存储器和存储器操作方法

存储器和存储器操作方法
【专利摘要】本发明公开了一种存储器及其操作方法，该操作存储器的方法包含：将一第一存储器单元的状态设置在表示一第一数据的一第一状态和将一第二存储器单元的状态设置在表示该第一数据的一第二状态。如果该第二存储器单元的状态已改变至一代表不同于该第一数据的一第二数据的一第三状态，该方法也包含将该第二存储器单元的状态改变回至该第二状态。
【专利说明】存储器和存储器操作方法

【技术领域】
[0001]本发明是有关一种存储器和存储器的操作方法，特别指一种用于恢复遗失预先储存数据的方法。

【背景技术】
[0002]非易失存储器有时以预先储存数据的型式送至客户。客户可能将存储器置于另一个外部程序，例如高温程序。高温程序例如可能为一焊接接合程序。在这样的程序期间，存储器中全部或部分的预先储存数据可能遗失。举例来说，相变化存储器(PCM)使用在不同状态中具有不同电阻的相变化材料来储存数字数据。换句话说，当相变化材料在一初始态时，其可具有一第一电阻。当相变化材料加热至一结晶温度时，其转换至一多晶态且具有一第二电阻。进一步地，当相变化材料加热至熔点时，其转换至一非晶态且具有一第三电阻。通常来说，相变化材料多晶态和非晶态分别用来表示二进制的I和二进制的O。因此，如果具有预先储存数据的相变化存储器经历(subject to) 一高温程序(例如焊接接合程序)，高温可能引起相变化存储器中一些或全部的存储器单元改变状态而导致预先储存数据的遗失。


【发明内容】

[0003]本发明提出一种用于操作存储器的方法。该方法包含将一第一存储器单元的状态设置在表示一第一数据的一第一状态和将一第二存储器单元的状态设置在表示该第一数据的一第二状态。在使存储器受经(subject to) 一程序后，该方法进一步包含决定该第二存储器单元的状态是否改变至表示一第二数据的一第三状态，其中该第二数据不同于该第一数据。如果该第二存储器单元的状态已改变至该第三状态，该方法也包含将该第二存储器单元的状态改回至该第二状态。
[0004]本发明亦提出包含一第一存储器单兀和一第二存储器单兀的一存储器。该第一存储器单兀的状态为表不一第一数据的一第一状态。该第二存储器单兀的状态为表不该第一数据的一第二状态。该第一存储器单元和该第二存储器单元配置使得在该第一存储器单元和该第二存储器单元分别设置在该第一状态和该第二状态后，在执行于该存储器上的一程序期间，该第一存储器单元的状态对照于该第二存储器单元的状态较难改变。
[0005]与本发明一致的特征和优点将会在下面的描述中部分阐述，并且将部分地从描述中显而易见，或者可以透过本发明的实践了解到。这样的特征和优点将透过在所附请求项中特别指出的要素和组合实现和获得。
[0006]应当理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述只是示例性的和解释性的，而不是限制本发明所请求的。
[0007]被并入说明书中并构成本说明书的一部分的【专利附图】

【附图说明】本发明的一些实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1A至图1D为根据范例性多个实施例示意性地显示多个存储器单元。
[0009]图2A和图2B分别显示在不同操作下存储器单元中施加电流和温度的改变。
[0010]图3A至图3C显示对于在不同条件下多个存储器单元在高温程序前后的电阻分布。
[0011]图4为根据范例性多个实施例显示一个存储器单元。
[0012]图5为根据范例性多个实施例显示用于操作存储器的程序的流程图。
[0013]图6为根据范例性多个实施例显示用于检验和恢复存储器单元的程序的流程图。
[0014]【符号说明】
[0015]100 存储器单元
[0016]102 可变电阻器
[0017]104 存取元件
[0018]104-1场效晶体管
[0019]104-2极性结晶体管
[0020]104-3 二极管
[0021]400 存储器单元
[0022]402 参考单元
[0023]404 快闪单元
[0024]406多功复用器
[0025]408 选择晶体管
[0026]500 流程图
[0027]502 步骤
[0028]504 步骤
[0029]506 步骤
[0030]508 步骤
[0031]510 步骤
[0032]600 流程图
