技术特征：
技术总结
在一个实施方式中，一种半导体存储器装置包括多个电阻式切换存储器单元，其中，各电阻式切换存储器单元可以包括：(i)可编程阻抗元件，该可编程阻抗元件具有阳极和阴极；(ii)存取晶体管，该存取晶体管具有联接到位线的漏极、联接到可编程阻抗元件阴极的源极、以及联接到字线的栅极；(iii)阱，该阱具有被构造为源极的第一扩散区域、被构造为漏极的第二扩散区域、以及被构造为阱触点的第三扩散区域；以及(iv)二极管，该二极管具有处于第二扩散区域处的阴极和处于第三扩散区域处的阳极，其中，在可编程阻抗元件上的擦除操作期间二极管导通。
技术研发人员：J·丁;V·P·戈皮纳特;N·冈萨雷斯;D·刘易斯;D·卡马拉汉;关明生
受保护的技术使用者：爱德斯托科技有限公司
技术研发日：2016.04.13
技术公布日：2018.03.23