技术总结
一种用于单粒子加固FPGA的多阈值非对称配置存储器。本发明的配置存储器使用多个不等阈值与不同宽长比沟道的MOS管以及上拉作用的PMOS管，其电路、版图、工艺参数三方面的不对称，实现了配置存储器在FPGA上电之后与清零之前的初始状态全部为“0”。本发明的配置存储器由8个PMOS管和8个NMOS管组成。其中8个PMOS管，有2个阈值较高且宽长比更小，以及有两组分别采用了2个PMOS管构成两个上拉作用电路；另外8个NMOS管，有2个阈值较高且宽长比更小。本发明的配置存储器具有多阈值非对称的特性，上电后的配置存储器具有确定的初始值，避免互连矩阵产生“1”和“0”的竞争路径，有效消除FPGA的上电浪涌电流。
技术研发人员：赵元富;陈雷;张智龙;李学武;张彦龙;孙华波;王文锋;倪劼;
受保护的技术使用者：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所;
文档号码：201610070862
技术研发日：2016.02.02
技术公布日：2016.07.06