[0033]602 步骤
[0034]604 步骤
[0035]606 步骤

【具体实施方式】
[0036]与本发明一致的多个实施例包含用于操作存储器的方法和可恢复遗失数据的存储器。
[0037]此后，多个实施例以图示描述。尽可能地，相同的图标符号在所有图标中皆指相同或类似的部件。
[0038]下面描述的一些实施例中，以相变化存储器(PCM)作为范例(在本发明中，相变化存储器中的一存储器单元也称为相变化存储器单元)。然而，在本发明中提及的方法和装置亦适用于任何有可能遗失预先储存数据的其它型式之存储器。
[0039]图1A显示在一相变化存储器中的一范例性存储器单元100。如图1A所示，存储器单元100具有电性耦接至一存取元件104的一可变电阻器102。如图1A所示，存取元件104电性耦接至一地址线且可变电阻器102电性耦接至一位线。在其它实施例中，视存取元件的型式而定。另一方面，可变电阻器102也可替换地电性耦接至地址线而存取元件104则电性耦接至位线。进一步地，如果存取元件104为一具有三个接点的元件，一个接点可电性耦接至位线或接地，而可变电阻器102可对应地电性耦接至接地或位线。
[0040]不同电子元件可作为存取元件104，例如图1B所示的场效晶体管104-1、图1C所示的双极性结晶体管104-2、或图1D所示的二极管104-3。场效晶体管104-1可为一 η通道场效晶体管或一 P通道场效晶体管。双极性结晶体管104-2可为一 ρηρ双极性结晶体管或一 ηρη双极性结晶体管。二极管104-3可为一 p-η结二极管或一萧特基二极管。
[0041]当存取元件104包含如图1B所示的场效晶体管104-1，场效晶体管104_1的栅极电性耦接至地址线。场效晶体管104-1的源极或漏极其中的一极电性耦接至可变电阻器102。如图1B所示，场效晶体管104-1的源极或漏极其中的另一极电性耦接至接地，在此情况下，可变102进一步电性耦接至位线。选择性地(未图示)，场效晶体管104-1的源极或漏极其中的另一极可电性耦接至位线，在此情况下，可变电阻器102进一步电性耦接至接地。
[0042]当存取元件104包含如图1C所示的双极性结晶体管104-2 (ηρη双极性结晶体管作为在图1C中的范例)，双极性结晶体管104-2的基极电性耦接至地址线。如图1C所示，双极性结晶体管104-2的集极电性耦接至可变电阻器102且双极性结晶体管104-2的射极电性耦接至接地。可变电阻器102进一步地电性耦接至位线。选择性地(未图示)，可变电阻器102可电性耦接在双极性结晶体管104-2的射极和位线之间，在此情况下，双极性结晶体管104-2的集极电性耦接至接地。进一步地(未图示)，可变电阻器102可电性耦接在双极性结晶体管104-2的集极或射极其中的一极和接地之间，在此情况下，双极性结晶体管104-2的集极或射极其中的一极电性耦接至位线。
[0043]当存取元件104包含如图1D所示的二极管104-3，二极管104_3的阳极或阴极其中的一极电性耦接至可变电阻器102，可变电阻器102再电性耦接至位线。二极管104-3的阳极或阴极其中的另一极电性耦接至地址线。
[0044]可变电阻器102由一相变化材料制成，例如锗锑碲(GeSbTe)。相变化材料可在不同状态之间转换，其可用来储存数据。举例来说，在两个状态(例如具有低电阻的一多晶态和具有高电阻的一非晶态)之间转换的相变化材料可用来储存位O或I。如另一范例，在具有不同电阻的四个状态之间转换的相变化材料可用来储存位00、01、10或11。
[0045]通过让可变电阻器102在不同时间下受到(subject to)不同温度可改变可变电阻器102(及其电阻)的状态。而通过施加一电流至可变电阻器102 (即可变电阻器102的相变化材料)可导致其温度改变。较大的电流将可变电阻器102加热至较高的温度，使得控制电流强度可决定可变电阻器102欲被加热到的温度。
[0046]图2A显示在复位(RESET)操作和设定(SET)操作期间对可变电阻器102施加变化的电流。如图2A所示，在复位操作期间，在一段时间I1内施加一复位电流Ikeset至可变电阻器102。在设定操作期间，在长于该段时间h的一段时间t2内施加一低于复位电流Ikeset的设定电流Iset至可变电阻器102。
