逻辑位址将 资料储存至快闪记忆体104中。迸一步,快闪记忆体104可包括复数 的管理单元,如图1所示的MU0至MU3,每个管理单元用以管理一 定数量的记忆区块。同时,控制器102通过管理单元MU0 MU3存 取对应的记忆区块以及储存于其中的资料。
参看图2,快闪记忆体104包括多个多位准单元记忆区块,如记 忆区块O、 "、记忆区块N、、记忆区块1023,可分别由4个管理 单元MU0 MU3管理。每个记忆区块,各自包括复数的页面。其中, 页面包括复数的强页面及复数的弱页面。强页面和弱页面以一定排列 方式交错排列。例如,记忆区块N中,页面0至页面3为强页面、 页面4及5为弱页面、页面6及7为强页面、页面8及9为弱页面、" 、 页面12及U为弱页面…以此类推。
一般而言,当在给快闪记忆体104的芯片写入资料时,在记忆体 区块N中,相对于弱页面,强页面的编程忙碌时间较短,且强页面 也较不易因为温度或湿度等因素而影响到资料的正确性。在量产记忆 卡时,对快闪记忆体104所进行的高温回焊过程,例如以红外线或 锡炉加以烘烤,容易导致预存于弱页面的预录资料,如系统档案或测 试资料,产生损毁或遗失的情况。甚至使得记忆卡无法正常运作,而 必须重新写入预录资料。因此,除了增加重新写入的成本外,也将严 重影晌量产的效能。因此,为防止高温环境造成弱页面遗失资料的情况发生,在进行回焊过程前,选择将预录资料储存于
强页面中,详细操作方式将配合图3及图4说明如下。
参看图3,记忆区块30为快闪记忆体104中任一记忆区块,例 如记忆区块N。记忆区块30被配置为强页面写入状态。当写入资 料至本记忆区块30时,资料仅可以被写入至强页面中,如页面0 3、 6 7、 10 11、…、以此类推。因此,记忆区块30的储存容量小于 未被配置前的记忆区块的储存容量。当强页面及弱页面交错排列时, 则记忆区块30的储存容量为记忆区块N的储存容量的一半。更具体 的,在将预录资料写入至快闪记忆体104之前,先选择快闪记忆体 104的全部或部分管理单元被配置为强页面写入状态。控制器102可 以根据预录资料的大小设定要配置的管理单元。随后,快闪记忆体 104进行低阶格式化。其次,控制器102将预录资料写入至已配置的 管理单元中。这样,所有预录资料依序被写入对应记忆区块的强页面 中,如图3的页面0 3、 6 7及10 U。前面所述的过程完成后, 将快闪记忆体104断电。接着,加热或烘烤控制器102及快闪记忆体 104,用以进行回焊流程。可借助红外线热流、气相热流或热熔炉来 进行回焊流程。将控制器102及快闪记忆体104焊接至印刷电路板后, 控制器102随即根据触发信号,用以重组预录资料。预录资料的重组 操作将详细说明如下。
参看图4,假设进行回焊流程前,预录资料分别储存于管理单元 MU0德尔记忆区块402及404中。其中,记忆区块402及404均被
10配置为强页面写入状态。当回焊完成后,控制器102根据触发信号, 对记忆区块402及404的强页面中所储存的预录资料进行重组。控制 器102可以以软体或韧体的方式,透过外部测试主机所传送的回复命 令,产生触发信号并进行预录资料重组。控制器102也可以利用硬体 来进行控制,在快闪记忆体104中,预先配置脚位。接着,控制器 102根据脚位的状态,用以判断回焊是否完成,从而产生触发信号来 进行预录资料重组。
从其它未被配置为强页面写入状态的管理单元中,控制器102决 定用以储存重组后预录资料的新记忆区块,例如管理单元MU1的 记忆区块406。即重组后的预录资料将依序被写入至记忆区块406中 的所有页面中。
假设记忆区块406和未被配置为强页面写入状态前的记忆区块 402及404,均各自包括128个页面,且页面包括复数交错排列的强 页面及弱页面。换句话说,配置后的记忆区块402及404的储存容量 为记忆区块406的储存容量的一半。进行重组时,记忆区块402中, 强页面所储存的预录资料,将被重组并依序储存至记忆区块406的页 面0 63中。同样地,记忆区块404的强页面所储存的预彔资料,将 连续地储存于记忆区块406的页面64 127中。 当回焊完成后,上述预录资料的重组操作可以在背景进行,使得记忆 体装置可同时进行其它功能性测试。迸一步,预录资料重组完成后, 在记忆区块402及404所对应的管理单元MUO中,控制器102对所有记忆区块进行抹除操作。因此,抹除后的管理单元MUO中,所有 记忆区块的储存容量将被重置。即记忆区块邻2、 404及406具有相 同的储存容量。
控制器102可进一步检测记忆区块406所储存的预录资料是否正 确。如果储存的预录资料有误,可透过控制器102回传至外部测试主 机加以记录,或直接标记预录失败的记忆体装置。
参看图5,本发明方法,适用于反及闸型快闪记忆体。其中,该 快闪记忆体具有多个管理单元,且每一管理单元包括一定数量的多位 准单元记忆区块,用以透过每个管理单元存取对应的记忆区块。进一 步,每个记忆区块包括复数的强页面及复数的弱页面,以一定排列方 式交错排列。当储存资料时,强页面的编程忙碌时间小于弱页面的编 程忙碌时间。
