专利名称：：一种具有高电压总线接口的存储器芯片的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种存储器芯片，特别是一种具有高电压总线接口的存储器芯片。
背景技术：
：随着半导体工艺向8寸0.25um、0.18um以致更高精度发展，存储芯片单位面积的存储容量迅速增大，成本也相应迅速降低。但工作电压相应降低到3.3V以致1.8V，难以直接满足5V系统总线对芯片接口的要求。而众多应用，如系统沿用了5V的CPU或者打印机驱动对5V系统电压的要求，仍需存储芯片具备5V总线接口。存储芯片实现5V的传统解决方案是采用6寸0.350.4um的低精度工艺，但面积和成本比8寸高精度工艺高2~3倍。通常存储芯片生产厂商的产品系列在提供5V产品的同时，也需要提供3.3V相同容量的产品。解决方案是采用6寸晶圆制造5V产品，另采用8寸芯片制造3.3V产品以降低成本，但带来要分别制备两套掩膜光罩，增加了生产投资金额并延长的生产时间，两套规格不利于生产同一规格等问题，且不能解决5V产品成本高的问题。虽然也可以只用一套8寸工艺制造3.3V存储芯片，外加高电压总线接口电路来实现对5V存储芯片的要求。但高电压总线接口电路需要由一片降压电路、一片接口逻辑电路、三片16线总线电平转换电路共计五片芯片来完成高电压总线接口功能。因此成本较高。
发明内容本发明的目的在于提供一种具有高电压总线接口的存储器芯片，通过将3.3V芯片和5V芯片合用同一规格的8寸以上高精度工艺以降低成本。本发明所提供的一种具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于它包括高精度工艺的低电压存储芯片和与之相连的低精度工艺的高电压总线接口芯片。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，高电压总线接口芯片包括集成在单芯片中的电源降压模块、总线电平转换模块和总线接口逻辑模块。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，电源降压模块采用简易的模拟稳压电路。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，电源降压模块采用高效的开关降压电路。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，总线电平转换模块包含数据总线、地址总线和控制总线。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，总线接口逻辑模块采用多路开关逻辑模块。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，高电压总线接口芯片单独封装成为独立芯片，与低压存储芯片相结合用于高压系统环境中。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，高电压总线接口芯片与低电压存储芯片整合，即将二个裸片封装在一个芯片中。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，裸片封装形式为引脚封装形式。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，裸片封装形式为面阵封装形式。在上述的具有高电压总线接口的存储器芯片中，高电压总线接口芯片的高电压为12V、5V或3.3V，所述的低电压存储芯片的低电压为3.3V、2.5、2.7V、1.8V电压。由于采用了上述的技术解决方案，本发明针对现有高精度工艺芯片不能满足5V高电压需求的问题，另加一芯片3.3V5V高电压总线接口芯片来实现5V功能。该高电压总线接口芯片同时集成了电源降压模块，总线电平转换模块和总线接口逻辑模块，将己有技术中需要五个芯片完成的功能整合为单芯片，该高电压总线接口芯片既作为本发明高压存储芯片内的部件，也可独立作为通用芯片，配合低电压存储器芯片，使后者能在高压系统环境中工作。本发明通过将3.3V芯片和5V芯片合用同一规格的8寸以上高精度工艺以降低成本。通过以下对本发明具一种具有高电压总线接口的存储器芯片的一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解本发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1是本发明一种具有高电压总线接口的存储器芯片的结构框图；图2是本发明中的封装的高电压总线接口芯片的示意图3是本发明中高电压总线接口芯片与低电压存储芯片整合封装在一个芯片中的叠加芯片的示意图。具体实施例方式如图l所示，本发明具有高电压总线接口的存储器芯片包括高精度工艺的低电压存储芯片2和低精度工艺的高电压总线接口芯片1。高电压总线接口芯片2连接低电压存储芯片1和高电压系统总线3，高电压总线接口芯片2包含三个模块电源降压模块21、总线电平转换模块22、总线接口逻辑模块23，三种模块集成在单芯片中。如图2所示，高电压总线接口芯片2可以作为独立芯片，如图3所示，也可与低电压存储芯片整合封装在一个芯片中，即将二个的裸片封装在同一个芯片中，可以采用引脚封装形式，也可采用面阵封装形式。