[0047]图2B显示可变电阻器102在分别由复位电流Ikeset和设定电流Iset引起的复位操作和设定操作期间的温度改变。如图2B所示，由于复位电流Ikeset所致(见图2A)，可变电阻器102被加热到一高于可变电阻器102的相变化材料熔点Tmeu的温度Tkeset且在一段时间V内保持该温度。因此，相变化材料转换至一高电阻非晶态。类似地，由于设定电流Iset所致，可变电阻器102被加热到一高于可变电阻器102的相变化材料结晶温度但低于熔点Tmeu的温度Tset且在一段时间t2’内保持该温度。因此，相变化材料转换至一低电阻结晶态。
[0048]与本发明的多个实施例一致，一段时间t/和t2’可分别约等于一段时间&和t2。然而，因为温度改变可能不会立即反应电流的改变，一段时间t/和t2’可分别稍些不同于(通常长于)对应的时间h和t2。
[0049]如同上面所讨论的，在一存储器单元上执行一设定或复位操作引发该存储器单元至具有特定电阻的状态。由于各种的不确定性(例如工艺变异)，在相同芯片上的多个存储器单元在复位或设定操作后可能不具有相同的电阻。换句话说，芯片上多个存储器单元的多个电阻呈现一特定分布。图3A显示对于具有多个相变化存储器单元的芯片其中多个存储器单元在设定或复位操作执行之后的电阻分布。在图3A中，横坐标表示电阻且纵坐标表示在复位或设定操作之后具有特定电阻的多个存储器单元的数量。虚曲线表示对于多个存储器单元受经设定操作后的电阻分布(此处及以后，受经设定操作乃指刻意的设定操作而非那些偶尔发生的操作程序，例如烘烤或焊接接合程序)的存储器单元称为设定状态存储器单元或在设定状态下的存储器单元)。实曲线表示对于多个存储器单元受经复位操作后的电阻分布(此处及以后，已受经一复位操作的个存储器单元称为复位状态存储器单元或在复位状态下的存储器单元)。在图3A中，两曲线彼此完全分离。设定状态存储器单元具有在一电阻范围内的一电阻，其中该电阻范围表不两个位O和I其中的一个位(例如I)；以及复位状态存储器单元具有在另一电阻范围内的一电阻，其中该另一电阻范围表示两个位O和I其中的另一个位，例如O。
[0050]如果芯片受经一高温程序，例如在某一时间(例如I小时)内在一相对高的温度
(例如......)下受经一烘烤程序，电阻分布可能改变。图3B显示对于多个存储器单元在高温程序之后的电阻分布。在图3B中，虚曲线表示对于多个设定状态存储器单元在一高温程序之后的电阻分布，以及实曲线表示对于多个复位状态存储器单元在一高温程序之后的电阻分布。
[0051]如图3A和图3B所示，多个设定状态存储器单元的电阻分布在高温程序之后并无太多改变。然而，多个复位状态存储器单元的电阻分布在高温程序之后偏移至一低电阻范围，且和多个设定状态存储器单元在高温程序之后的电阻分布重叠。这是因为复位状态存储器单元在高温程序之下相较于设定状态存储器单元有较高的状态改变率，也就是说，在高温程序下，复位状态存储器单元的状态的改变会比设定状态存储器单元的状态的改变快。因此，在这样高温程序之后，当读取一存储器单元和决定其电阻时，如果被决定的电阻落在图3B中显示的重叠范围内，存储器单元是否为一设定状态存储器单元或一复位状态存储器单元是无法得知的。换句话说，无法决定先前储存在存储器单元的位数据为I或O。
[0052]在受经任何设定或复位操作前，相变化存储器单元具有一初始电阻(此后，未受经任何设定或复位操作的存储器单元称为初始状态存储器单元或在初始状态下的存储器单元)。这样的一个初始状态为”一次(one time)”状态。换句话说，一初始状态存储器单元在受经设定或复位操作后且从而转换至设定或复位复位状态，其不会再转换回至初始状态。由于各种的不确定性(例如工艺变异)，在一芯片上多个初始状态存储器单元的多个电阻也可能彼此不同且呈现一分布，例如由在图3C中的实曲线所图标的分布。对于多个初始状态存储器单元的电阻分布在一高温程序之后可能不会改变太多，例如由在图3C中的虚曲线所图标的分布。
[0053]如同上面所描述的，在一相变化存储器单元上执行一设定操作(即在一段时间t2内施加一设定电流Iset至存储器单元促使存储器单元至一低电阻状态)。如果在长于一段时间h的一段时间t3内(如图2A所示)施加设定电流ISET至存储器单元，在长于一段时间t/的该段时间t3’内(如图2B所示)存储器单元将加热至高于结晶温度TraYsm且低于熔点Tmm的温度。因此，存储器单元的电阻可能变得比受经设定操作的存储器单元的电阻低。举例来说，一段时间t3的时间长度可能是tl的时间长度的10倍上下。在本发明中，在一段时间t3内施加一设定电流Iset至存储器单元的操作称为强设定(strong SET)操作，以及受经强设定操作的存储器单元称为强设定状态存储器单元或在强设定状态下的存储器单元。