首先,歩骤S502中,载入或接收预录资料。操作过程为,先从 快闪记忆体中,选择一个或多个管理单元进行配置。对于所选择管理 单元,对应的记忆区块会被配置为强页面写入状态,用以储存预录资 料。在每个记忆区块中,当强页面和弱页面以一定排列方式交错排列 时,则配置后的记忆区块的储存容量仅为配置前的一半。步骤S504 中,快闪记忆体l(H进行低阶格式化,并将所有预录资料依序写入记 忆区块的强页面中。
然后,步骤S506中,快闪记忆体断电后,加热快闪记忆体,用 以进行回焊流程。接着,步骤S508中,预录资料根据触发信号进行重组。更具体地,先根据预录资料所需的记忆容量,从未被配置为强 页面写入状态的管理
单元中,选择用以储存童组后预录资料新记忆区块。如此一来,
进行步骤S510,将重组后的预录资料,重新写入至新记忆区块的所 有页面中。霈注意触发信号可以软体的方式产生,例如t根据回复命 令。或者,也可利用硬体的方式产生本触发信号,例如根据快闪记 忆体的定脚位的状态。再者,预录资料重组后,进行步骤S512,针 对强页面写入状态的管理单元进行资料抹除操作,并恢复记忆区块的 储存容量。前提是要进一步判断重组后的预录资料是否正确,用以确 保预录资料的正确性。
本发明实施例的防止回焊过程中资料遗失的方法及与本方法配 套的记忆体装置,可有效解决因为高温导致弱页面预录资料遗失或损 毁的问题。此外,记忆体装置的控制器可根据软体或硬体方式所产生 的触发信号,用以重组预录资料,并将重组后的预录资料重新储存至 记忆区块的强页面及弱页面中。因此,除了能够大幅提高量产效能外, 不霈牺牲记忆容量,同时确保预录资料的完整性及正确性。
1权利要求
1.一种防止回焊过程中资料遗失的方法,适用于具有复数记忆区块的快闪记忆体,本方法是在配套的CPU和管理软件的支持下实现的,其特征在于本方法包括(I)接收预录资料;(II)将本预录资料储存至快闪记忆体的某一记忆区块的强页面中;(III)加热快闪记忆体,用以进行回焊流程;(IV)根据触发信号重组预录资料;(V)将重组后的预录资料连续写入至快闪记忆体的某一新记忆区块的页面中;以及(VI)对于步骤(II)中的强页面写入状态的管理单元进行资料抹除操作,并回复记忆区块的存储容量。
2. 根据权利要求1所述的一种防止回焊过程中资料遗失的方 法,其特征在于本方法根据回复命令产生触发信号。
3. 根据权利要求1所述的一种防止回焊过程中资料遗失的方 法,其特征在于本方法根据快闪记忆体的定脚位的某一状态,产生 触发信号。
4. 根据权利要求1所述的一种防止回焊过程中资料遗失的方 法,其特征在于本方法首先选择的记忆区块的储存容量为新记忆区 块的储存容量的一半。
5.根据权利要求1所述的一种防止回焊过程中资料遗失的方 法,其特征在于本方法抹除后的记忆区块与新记忆区块具有相同的 储存容量。
6.根据权利要求1所述的一种防止回焊过程中资料遗失的方 法,其特征在于判断储存于新记忆区块的预录资料是否正确后,对 首先选择的记忆区块的强页面进行资料抹除操作。
7. 根据权利要求1所述的一种防止回焊过程中资料遗失的方 法,其特征在于本方法储存资料时,强页面的编程忙碌时间小于弱 页面的编程忙碌时间。
8. --种与防止回焊过程中资料遗失的方法配套的记忆体装置, 其特征在于本装置包括具有复数记忆区块的快闪记忆体,控制快 闪记忆的体的控制器。
9. 根据权利要求8所述的记忆体装置,其特征在于记忆区块 包括复数的强页面和复数的弱页面。
10. 根据权利要求8所述的记忆体装置,其特征在于根据主机 所传送的回复命令产生触发信号。
11. 根据权利要求8所述的记忆体装置,其特征在于根据快闪 记忆体的定脚位的状态,产生触发信号。
12. 根据权利要求8所述的记忆体装置,其特征在于每个记忆 区块中,强页面与弱页面为交错排列。
13. 根据权利要求8所述的记忆体装置,其特征在于选择的记
全文摘要
一种防止回焊过程中资料遗失的方法及装置,解决了快闪记忆体在回焊过程中资料丢失的问题。采用的技术方案是,方法包括接收预录资料;将本预录资料储存至快闪记忆体的某一记忆区块的强页面中;加热快闪记忆体,用以进行回焊流程;根据触发信号重组预录资料;将重组后的预录资料连续写入至快闪记忆体的某一新记忆区块的页面中;对于已存入资料的强页面写入状态的管理单元进行资料抹除操作,并回复记忆区块的存储容量;与方法配套的记忆体装置包括快闪记忆体和控制器。利用本发明能够大幅提高量产效能,不需牺牲记忆容量,同时确保预录资料的完整性及正确性。
文档编号G11C29/00GK101540192SQ20091010575
公开日2009年9月23日 申请日期2009年3月17日 优先权日2009年3月17日
发明者欧旭斌 申请人:慧帝科技(深圳)有限公司;慧荣科技股份有限公司
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