1.一种操作存储器件的方法，所述方法包括：
对多个存储器单元执行主编程操作，以便将多个存储器单元编程为与一个或多个阈值电压相对应的一个或多个编程状态；以及
对具有在主编程操作期间改变的阈值电压的至少一个存储器单元执行额外的编程操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行主编程操作包括：
施加编程脉冲至选中的字线；以及
验证多个存储器单元中的每个存储器单元的编程状态。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，执行主编程操作还包括：
重复施加编程脉冲和验证存储器单元的编程状态，直到每个存储器单元的阈值电压达到目标编程状态为止。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，验证存储器单元的编程状态包括：施加具有与编程状态的读取电压相同的电平的验证电压。
5.根据权利要求4所述的方法，还包括：
基于存储器单元的阈值电压与验证电压之间的比较，而确定对每个存储器单元的验证是通过还是失败。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行额外的编程操作包括：
通过利用与存储器单元的目标编程状态相对应的验证电压而额外地验证存储器单元的编程状态；以及
将与额外的验证失败的编程状态相对应的额外的编程脉冲施加至选中的字线。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行额外的编程操作包括：
通过利用与存储器单元的目标编程状态相对应的验证电压而额外地验证存储器单元的编程状态；以及
将额外的编程脉冲施加至选中的字线，额外的编程脉冲对应于额外的验证失败的编程状态和比额外的验证失败的编程状态高的编程状态。
8.一种操作存储器件的方法，所述存储器件包括多个存储器单元，每个存储器单元 被编程为具有基于存储器单元的阈值电压划分的多个编程状态之中的任意一个编程状态，所述方法包括：
通过利用与第n编程状态相对应的验证电压而验证被编程为具有多个编程状态之中的任意第n编程状态的多个存储器单元；以及
如果验证失败，则将与第n编程状态相对应的编程脉冲施加至与多个存储器单元连接的字线。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
如果验证成功，则通过利用与第n+1编程状态相对应的验证电压而验证多个存储器单元。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，验证电压具有与对应于第n编程状态的读取电压相同的电平。
11.一种存储器件，包括：
多个存储器单元，每个存储器单元被编程为具有基于其阈值电压划分的多个编程状态之中的任意一个编程状态；以及
外围电路，被配置成对多个存储器单元执行主编程操作，以及对在执行主编程操作时关于主编程操作的阈值电压改变的至少一个存储器单元执行额外的编程操作。
12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，外围电路施加编程脉冲至与多个存储器单元连接的字线，并且通过利用验证电压而验证多个存储器单元的编程状态。
13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，外围电路施加编程脉冲至与多个存储器单元连接的字线，直到存储器单元的每个阈值电压达到目标编程状态为止。
14.根据权利要求12所述的存储器件，其中，外围电路基于存储器单元的阈值电压与验证电压之间的比较，而确定对每个存储器单元的验证是通过还是失败。
15.根据权利要求12所述的存储器件，其中，验证电压具有与编程状态的读取电压相同的电平。
16.根据权利要求11所述的存储器件，其中，外围电路通过利用与多个存储器单元的目标编程状态相对应的验证电压，而额外地验证多个存储器单元的编程状态，并且将 与额外的验证失败的编程状态相对应的额外的编程脉冲施加至字线。
17.根据权利要求11所述的存储器件，其中，外围电路通过利用与多个存储器单元的目标编程状态相对应的验证电压，而额外地验证多个存储器单元的编程状态，并且将额外的验证失败的编程状态和比额外的验证失败的编程状态高的编程状态施加至字线。
18.一种存储器件，包括：
多个存储器单元，每个存储器单元被编程为具有基于其阈值电压划分的多个编程状态之中的任意一个编程状态；以及
外围电路，被配置成通过利用与第n编程状态相对应的验证电压来验证被编程为具有多个编程状态之中的任意第n编程状态的多个存储器单元，并且如果验证失败，则将与第n编程状态相对应的编程脉冲施加至与多个存储器单元连接的字线。
19.根据权利要求18所述的存储器件，其中，如果验证成功，则利用与第n+1编程状态相对应的验证电压而验证多个存储器单元。
20.根据权利要求18所述的存储器件，其中，验证电压具有与对应于第n编程状态的读取电压相同的电平。