[0054]图3C显示多个强设定状态存储器单元分别在高温程序前后的电阻分布(分别为点曲线和虚点曲线)。如图3C所示，多个强设定状态存储器单元的电阻分布在高温程序之后并无改变太多。多个强设定状态存储器单元和多个初始状态存储器单元的电阻分布在高温程序前后彼此完全分离。
[0055]因此，对应强设定状态的存储器单元的低电阻状态和对应初始状态的存储器单元的高电阻状态也可被用以分别表示位I和O。强设定状态也能被视为”一次(one time)”状态，类似于初始状态。然而，因为强设定状态和初始状态相较于复位复位状态在高温程序期间较为稳定(robust)，也就是说强设定状态存储器单元与初始状态存储器单元在高温程序之下相较于复位状态存储器单元有较低的状态改变率，被编程至强设定状态或初始状态的存储器单元(存储器单元不需要任何操作即保持初始状态，但为了方便描述，在此仍然称为将存储器单元编程至初始状态)可用来保存预先储存数据且校正另一个在高温程序之后被复位的存储器单元。
[0056]在高温程序之后，因为在强设定状态下的多个相变化存储器单元的电阻分布不与在初始状态下的多个相变化存储器单元的电阻分布重叠，被编程至强设定状态或初始状态的相变化存储器单元可被使用在与本发明一致的具有多个存储器单元的元件，以防止预先储存数据遗失。每个存储器单元包含一正常存储器单元(此后称为一快闪单元)，其可被外部程序(例如高温程序)所影响。存储器单元也包含一参考存储器单元(此后称为一参考单元)，其不容易被外部程序所影响。如本发明多个实施例的一范例，被编程至强设定状态或初始状态(参考单元范例)的一相变化存储器单元和被编程至设定状态或复位复位状态(快闪单元范例)的另一相变化存储器单元成对以形成一存储器单元。接着，如果储存在另一存储器单元的数据在一外部程序(例如高温程序)之后遗失，被编程至强设定状态或初始状态的相变化存储器单元所储存的数据可用来恢复另一存储器单元的数据。
[0057]图4显示与本发明多个实施例一致的一范例性的存储器单元400。存储器单元400包含一参考单元402和一快闪单元404。在一些实施例中，参考单元402和快闪单元404电性耦接至相同的位线，如图4所示。在一些实施例中，参考单元402和快闪单元404也电性耦接至相同的地址线，例如透过一多功复用器406，如图4所示。多功复用器406由一选择晶体管408控制以在两个输出之间转换，以选择参考单元402或快闪单元404其中一个单元连接地址线。
[0058]在一些实施例中，参考单元402和快闪单元404为具有一实质上相同结构且由实质上相同材料制成的相变化存储器单元。在这些实施例中，对于参考单元402来说,对应于强设定状态电阻范围的状态用来表示位I (这样的状态称为参考低电阻状态)，以及对应于初始状态电阻范围的状态用来表示位O (这样的状态称为参考高电阻状态)。此外，对于快闪单元404来说，对应于设定状态电阻范围的状态用来表示位I (这样的状态称为快闪低电阻状态)，以及在受经高温程序之前对应于复位复位状态电阻范围的状态用来表示位O (这样的状态称为快闪高电阻状态)。
[0059]一般来说，在参考低电阻状态和在参考高电阻状态的多个参考单元402的多个电阻范围分别小于在快闪低电阻状态和在快闪高电阻状态的多个快闪单元404的多个电阻范围。如同在此所使用的，一第一电阻范围小于一第二电阻范围意指第一电阻范围的平均值或中位数小于第二电阻范围的平均值或中位数。在多个参考状态之一的多个参考单元402的电阻范围仍可与在多个快闪状态之一的多个快闪单元404的电阻范围重叠。举例来说，在参考高电阻状态的多个参考单元其中的一个参考单元的电阻可能落于在快闪高电阻状态的多个快闪单元404的电阻范围，不然就是落于在快闪低电阻状态的多个快闪单元404的电阻范围。然而，因为是由不同型式的存储器单元所造成的电阻范围重叠，这样重叠并不会造成混淆。
[0060]图5为显示与用于揭露操作存储器的多个实施例一致的一范例性程序流程图500，该存储器可包含如图4所示的多个存储器单元400。