高电压系统总线3通过电源降压模块21将高电压供电转换为低电压供电，使低电压存储芯片1可在高电压环境中工作。电源降压模块21，可采用简易的模拟稳压电路，也可采用高效的开关降压电路。总线电平转换模块22，包括数据总线、地址总线和控制总线，用于连接高电压系统总线3和低电压存储芯片1，并进行数据、地址和控制信号的传输。总线接口逻辑模块23，采用多路开关逻辑，使低电压存储芯片1与中央处理器总线4之间无须采用额外逻辑，实现无缝连接。高电压总线接口芯片的高电压为12V、5V或3.3V，所述的低电压存储芯片的低电压为3.3V、2.5、2.7V、1.8V电压。所述的高精度工艺可以采用8寸或12寸晶圆，采用0.25um、0.18um、0.13um或者更高工艺，所述的低精度工艺可采用3寸、4寸、6寸晶圆，采用1.2um、0.9um、0.6um工艺。所述的存储器芯片，包括闪存存储芯片、读写存储芯片、只读存储芯片。综上所述，由于本发明中的高电压总线接口芯片工艺和面积要求极低，可用34寸晶圆，lum工艺实现，成本和掩膜光罩投资仅为8寸存储芯片的十分之一，生产加工周期仅为三分之一。因此，虽然5V产品增加了一片高电压总线接口芯片，但由于可以采用两片裸片是封装在同一芯片中，对用户而言，完全和单芯片同样方法使用，从用同一规格8寸存储芯片和4寸5V高电压总线接口芯片实现3.3V和5V两种规格芯片。同时达到了降低一半以上5V芯片的成本，减少掩膜投资，满足5V总线需求的多项要求。本发明中的高压接口芯片与传统方案对比见下表:<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>虽然本发明连接结构已参照当前的具体实例进行了描述，但是本
技术领域：
的普通技术人员应该认识到，以上的实例仅是用来说明本发明，在没有脱离本发明精神的情况下还可作出各种等效的变化和修改。因此，只要在本发明的实质精神范围内对上述实例的变化，变型都将落在本发明的权利要求书的范围内。权利要求1.一种具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于它包括高精度工艺的低电压存储芯片和与之相连的低精度工艺的高电压总线接口芯片。2.根据权利要求1所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述的高电压总线接口芯片包括集成在单芯片中的电源降压模块、总线电平转换模块和总线接口逻辑模块。3.根据权利要求2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述电源降压模块采用简易的模拟稳压电路或高效的开关降压电路。4.根据权利要求2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述总线电平转换模块包含数据总线、地址总线和控制总线。5.根据权利要求2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述总线接口逻辑模块采用多路开关逻辑模块。6.根据权利要求1或2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述高电压总线接口芯片单独封装成为独立芯片，与低压存储芯片相结合用于高压系统环境中。7.根据权利要求1或2所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述高电压总线接口芯片与低电压存储芯片整合，即将二个裸片封装在一个芯片中。8.根据权利要求7所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述裸片封装形式为引脚封装形式。9.根据权利要求7所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述裸片封装形式为面阵封装形式。10.根据权利要求l所述的具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于所述高电压总线接口芯片的高电压为12V、5V或3.3V，所述的低电压存储芯片的低电压为3.3V、2.5、2.7V、1.8V电压。全文摘要一种具有高电压总线接口的存储器芯片，其特征在于它包括高精度工艺的低电压存储芯片和与之相连的低精度工艺的高电压总线接口芯片。其中高电压总线接口芯片包括集成在单芯片中的电源降压模块、总线电平转换模块和总线接口逻辑模块。本发明针对现有高精度工艺芯片不能满足5V高电压需求的问题，另加一芯片3.3V～5V高电压总线接口芯片来实现5V功能。该高电压总线接口芯片既作为本发明高压存储芯片内的部件，也可独立作为通用芯片，配合低电压存储器芯片，使后者能在高压系统环境中工作。本发明通过将3.3V芯片和5V芯片合用同一规格的8寸以上高精度工艺以降低成本。文档编号G11C7/10GK101169963SQ20061011758公开日2008年4月30日申请日期2006年10月26日优先权日2006年10月26日发明者巍崔申请人:上海集通数码科技有限责任公司