采用8T高性能单端口位单元的高性能双端口SRAM架构的制造方法与工艺

文档序号:11407445阅读:来源:国知局
技术总结
一种8T存储位单元(90),其接收时钟信号(42),读地址信号(40)和写地址信号(48)。读地址锁存/时钟电路(44)接收时钟信号(42)和读地址信号(40),且在第一时钟周期状态(104)期间开始读操作。写地址触发/时钟电路(50’)接收时钟信号(42)和写地址信号(48),且在第二时钟周期状态(110)期间开始写操作。反相器(92)接收并反相时钟信号(42),并且将该反相时钟信号施加至写地址触发/时钟电路(50’)。读地址锁存/时钟电路(44)在第二时钟周期状态(106)期间开始读字线预充电操作,并在第一时钟周期状态(108)期间开始写字线预充电操作。写地址触发/时钟电路(50’)还包括自由自定时器(1oose self‑timer)(154),如果超过预定时间后时钟信号(142)还在持续,该自由自定时器结束写周期。

技术研发人员:M·C·乔希;P·K·热娜;L·V·霍兰
受保护的技术使用者:德克萨斯仪器股份有限公司
文档号码:201310128640
技术研发日:2013.02.22
技术公布日:2017.09.22

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