[0061]参阅图5，在步骤502中，编程多个存储器单元以使在同一存储器单元400中的参考单元402和快闪单元404储存相同数据。在一些实施例中，储存在参考单元402和快闪单元404的数据为位O或I其中一个位。举例来说，参考单元402被编程至表示位O或I其中一个位的一第一状态，以及快闪单元404被编程至表示与参考单元402具有相同位的一第二状态。第一状态为一不容易被高温程序(例如焊接接合程序)影响的状态。第二状态为一可能被高温程序影响的状态
[0062]在高温程序之后，在步骤504中，选择一存储器单元400进行检验。在步骤506中，对于所选择的存储器单元400，通过施加一读取电流至参考单元402和快闪单元404其中至少一个单元并确认读取结果来检验在存储器单元400中的快闪单元404状态是否偏移至不同于第二状态的一第三状态。在一些实施例中，分别施加一第一读取电流和一第二读取电流至参考单元402和快闪单元404以取得一第一读取结果和一第二读取结果。第一读取电流可与第二读取电流相同。比较第一读取结果和第二读取结果决定快闪单元404的状态是否偏移。
[0063]如果在步骤506中发现快闪单元404的状态未偏移至第三状态，则程序前进至步骤508。步骤508为决定是否有另一个需要检验的存储器单元400。如果决定的结果为否，则程序结束。如果决定的结果为是，则程序返回至步骤504以选择另一存储器单元400进行检验。
[0064]如果在步骤506中的决定结果为是，则程序前进至步骤510。步骤510为根据储存在参考单元402的数据重新编程快闪单元404 (即将储存在参考单元402的数据复制到快闪单元404)。之后，程序前进至步骤508以决定是否有另一个需要检验的存储器单元400。
[0065]在一些实施例中，显示在图5中的程序可进一步包含:在检验多个存储器单元400其中的一个存储器单元之后，致能多功复用器406以永久连接快闪单元404至地址线留作之后使用。
[0066]在一些实施例中，当参考单元402和快闪单元404为具有一实质上相同的结构且由实质上相同的材料形成之相变化存储器单元，第一状态可为一参考高电阻状态且第二状态可为一快闪高电阻状态。在高温程序之后，参考单元402可仍在参考高电阻状态，但快闪单元404可偏移至非快闪高电阻状态的状态(因此会遗失预先储存的数据)。然而，如果第一状态为一参考低电阻状态且第二状态为一快闪低电阻状态，则很可能参考单元402和快闪单元404的状态在高温程序之后皆不会改变。
[0067]图6为显示用以决定快闪单元404状态是否改变的详细程序的流程图600。在图6显示的流程对应图5显示的步骤506和步骤510。
[0068]在步骤602中，检验参考单元402在参考高电阻状态或参考低电阻状态。如果参考单元402在参考低电阻状态，那么意指快闪单元404会在快闪低电阻状态。在此案例中，快闪单元404不易被高温程序影响，因而不需要校正。因此程序直接前进至图5显示的步骤 508。
[0069]在另一方面，在步骤602中，如果参考单元402在参考高电阻状态，程序前进步骤604。在步骤604中，检验快闪单元404在快闪高电阻状态或快闪低电阻状态。如果快闪单元404在快闪高电阻状态，那么意指快闪单元404的状态未改变。程序前进至步骤508。
[0070]如果步骤604的检验结果显示快闪单元404在快闪低电阻状态，那么意指快闪单元404的状态改变(快闪单元404改变后的状态和参考单元402不一致，两者呈现不同的数据，参考单元402是在高电阻状态而快闪单元404是在低电阻状态)。程序前进至步骤606。在步骤606中，施加一复位电流至快闪单元404以重新编程快闪单元404至快闪高电阻状态。之后，程序前进至图5显示的步骤508。
[0071 ] 在一些实施例中，参考单元402和快闪单元404具有不同结构或由不同材料形成。举例来说，参考单元402可包含用以储存数据的一第一存储器材料且快闪单元404可包含用以储存数据的一第二存储器材料。对照于第二存储器材料，第一存储器材料的状态在程序期间较难改变。编程参考单元402至第一状态可包含将第一存储器材料的状态设置在一第一材料状态。编程快闪单元404至第二状态可包含将第二存储器材料的状态设置在一第二材料状态。在高温程序期间，第一材料状态可能不改变，而第二材料状态可能改变。
[0072]在上面描述的多个实施例中，讨论高温程序对于预先储存数据的效应。在制造或使用存储器期间，仍有其它步骤或外部程序可以影响预先储存数据而导致数据遗失。类似于上面讨论的装置和方法也可用来恢复遗失的数据。更一般来说，在外部程序期间为了避免遗失预先储存数据，一存储器可包含多个存储器单元，每个存储器单元包含两个存储器单元。两个存储器单元其中一个存储器单元在较稳定的状态(如较不易在外部程序期间遗失数据)，以及两个存储器单元其中另一个存储器单元在外部程序期间可能遗失数据。一第一存储器单元较一第二存储器单元在较稳定的状态意指「两个存储器单元由相同或类似材料制成，但第一存储器单元编程至一较稳定的状态」，不然就是「第一存储器单元由一材料制成，该材料的状态在外部程序期间较第二存储器单元材料较不易改变」。
[0073]从本发明揭露的说明书和实行的考虑，本发明的其他实施例对本领域技术人员是显而易见的。本说明书和实施例仅视为示例性范例，本发明真正范围和精神由随附权利要求揭示。
【权利要求】
1.一种用于操作存储器的方法，包含: 将一第一存储器单元的状态设置在表示一第一数据的一第一状态； 将一第二存储器单元的状态设置在表示该第一数据的一第二状态； 使该存储器受经一程序后，决定该第二存储器单元的状态是否改变至表示一第二数据的一第三状态，其中该第二数据不同于该第一数据；以及 如果该第二存储器单元的状态已改变至该第三状态，将该第二存储器单元的状态改回至该第二状态。
2.根据权利要求1所述的方法，更包括: 施加一第一读取电流至该第一存储器单元以取得表示储存在该第一存储器单元中的数据的一第一读取结果； 施加一第二读取电流至该第二存储器单元以取得表示储存在该第二存储器单元中的数据的一第二读取结果；以及 比较该第一读取结果和该第二读取结果以决定该第二存储器单元的状态是否改变至该第三状态。
3.根据权利要求1所述的方法，其中该第一存储器单元和该第二存储器单元具有一相同的结构，其中，将该第一存储器单元的状态设置在该第一状态包含将该第一存储器单元的电阻设置在一第一电阻 范围内，以及将该第二存储器单元的状态设置在该第二状态包含将该第二存储器单元的电阻设置在不同于该第一电阻范围的一第二电阻范围内。
4.根据权利要求3所述的方法，更包括，判定该第二存储器单元的电阻是否改变至表示该第二数据的一第三电阻范围内以决定该第二存储器单元的状态是否改变至该第三状态，其中将该第二存储器单元的状态改回至该第二状态包含将该第二存储器单元的电阻改回至该第二电阻范围内。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一存储器单元包含用以储存数据的一第一存储器材料，以及该第二存储器单元包含用以储存数据的一第二存储器材料，其中，该第二存储器材料不同于该第一存储器材料，该第一存储器材料的状态比该第二存储器材料的状态较难改变，其中，将该第一存储器单元的状态设置在该第一状态包含将该第一存储器材料的状态设置在一第一材料状态，以及将该第二存储器单元的状态设置在该第二状态包含将该第二存储器材料的状态设置在一第二材料状态。
6.一存储器，包含: 一第一存储器单元，具有一表示一第一数据的第一状态； 一第二存储器单兀，具有一表不一第一数据的第二状态； 其中，该第一存储器单元和该第二存储器单元对于一外部程序具有不同的状态改变率。
7.根据权利要求6所述的存储器，其中，该第一存储器单元和该第二存储器单元对于一加热程序具有不同的状态改变率。
8.根据权利要求6所述的存储器，其中，该第一存储器单元和该第二存储器单元具有一相同的结构，该第一存储器单元的电阻设置在一第一电阻范围内，以及该第二存储器单元的电阻设置在不同于该第一电阻范围的一第二电阻范围内。
9.根据权利要求6所述的存储器，其中该第一存储器单元包含用以储存数据的一第一存储器材料，该第二存储器单元包含用以储存数据的一第二存储器材料，其中该第二存储器材料不同于该第一存储器材料。
10.根据权利要求6所述的存储器，其中该第一存储器单元和该第二存储器单元为相变化存储器单元 。
【文档编号】G11C16/02GK104051013SQ201310497065
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年10月21日 优先权日:2013年3月11日
【发明者】何信义, 李明修, 洪俊雄, 龙翔澜, 王典彦 申请人:旺宏电子股份有限公司